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公开(公告)号：CN105940499A
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201480074515.4
申请日：2014-11-21
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068
CPC classification number: H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/022441 , H01L31/0682 , Y02E10/547
Abstract: 提供一种使半导体基板与电极之间的串联电阻减小并且转换效率好的光电转换装置。一种光电转换装置，具有半导体基板、形成于半导体基板的第1导电类型区域以及与第1导电类型区域电连接的电极，第1导电类型区域具有与电极相对的电极区域，所述光电转换装置的特征在于，在与电极区域相对的半导体基板中具有晶体缺陷。
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公开(公告)号：CN102959720B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201180032232.X
申请日：2011-02-17
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0376 , H01L31/0392 , H01L31/076 , H01L31/20
CPC classification number: H01L31/076 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L31/03529 , H01L31/03767 , H01L31/03921 , H01L31/202 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的光电转换装置，其具有衬底（1）和设置在衬底（1）的表面上的pin型光电转换层（11、12），pin型光电转换层（11、12）包括p型半导体层（3）、非晶半导体层即i型半导体层（4）、与n型半导体层（5）层叠的第一pin型光电转换层（11），第一pin型光电转换层（11）具有位于衬底（1）的一部分的表面上的第一部分和位于衬底（1）的另一部分的表面上的第二部分，第一部分的从氧、氮及碳中选择的至少一个杂质元素的浓度比第二部分的杂质元素的浓度高，第一部分的厚度比第二部分的厚度薄。
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公开(公告)号：CN104040690A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201280066669.X
申请日：2012-12-21
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/44 , H01L31/18 , H01L31/0392
CPC classification number: H01L21/02046 , C23C16/24 , C23C16/4405 , C23C16/4408 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L31/03921 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种含硅薄膜(1)的制造方法，该含硅薄膜(1)的制造方法具有：利用含氟气体干洗室(2)内的第一工序、将基板(10)搬入室(2)内的第二工序、在使基板(10)设置在室(2)内的状态下利用硅烷类气体净化室(2)内的第三工序、在第三工序之后在基板(10)上形成含硅薄膜(1)的第四工序。
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公开(公告)号：CN102160190B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN200980137203.2
申请日：2009-09-14
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0463 , Y02E10/50
Abstract: 一种集成薄膜太阳能电池，包括：多个串组，具有形成在透明绝缘基板上的多个薄膜光电转换元件，薄膜光电转换元件被相互串联电连接，薄膜光电转换元件具有积层在透明绝缘基板上的透明的第一电极层，积层在第一电极层上的光电转换层，和积层在光电转换层上的第二电极层，多个串组被沿串联连接方向延伸的一个或多个串组分离沟槽分隔开，多个串组沿与串联连接方向垂直的方向被排列在同一透明绝缘基板上，串组分离沟槽包括除去第一电极层形成第一沟槽，和除去光电转换层和第二电极层形成宽度大于第一沟槽的第二沟槽，串联连接方向上任意位置处的薄膜光电转换元件是并联连接元件并联连接元件中一部分被串组分离沟槽除去、剩余部分连成一体从而沿与串联连接方向垂直的方向延伸，并联连接元件并联电连接多个串组。
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公开(公告)号：CN102144299B
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN200980134780.6
申请日：2009-08-05
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L27/1421 , H01L31/0201 , H01L31/046 , H01L31/0463 , Y02E10/50
Abstract: 一种集成薄膜太阳能电池，包括：包括形成在透明绝缘基板上并互相串联电连接的多个薄膜光电转换元件的串，和一个或更多个与所述串电连接的集电电极。每个薄膜光电转换元件具有布置在所述透明绝缘基板上的第一透明电极层、布置在所述第一电极层上的光电转换层和布置在所述光电转换层上的第二电极层。每个集电电极电连接到串中的任意薄膜光电转换元件的第二电极层。串具有通过移除相邻两个薄膜光电转换元件之间的第二电极层和光电转换层而形成的元件隔离槽。各个薄膜光电转换元件的第一电极层具有一端穿过元件隔离槽延伸进入相邻薄膜光电转换元件区域的延伸部分，所述第一电极层通过电极隔离线与相邻的薄膜光电转换元件的第一电极层电绝缘。每个薄膜光电转换元件的第二电极层经由穿过光电转换层的导电部分与相邻的薄膜光电转换元件的第一电极层的延伸部分电连接。在与集电电极相连的任意薄膜光电转换元件中，第一电极的至少在集电电极正下方的一部分与其它部分通过电极隔离线和绝缘线中的至少其一互相绝缘并隔离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102959720A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201180032232.X
