-
公开(公告)号：CN100379106C
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200510075919.8
申请日：2005-06-01
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , G11B7/1275 , H01S5/2206 , H01S5/2231 , H01S5/3432 , H01S5/34326 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01S2301/173 , H01S2304/04
Abstract: 一种半导体激光元件及其制造方法，该半导体激光元件中，在p型 GaAs盖层的层厚和p型 AlXGa1-XAs (X＝0.550)第二包层的层厚相加的层厚与p型 GaAs 盖层的层厚和p型 AlGaInP 第二上包层的层厚相加的层厚的比跟干蚀刻p型 GaAs 盖层以及p型 AlXGa1-XAs (X＝0.550)第二包层时的蚀刻速率与干蚀刻p型 GaAs 盖层以及p型 AlGaInP 第二上包层时的蚀刻速率的比大致相同。
-
公开(公告)号：CN1578031A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410054490.X
申请日：2004-07-22
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/2206 , H01S5/2231 , H01S5/3432 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01S2304/04
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光器件及其制造方法。首先形成在n型GaAs缓冲层(22)上的第一半导体激光器(39)的n型AlGaAs包层由第二n型AlxGa1－xAs(x＝0.500)包层(23)和第一n型AlxGa1－xAs(x＝0.425)包层(24)的两层结构构成。利用这种布置，在通过利用HF蚀刻位于n型GaAs缓冲层(22)侧的第二n型包层(23)而进行的去除中，因为第二n型包层(23)的Al混晶比x为0.500，所以不出现模糊，允许达到镜面蚀刻。而且借助对GaAs的选择性，蚀刻在n型GaAs缓冲层(22)处自动停止。甚至在上述情况下，由于位于AlGaAs多量子阱有源层(25)侧的第一n型包层(24)的Al混晶比x为0.425，因此通过使垂直辐射角θ⊥等于36度，可以提高椭圆度。
-
公开(公告)号：CN1241306C
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN200310104661.0
申请日：2003-10-30
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/00
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/22 , H01S5/3054 , H01S5/3432 , H01S5/34326 , H01S5/4031 , H01S5/4087
Abstract: 提供一种在单一基片上具有多个激光器部分(102，103)的半导体激光器器件(100)，其中每个部分振荡一种不同波长的激光，多个激光器部分(102，103)分别含有不同类型的掺杂剂。同时提供制作半导体激光器器件(100)的方法，在单一基片上形成多个激光器部分(102，103)，每个部分振荡一种不同波长的激光，一开始以一种晶体生长方法形成一个激光器部分，而接着以一种不同的晶体生长方法形成另一个激光器部分。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1499680A
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN200310104661.0
申请日：2003-10-30
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/00
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/22 , H01S5/3054 , H01S5/3432 , H01S5/34326 , H01S5/4031 , H01S5/4087
Abstract: 提供一种在单一基片上具有多个激光器部分(102，103)的半导体激光器器件(100)，其中每个部分振荡一种不同波长的激光，多个激光器部分(102，103)分别含有不同类型的掺杂剂。同时提供制作半导体激光器器件(100)的方法，在单一基片上形成多个激光器部分(102，103)，每个部分振荡一种不同波长的激光，一开始以一种晶体生长方法形成一个激光器部分，而接着以一种不同的晶体生长方法形成另一个激光器部分。
-
公开(公告)号：CN1320712C
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200410054490.X
申请日：2004-07-22
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/2206 , H01S5/2231 , H01S5/3432 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01S2304/04
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光器件及其制造方法。首先形成在n型GaAs缓冲层(22)上的第一半导体激光器(39)的n型AlGaAs包层由第二n型AlxGa1-xAs(x＝0.500)包层(23)和第一n型AlxGa1-xAs(x＝0.425)包层(24)的两层结构构成。利用这种布置，在通过利用HF蚀刻位于n型GaAs缓冲层(22)侧的第二n型包层(23)而进行的去除中，因为第二n型包层(23)的Al混晶比x为0.500，所以不出现模糊，允许达到镜面蚀刻。而且借助对GaAs的选择性，蚀刻在n型GaAs缓冲层(22)处自动停止。甚至在上述情况下，由于位于AlGaAs多量子阱有源层(25)侧的第一n型包层(24)的Al混晶比x为0.425，因此通过使垂直辐射角θ1等于36度，可以提高椭圆度。
-
公开(公告)号：CN1306666C
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200310116361.4
申请日：2003-11-18
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/2231 , H01S5/0655 , H01S5/222 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01S2302/00
Abstract: 在两个半导体激光器的隆起部分的整个表面上形成光界限层，使其具有不超过2μm(大约0.5μm)的小的薄膜厚度；该光界限层由一种半导体构成，该半导体的折射率不同于p型第二包覆层的折射率。这样，隆起部分上的光界限层变得约略平坦，以便可以通过蚀刻来被容易地除去。结果，防止了因深入蚀刻而造成的隆起部分的p型第二包覆层的暴露，从而允许稳定地实现将光限制到p型包覆层中。电介质薄膜被形成在光界限层上，并加强了因光界限层的厚度减小而损失的电流收缩功能。
-
公开(公告)号：CN1705178A
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：CN200510075919.8
申请日：2005-06-01
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , G11B7/1275 , H01S5/2206 , H01S5/2231 , H01S5/3432 , H01S5/34326 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01S2301/173 , H01S2304/04
Abstract: 一种半导体激光元件及其制造方法，该半导体激光元件中，在p型GaAs盖层的层厚和p型AlXGa1－XAs(X=0.550)第二包层的层厚相加的层厚与p型GaAs盖层的层厚和p型AlGaInP第二上包层的层厚相加的层厚的比跟干蚀刻p型GaAs盖层以及p型AlXGa1－XAs(X=0.550)第二包层时的蚀刻速率与干蚀刻p型GaAs盖层以及p型AlGaInP第二上包层时的蚀刻速率的比大致相同。
-
公开(公告)号：CN1501557A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN200310116361.4
申请日：2003-11-18
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/2231 , H01S5/0655 , H01S5/222 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01S2302/00
Abstract: 在两个半导体激光器的隆起部分的整个表面上形成光界限层，使其具有不超过2μm(大约0.5μm)的小的薄膜厚度；该光界限层由一种半导体构成，该半导体的折射率不同于p型第二包覆层的折射率。这样，隆起部分上的光界限层变得约略平坦，以便可以通过蚀刻来被容易地除去。结果，防止了因深入蚀刻而造成的隆起部分的p型第二包覆层的暴露，从而允许稳定地实现将光限制到p型包覆层中。电介质薄膜被形成在光界限层上，并加强了因光界限层的厚度减小而损失的电流收缩功能。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.024 seconds)
