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公开(公告)号：CN110061419A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910024786.3
申请日：2019-01-10
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明实现一种能够充分抑制源自制造过程的污染的、具有较高的可靠性的半导体激光器元件。半导体激光器元件(303)具有朝向其第一端延伸的光波导，光波导依次具有第一包覆层(2)、活性层(3)、第二包覆层(4)以及电极层(10)。在光波导的第二端从活性层(3)的一侧依次具有电介质膜(8)以及金属膜(9)的反射面横穿活性层(3)。
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公开(公告)号：CN104854766B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201480003304.1
申请日：2014-08-27
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/022
CPC classification number: H01S5/028 , H01S5/0208 , H01S5/02256 , H01S5/042 , H01S5/0425 , H01S5/162 , H01S5/22
Abstract: 半导体激光元件(40)具备：由半导体构成的基板(41)；层叠在基板(41)上并包含活性层(42e)的半导体层叠膜(42)；相对于基板(41)在形成有半导体层叠膜(42)一侧的与活性层(42e)平行的面设置的第1电极(47)以及第2电极(48)；和设置在与活性层(42e)垂直的相对置的两端面(40a、40b)的端面保护膜(55)，在半导体激光元件(40)中，将形成端面保护膜(55)的一个端面(40a)作为半导体激光元件(40)的固定面使用。
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公开(公告)号：CN101938085A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201010219685.0
申请日：2010-06-29
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/06226 , G11B7/127 , G11B7/22 , H01S5/0202 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/2214 , H01S5/2222 , H01S5/32341
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体激光器及晶片。该氮化物半导体激光器的电容减小以具有更好的响应。氮化物半导体激光器包括有源层；上覆层，层叠在有源层之上；低介电常数绝缘膜，层叠在该上覆层之上；以及焊垫电极，层叠在该低介电常数绝缘膜之上。
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公开(公告)号：CN101453098B
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200810178899.0
申请日：2008-12-08
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/028 , B82Y20/00 , H01S5/0281 , H01S5/0282 , H01S5/2201 , H01S5/34333
Abstract: 本发明公开了一种发光元件及其制造方法。在使用具有六方晶体结构的氮化物半导体的激光芯片1中，-c面被用作第一谐振器端面A，其为通过其光被发射得激光芯片1侧。在第一谐振器端面A上，也就是在-c面上，形成端面保护膜14。这确保在第一谐振器端面A和端面保护膜14之间稳固地接合，并减轻第一谐振器端面A的退化。
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公开(公告)号：CN101471536A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200810190673.2
申请日：2008-12-26
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/00
CPC classification number: H01S5/16 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/0425 , H01S5/2201 , H01S5/34333
Abstract: 提供了一种氮化物半导体激光器芯片及其制造方法，该氮化物半导体激光器芯片既可以改善其COD水平，也可以防止其I－L特性曲线陡峭上升并可以降低工作电压。该氮化物半导体激光器芯片包括：构成氮化物半导体层并形成在n型GaN衬底上的层；镜面，包括光发射镜面和光反射镜面；p侧欧姆接触，形成在上接触层上以到达镜面；和p侧垫接触，形成在离光发射镜面为距离L1的区域中。调节p侧欧姆接触的厚度d和p侧垫接触到光发射镜面的距离L1，使得注入至光发射镜面的电流量是注入至在p侧垫接触正下方的区域的电流量的20％以上且70％以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110061419B
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201910024786.3
申请日：2019-01-10
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明实现一种能够充分抑制源自制造过程的污染的、具有较高的可靠性的半导体激光器元件。半导体激光器元件(303)具有朝向其第一端延伸的光波导，光波导依次具有第一包覆层(2)、活性层(3)、第二包覆层(4)以及电极层(10)。在光波导的第二端从活性层(3)的一侧依次具有电介质膜(8)以及金属膜(9)的反射面横穿活性层(3)。
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公开(公告)号：CN104854765B
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201480003463.1
申请日：2014-09-02
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 具备：基板(41)，其由半导体构成；发光部(52)，其具有以基板(41)为基底通过外延生长依次层叠第1导电型半导体层(43)、活性层(44)和第2导电型半导体层(45)的半导体层叠膜(42)，并且由活性层(44)形成条带状的光波导(46)；环状的保护壁(53)，其与发光部(52)相邻地由半导体层叠膜(42)形成，并且包围以基板(41)或第1导电型半导体层(43)为底面的凹部(51)；第1电极(47)，其配置在凹部(51)的底面上；和第2电极(48)，其配置在发光部的上表面。
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公开(公告)号：CN104854766A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201480003304.1
申请日：2014-08-27
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/022
CPC classification number: H01S5/028 , H01S5/0208 , H01S5/02256 , H01S5/042 , H01S5/0425 , H01S5/162 , H01S5/22
Abstract: 半导体激光元件(40)具备：由半导体构成的基板(41)；层叠在基板(41)上并包含活性层(42e)的半导体层叠膜(42)；相对于基板(41)在形成有半导体层叠膜(42)一侧的与活性层(42e)平行的面设置的第1电极(47)以及第2电极(48)；和设置在与活性层(42e)垂直的相对置的两端面(40a、40b)的端面保护膜(55)，在半导体激光元件(40)中，将形成端面保护膜(55)的一个端面(40a)作为半导体激光元件(40)的固定面使用。
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公开(公告)号：CN102088162B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201010574071.4
申请日：2010-12-06
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , H01L2224/49111 , H01S5/0202 , H01S5/0207 , H01S5/02212 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/02461 , H01S5/02476 , H01S5/0425 , H01S5/16 , H01S5/2214 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光器芯片及其制造方法、半导体激光装置。该半导体激光器芯片的散热性能更加改善。该半导体激光器芯片包括：基板，具有前表面和背表面；氮化物半导体层，形成在基板的前表面上；光波导(脊部分)，形成在氮化物半导体层中；n侧电极，形成在基板的背表面上；以及切口部分，形成在包括基板的区域中且沿光波导(脊部分)行进。切口部分具有切口表面，在切口表面上形成连接到n侧电极的金属层。
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公开(公告)号：CN102299481B
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201110173888.5
申请日：2011-06-27
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0014 , H01S5/0655 , H01S5/22 , H01S5/3063 , H01S5/3211 , H01S2301/176
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体激光器芯片及其制造方法，该氮化物半导体激光器芯片以降低的电功耗运行且有助于实现成本降低，且具有：有源层，由氮化物半导体形成；氮化物半导体层，形成在有源层之上；脊部，形成在氮化物半导体层的一部分中；以及导电膜，具有光吸收特性，并且在氮化物半导体层之上至少形成脊部的外侧区域中。脊部的脊宽度为2μm以上且6μm以下。
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