公开(公告)号：CN104321853A

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201380025968.3

申请日：2013-05-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 本多真也 ,  奈须野善之 ,  西村和仁 ,  东名敦志 ,  山田隆

IPC: H01L21/3065 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/1884 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/186 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明提供一种半导体元件的制造方法，将在透光性基板(11)上形成有透明导电膜(12)的透明导电性基板(1)不进行清洗而送入等离子体装置的反应室内(工序(a))，通过使用了CH4气体及H2气体的等离子体处理透明导电膜(12)(工序(b))。在工序(b)之后，在透明导电膜(12)上依次层叠半导体元件(工序(c)、(d))，制造半导体元件(10)(工序(e))。

公开(公告)号：CN103650169A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201280033941.4

申请日：2012-05-31

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 东名敦志 ,  奈须野善之

IPC: H01L31/18 ,  C23C16/24 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C26/00 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4405 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L31/182 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种含硅薄膜的制造方法，其包括：基板的搬入工序（S101）、含硅薄膜的形成工序（S102）、基板的搬出工序（S103）、干洗工序（S104）、氟化物的还原工序（S105）、排气工序（S106）。在氟化物的还原工序（S105）中，将还原性气体供给到处理室内，直到排气工序（S106）完成时的处理室内的CF4气体的分压变为A×（2.0×10-4）Pa以下。

公开(公告)号：CN106663685A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201580030095.4

申请日：2015-06-01

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 东名敦志

IPC: H01L27/144 ,  G09F9/30 ,  H01L27/146 ,  H01L29/786 ,  H01L31/08 ,  H04N5/32 ,  H04N5/374

CPC classification number: H01L27/14616 ,  G09F9/30 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14649 ,  H01L27/14665 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/14692 ,  H04N5/32 ,  H04N5/374

Abstract: 本发明的目的是不使制造成品率降低地提高检测放射线的半导体装置的动作稳定性。半导体装置包括：具有多个TFT(10)和多个像素电极(20)的有源矩阵基板(50)；以与有源矩阵基板(50)相对的方式配置的光电转换基板(62)；设置在光电转换基板(62)的与有源矩阵基板(50)侧相反的一侧的表面上的上部电极(64)；和设置在有源矩阵基板(50)和光电转换基板(62)之间，由金属形成的多个连接电极(72)，多个连接电极(72)各自与多个像素电极(20)中的任一个以及光电转换基板(62)直接接触，且在从有源矩阵基板(50)的法线方向看时与多个TFT(10)中的任一个的半导体层(14)重叠，包含原子序数为42以上82以下的金属元素。

公开(公告)号：CN104040690A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201280066669.X

申请日：2012-12-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 奈须野善之 ,  东名敦志

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0392

CPC classification number: H01L21/02046 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4408 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种含硅薄膜(1)的制造方法，该含硅薄膜(1)的制造方法具有：利用含氟气体干洗室(2)内的第一工序、将基板(10)搬入室(2)内的第二工序、在使基板(10)设置在室(2)内的状态下利用硅烷类气体净化室(2)内的第三工序、在第三工序之后在基板(10)上形成含硅薄膜(1)的第四工序。