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公开(公告)号：CN111193187A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201911108081.6
申请日：2019-11-13
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/30
Abstract: 本发明可实现抑制电子的载流子溢出、且即便在高温环境下也稳定地进行驱动的AlGaInPAs系的半导体激光元件。所述AlGaInPAs系的半导体激光元件的特征在于，至少具有：基板；n型包覆层；n型引导层；活性层；在掺杂剂中包含Mg并由AlGaInP构成的p型引导层；在掺杂剂中包含Mg并由AlInP构成的p型包覆层；以及由GaAs构成的p型盖层，在从p型引导层至p型包覆层之间，具有抑制从n型包覆层朝向活性层移动的电子流入至p型引导层或者p型包覆层的Mg的原子浓度的峰值。
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公开(公告)号：CN1241306C
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN200310104661.0
申请日：2003-10-30
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/00
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/22 , H01S5/3054 , H01S5/3432 , H01S5/34326 , H01S5/4031 , H01S5/4087
Abstract: 提供一种在单一基片上具有多个激光器部分(102，103)的半导体激光器器件(100)，其中每个部分振荡一种不同波长的激光，多个激光器部分(102，103)分别含有不同类型的掺杂剂。同时提供制作半导体激光器器件(100)的方法，在单一基片上形成多个激光器部分(102，103)，每个部分振荡一种不同波长的激光，一开始以一种晶体生长方法形成一个激光器部分，而接着以一种不同的晶体生长方法形成另一个激光器部分。
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公开(公告)号：CN1499680A
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN200310104661.0
申请日：2003-10-30
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/00
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/22 , H01S5/3054 , H01S5/3432 , H01S5/34326 , H01S5/4031 , H01S5/4087
Abstract: 提供一种在单一基片上具有多个激光器部分(102，103)的半导体激光器器件(100)，其中每个部分振荡一种不同波长的激光，多个激光器部分(102，103)分别含有不同类型的掺杂剂。同时提供制作半导体激光器器件(100)的方法，在单一基片上形成多个激光器部分(102，103)，每个部分振荡一种不同波长的激光，一开始以一种晶体生长方法形成一个激光器部分，而接着以一种不同的晶体生长方法形成另一个激光器部分。
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公开(公告)号：CN100379106C
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200510075919.8
申请日：2005-06-01
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , G11B7/1275 , H01S5/2206 , H01S5/2231 , H01S5/3432 , H01S5/34326 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01S2301/173 , H01S2304/04
Abstract: 一种半导体激光元件及其制造方法，该半导体激光元件中，在p型 GaAs盖层的层厚和p型 AlXGa1-XAs (X＝0.550)第二包层的层厚相加的层厚与p型 GaAs 盖层的层厚和p型 AlGaInP 第二上包层的层厚相加的层厚的比跟干蚀刻p型 GaAs 盖层以及p型 AlXGa1-XAs (X＝0.550)第二包层时的蚀刻速率与干蚀刻p型 GaAs 盖层以及p型 AlGaInP 第二上包层时的蚀刻速率的比大致相同。
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公开(公告)号：CN1578031A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410054490.X
申请日：2004-07-22
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/2206 , H01S5/2231 , H01S5/3432 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01S2304/04
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光器件及其制造方法。首先形成在n型GaAs缓冲层(22)上的第一半导体激光器(39)的n型AlGaAs包层由第二n型AlxGa1－xAs(x＝0.500)包层(23)和第一n型AlxGa1－xAs(x＝0.425)包层(24)的两层结构构成。利用这种布置，在通过利用HF蚀刻位于n型GaAs缓冲层(22)侧的第二n型包层(23)而进行的去除中，因为第二n型包层(23)的Al混晶比x为0.500，所以不出现模糊，允许达到镜面蚀刻。而且借助对GaAs的选择性，蚀刻在n型GaAs缓冲层(22)处自动停止。甚至在上述情况下，由于位于AlGaAs多量子阱有源层(25)侧的第一n型包层(24)的Al混晶比x为0.425，因此通过使垂直辐射角θ⊥等于36度，可以提高椭圆度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100505443C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200610073814.3
申请日：2006-03-30