申请日：2011-02-17
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/076 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L31/03529 , H01L31/03767 , H01L31/03921 , H01L31/202 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的光电转换装置，其具有衬底（1）和设置在衬底（1）的表面上的pin型光电转换层（11、12），pin型光电转换层（11、12）包括p型半导体层（3）、非晶半导体层即i型半导体层（4）、与n型半导体层（5）层叠的第一pin型光电转换层（11），第一pin型光电转换层（11）具有位于衬底（1）的一部分的表面上的第一部分和位于衬底（1）的另一部分的表面上的第二部分，第一部分的从氧、氮及碳中选择的至少一个杂质元素的浓度比第二部分的杂质元素的浓度高，第一部分的厚度比第二部分的厚度薄。
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公开(公告)号：CN102725822A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201080059933.8
申请日：2010-12-28
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L31/075
CPC classification number: H01L21/0262 , H01L21/02422 , H01L21/02491 , H01L21/02532 , H01L21/02667 , H01L31/03685 , H01L31/0392 , H01L31/03921 , Y02E10/545 , Y02E10/548
Abstract: 一种半导体膜及包括该半导体膜的光电转换装置，该半导体膜（2）形成在基板（1）的表面上且含有晶质，具有包括半导体膜（2）的表面中心的中心区域（2b）及位于中心区域（2b）周围的周边缘区域（2a），该半导体膜（2）在周边缘区域（2a）的结晶化率大于中心区域（2b）的结晶化率。
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公开(公告)号：CN101569017A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200780047524.4
申请日：2007-11-15
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 奈须野善之
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/075 , H01L31/1804 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 改善光电转换效率的光电转换装置。该光电转换装置的特征在于具有至少一pin型光电转换部，其通过层叠第一导电型层、第一i形层、第二i型层和第二导电型层而构成。该光电转换装置的特征还在于第一i型层的结晶化率低于第二i型层的结晶化率，并且在第一i型层和第二i型层的界面的结晶化率的变化率在膜厚方向是0.013－0.24nm－1。
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公开(公告)号：CN104321853A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201380025968.3
申请日：2013-05-21
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L31/04
CPC classification number: H01L31/1884 , H01L31/022466 , H01L31/186 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种半导体元件的制造方法，将在透光性基板(11)上形成有透明导电膜(12)的透明导电性基板(1)不进行清洗而送入等离子体装置的反应室内(工序(a))，通过使用了CH4气体及H2气体的等离子体处理透明导电膜(12)(工序(b))。在工序(b)之后，在透明导电膜(12)上依次层叠半导体元件(工序(c)、(d))，制造半导体元件(10)(工序(e))。
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公开(公告)号：CN102160190A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200980137203.2
申请日：2009-09-14
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0463 , Y02E10/50
Abstract: 一种集成薄膜太阳能电池，包括：多个串组，具有形成在透明绝缘基板上的多个薄膜光电转换元件，薄膜光电转换元件被相互串联电连接，薄膜光电转换元件具有积层在透明绝缘基板上的透明的第一电极层，积层在第一电极层上的光电转换层，和积层在光电转换层上的第二电极层，多个串组被沿串联连接方向延伸的一个或多个串组分离沟槽分隔开，多个串组沿与串联连接方向垂直的方向被排列在同一透明绝缘基板上，串组分离沟槽包括除去第一电极层形成第一沟槽，和除去光电转换层和第二电极层形成宽度大于第一沟槽的第二沟槽，串联连接方向上任意位置处的薄膜光电转换元件是并联连接元件并联连接元件中一部分被串组分离沟槽除去、剩余部分连成一体从而沿与串联连接方向垂直的方向延伸，并联连接元件并联电连接多个串组。
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