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公开(公告)号：CN108352676A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680067246.8
申请日：2016-10-07
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/022
Abstract: 对于人眼安全光源而言，在调整取向性的同时提高发光效率。人眼安全光源(1)具备：封装(108)、将激光(114)从左发光端面(100l)和右发光端面(100r)射出的半导体激光器(100)、与半导体激光器(100)接合的导线(110)。半导体激光器(100)以相对于封装(108)的引线框(104)的上表面平行地射出激光(114)的方式与封装(108)接合。封装(108)具备与左发光端面(100l)和右发光端面(100r)对置并对激光(114)进行反射的反射面(116)。在俯视时，导线(110)延伸的方向相对于激光(114)射出的方向垂直。
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公开(公告)号：CN101022207B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200710087983.7
申请日：2007-01-15
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 宫嵜启介
CPC classification number: H01S5/22
Abstract: 本发明涉及半导体激光元件、半导体激光元件的安装结构、半导体激光元件的制造方法以及半导体激光元件的安装方法。在N型GaAs衬底(2)上，形成N型GaAs缓冲层(4)、N型GaInP中间层(6)、N型AlGaInP包层(8)、非掺杂MQW有源层(10)、P型AlGaInP包层(12)、P型AlGaInP包层(14)、P型GaAs盖层(16)。P型包层(14)以及P型盖层(16)在脊部(15)上形成。窄幅部(17)在N型衬底(2)的上部及所述各层中形成，在脊部(15)的侧面、窄幅部(17)的表面、和N型衬底(2)的台阶部(2a)的表面形成SiO2膜(18)。在脊部(15)和窄幅部(17)的表面形成的SiO2膜(18)的上面形成P侧电极层(23)。
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公开(公告)号：CN108352049A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680066306.4
申请日：2016-09-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G06T1/00 , A61B5/1171 , H01S5/022
CPC classification number: A61B5/1171 , G06T1/00 , H01S5/022
Abstract: 提供一种可以抑制装置大小及成本并提高摄像精度的摄像装置。摄像装置(1)具有向摄像对象(5)照射红外线光的半导体激光的光源(2)、在摄像对象(5)的表面遮蔽反射的光并在摄像对象(5)的内部使反射的光透射的偏振光滤光器(3)、接收透射偏振光滤光器(3)的光并摄像摄像对象(5)的摄像元件(4)。
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公开(公告)号：CN1320712C
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200410054490.X
申请日：2004-07-22
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/2206 , H01S5/2231 , H01S5/3432 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01S2304/04
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光器件及其制造方法。首先形成在n型GaAs缓冲层(22)上的第一半导体激光器(39)的n型AlGaAs包层由第二n型AlxGa1-xAs(x＝0.500)包层(23)和第一n型AlxGa1-xAs(x＝0.425)包层(24)的两层结构构成。利用这种布置，在通过利用HF蚀刻位于n型GaAs缓冲层(22)侧的第二n型包层(23)而进行的去除中，因为第二n型包层(23)的Al混晶比x为0.500，所以不出现模糊，允许达到镜面蚀刻。而且借助对GaAs的选择性，蚀刻在n型GaAs缓冲层(22)处自动停止。甚至在上述情况下，由于位于AlGaAs多量子阱有源层(25)侧的第一n型包层(24)的Al混晶比x为0.425，因此通过使垂直辐射角θ1等于36度，可以提高椭圆度。
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公开(公告)号：CN1306666C
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200310116361.4
申请日：2003-11-18
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/2231 , H01S5/0655 , H01S5/222 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01S2302/00
Abstract: 在两个半导体激光器的隆起部分的整个表面上形成光界限层，使其具有不超过2μm(大约0.5μm)的小的薄膜厚度；该光界限层由一种半导体构成，该半导体的折射率不同于p型第二包覆层的折射率。这样，隆起部分上的光界限层变得约略平坦，以便可以通过蚀刻来被容易地除去。结果，防止了因深入蚀刻而造成的隆起部分的p型第二包覆层的暴露，从而允许稳定地实现将光限制到p型包覆层中。电介质薄膜被形成在光界限层上，并加强了因光界限层的厚度减小而损失的电流收缩功能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1705178A