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 和田一彦
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/221 , H01S5/2231 , H01S5/3211 , H01S5/3432 , H01S2304/04
Abstract: 本发明涉及一种半导体激光器件及其制造方法。在n型GaAs衬底19上形成n型GaAs缓冲层20、非掺杂AlxGa1-xAs光导评估层21、n型AlxGa1-xAs第一覆层22、n型AlxGa1-xAs第二覆层23、非掺杂AlxGa1-xAs第一光导层24、非掺杂AlxGa1-xAs量子阱有源层25、非掺杂AlxGa1-xAs第二光导层26、p型AlxGa1-xAs第一覆层27、p型GaAs蚀刻停止层28、p型AlxGa1-xAs第二覆层29和p型GaAs帽层30。光导评估层21的Al晶体混合比例等于第一和第二光导层24、26的Al晶体混合比例。该半导体激光器件允许容易而高精度地控制光导层的层厚和材料组分。
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公开(公告)号：CN1320712C
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200410054490.X
申请日：2004-07-22
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/2206 , H01S5/2231 , H01S5/3432 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01S2304/04
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光器件及其制造方法。首先形成在n型GaAs缓冲层(22)上的第一半导体激光器(39)的n型AlGaAs包层由第二n型AlxGa1-xAs(x＝0.500)包层(23)和第一n型AlxGa1-xAs(x＝0.425)包层(24)的两层结构构成。利用这种布置，在通过利用HF蚀刻位于n型GaAs缓冲层(22)侧的第二n型包层(23)而进行的去除中，因为第二n型包层(23)的Al混晶比x为0.500，所以不出现模糊，允许达到镜面蚀刻。而且借助对GaAs的选择性，蚀刻在n型GaAs缓冲层(22)处自动停止。甚至在上述情况下，由于位于AlGaAs多量子阱有源层(25)侧的第一n型包层(24)的Al混晶比x为0.425，因此通过使垂直辐射角θ1等于36度，可以提高椭圆度。
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公开(公告)号：CN1306666C
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200310116361.4
申请日：2003-11-18
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/2231 , H01S5/0655 , H01S5/222 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01S2302/00
Abstract: 在两个半导体激光器的隆起部分的整个表面上形成光界限层，使其具有不超过2μm(大约0.5μm)的小的薄膜厚度；该光界限层由一种半导体构成，该半导体的折射率不同于p型第二包覆层的折射率。这样，隆起部分上的光界限层变得约略平坦，以便可以通过蚀刻来被容易地除去。结果，防止了因深入蚀刻而造成的隆起部分的p型第二包覆层的暴露，从而允许稳定地实现将光限制到p型包覆层中。电介质薄膜被形成在光界限层上，并加强了因光界限层的厚度减小而损失的电流收缩功能。
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公开(公告)号：CN1841865A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610073814.3
申请日：2006-03-30
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 和田一彦
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/221 , H01S5/2231 , H01S5/3211 , H01S5/3432 , H01S2304/04
Abstract: 本发明涉及一种半导体激光器件及其制造方法。在n型GaAs衬底19上形成n型GaAs缓冲层20、非掺杂AlxGa1－xAs光导评估层21、n型AlxGa1－xAs第一覆层22、n型AlxGa1－xAs第二覆层23、非掺杂AlxGa1－xAs第一光导层24、非掺杂AlxGa1－xAs量子阱有源层25、非掺杂AlxGa1－xAs第二光导层26、p型AlxGa1－xAs第一覆层27、p型GaAs蚀刻停止层28、p型AlxGa1－xAs第二覆层29和p型GaAs帽层30。光导评估层21的Al晶体混合比例等于第一和第二光导层24、26的Al晶体混合比例。该半导体激光器件允许容易而高精度地控制光导层的层厚和材料组分。
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公开(公告)号：CN1705178A
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：CN200510075919.8
申请日：2005-06-01
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , G11B7/1275 , H01S5/2206 , H01S5/2231 , H01S5/3432 , H01S5/34326 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01S2301/173 , H01S2304/04
Abstract: 一种半导体激光元件及其制造方法，该半导体激光元件中，在p型GaAs盖层的层厚和p型AlXGa1－XAs(X=0.550)第二包层的层厚相加的层厚与p型GaAs盖层的层厚和p型AlGaInP第二上包层的层厚相加的层厚的比跟干蚀刻p型GaAs盖层以及p型AlXGa1－XAs(X=0.550)第二包层时的蚀刻速率与干蚀刻p型GaAs盖层以及p型AlGaInP第二上包层时的蚀刻速率的比大致相同。
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