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：CN200510075919.8
申请日：2005-06-01
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , G11B7/1275 , H01S5/2206 , H01S5/2231 , H01S5/3432 , H01S5/34326 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01S2301/173 , H01S2304/04
Abstract: 一种半导体激光元件及其制造方法，该半导体激光元件中，在p型GaAs盖层的层厚和p型AlXGa1－XAs(X=0.550)第二包层的层厚相加的层厚与p型GaAs盖层的层厚和p型AlGaInP第二上包层的层厚相加的层厚的比跟干蚀刻p型GaAs盖层以及p型AlXGa1－XAs(X=0.550)第二包层时的蚀刻速率与干蚀刻p型GaAs盖层以及p型AlGaInP第二上包层时的蚀刻速率的比大致相同。
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公开(公告)号：CN1501557A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN200310116361.4
申请日：2003-11-18
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/2231 , H01S5/0655 , H01S5/222 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01S2302/00
Abstract: 在两个半导体激光器的隆起部分的整个表面上形成光界限层，使其具有不超过2μm(大约0.5μm)的小的薄膜厚度；该光界限层由一种半导体构成，该半导体的折射率不同于p型第二包覆层的折射率。这样，隆起部分上的光界限层变得约略平坦，以便可以通过蚀刻来被容易地除去。结果，防止了因深入蚀刻而造成的隆起部分的p型第二包覆层的暴露，从而允许稳定地实现将光限制到p型包覆层中。电介质薄膜被形成在光界限层上，并加强了因光界限层的厚度减小而损失的电流收缩功能。
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公开(公告)号：CN101022207A
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200710087983.7
申请日：2007-01-15
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 宫嵜启介
CPC classification number: H01S5/22
Abstract: 本发明涉及半导体激光元件、半导体激光元件的安装结构、半导体激光元件的制造方法以及半导体激光元件的安装方法。在N型GaAs衬底(2)上，形成N型GaAs缓冲层(4)、N型GaInP中间层(6)、N型AlGaInP包层(8)、非掺杂MQW有源层(10)、P型AlGaInP包层(12)、P型AlGaInP包层(14)、P型GaAs盖层(16)。P型包层(14)以及P型盖层(16)在脊部(15)上形成。窄幅部(17)在N型衬底(2)的上部及所述各层中形成，在脊部(15)的侧面、窄幅部(17)的表面、和N型衬底(2)的台阶部(2a)的表面形成SiO2膜(18)。在脊部(15)和窄幅部(17)的表面形成的SiO2膜(18)的上面形成P侧电极层(23)。
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公开(公告)号：CN100379106C
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200510075919.8
申请日：2005-06-01
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , G11B7/1275 , H01S5/2206 , H01S5/2231 , H01S5/3432 , H01S5/34326 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01S2301/173 , H01S2304/04
Abstract: 一种半导体激光元件及其制造方法，该半导体激光元件中，在p型 GaAs盖层的层厚和p型 AlXGa1-XAs (X＝0.550)第二包层的层厚相加的层厚与p型 GaAs 盖层的层厚和p型 AlGaInP 第二上包层的层厚相加的层厚的比跟干蚀刻p型 GaAs 盖层以及p型 AlXGa1-XAs (X＝0.550)第二包层时的蚀刻速率与干蚀刻p型 GaAs 盖层以及p型 AlGaInP 第二上包层时的蚀刻速率的比大致相同。
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公开(公告)号：CN1758494A
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN200510108809.7
申请日：2005-09-30
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/00
CPC classification number: H01S5/22 , H01S5/0658 , H01S5/2219 , H01S5/2231 , H01S5/4031 , H01S5/4087
Abstract: 一种半导体激光元件以及单片二波长半导体激光装置，其在N型GaAs衬底(1)上形成有源层(6)上，在有源层(6)上形成P型AlGaInP外敷层(8)。另外，P型AlGaINP外敷层(8)上形成的脊部的侧方上形成具有与P型AlGaInP外敷层(8)大致相同的折射率的N型AlGaInP阻碍层(13)。
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