公开(公告)号：CN1542848A

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN200410034329.6

申请日：2004-04-12

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 森本英德

IPC: G11C11/36

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C11/15 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1675

Abstract: 存储单元(33)中可调电阻元件(31)和肖特基二极管(32)彼此串联。在存储器件中，位线(BL0、BL1和BL2)排列在列向，位线(BL)的一端和位线解码器(34)连接，另一端连接读取电路(37)。字线(WL0、WL1和WL2)排列在行向，和位线(BL)交叉，字线(WL)的两端和字线解码器(35和36)连接。换句话说，位线(BL)和字线(WL)以矩阵排列以及存储单元(33)位于位线(BL)和字线(WL)彼此交叉的位置，其构成存储器件。存储单元(33)和存储器件的读取干扰的影响得以减小。

公开(公告)号：CN101331553B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200680046853.2

申请日：2006-11-01

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 森本英德

IPC: G11C13/00 ,  G11C17/14

CPC classification number: G11C17/18 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/77

Abstract: 提供了一种非易失性半导体存储器件，用于抑制由交叉点型存储器阵列的字线或位线处的IR降引起的存储器特性退化。非易失性半导体存储器件包括字线选择电路(14)，该字线选择电路从多个字线选择所选字线，并且单独地将所选字线电压提供给所选字线以及将未选字线电压提供给未选字线；位线选择电路(15)，该位线选择电路从多个位线选择所选位线，并且单独地将所选位线电压提供给所选位线以及将未选位线电压提供给未选位线；和电压控制电路(16)和(17)，所述电压控制电路单独地控制多个字线和多个位线处的电压波动中的至少任一个，其中至少多个字线或多个位线在离连接字线选择电路(14)或位线选择电路(15)的驱动点最远的电压控制点处连接到电压控制电路(16)和(17)。

公开(公告)号：CN101316329B

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN200810131470.6

申请日：2008-05-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 森本英德 ,  松冈伸明

IPC: H04N5/335 ,  H04N3/15

CPC classification number: H04N5/3741 ,  H04N5/3598

Abstract: 本发明涉及固态图像获取设备及电子信息装置。提供了一种固态图像获取设备，并且在3TR结构的像素中，该固态图像获取设备在重置操作时提高信号电荷累积部分的重置电位，从而在信号电荷转移时充分保证在信号电压和重置电压之间的电位差，很容易实现从光电转换元件向信号电荷累积部分信号电荷的全部转移，并且可以得到一个可靠的环境。

公开(公告)号：CN100454439C

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200410008009.3

申请日：2004-03-05

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 森本英德

IPC: G11C16/06

CPC classification number: G11C13/003 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C16/0483 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/75 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1683

Abstract: 本发明的目的在于提供一种高可靠性的非易失性半导体存储装置，该装置使用的NAND型存储器单元适于高集成化，且能实现高速写入和擦除。将多个存储器单元(1)串联连接形成存储器单元串联部(2)，该存储器单元(1)将在半导体衬底上形成的单元晶体管(Tij)和可变电阻元件(Rij)连接起来形成，可变电阻元件(Rij)由电阻值随在单元晶体管(Tij)的源、漏端子间施加电压而变化的含锰的具有钙钛矿结构的氧化物形成，配置多个存储器单元块(3)来构成存储器单元阵列，该存储器单元块(3)是在存储器单元串联部(2)的至少一端设置选择晶体管(Si)来形成的。

公开(公告)号：CN1551240A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410008009.3

申请日：2004-03-05

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 森本英德

IPC: G11C16/06

CPC classification number: G11C13/003 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C16/0483 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/75 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1683

Abstract: 本发明的目的在于提供一种高可靠性的非易失性半导体存储装置，该装置使用的NAND型存储器单元适于高集成化，且能实现高速写入和擦除。将多个存储器单元(1)串联连接形成存储器单元串联部(2)，该存储器单元(1)将在半导体衬底上形成的单元晶体管(Tij)和可变电阻元件(Rij)连接起来形成，可变电阻元件(Rij)由电阻值随在单元晶体管(Tij)的源、漏端子间施加电压而变化的含锰的具有钙钛矿结构的氧化物形成，配置多个存储器单元块(3)来构成存储器单元阵列，该存储器单元块(3)是在存储器单元串联部(2)的至少一端设置选择晶体管(Si)来形成的。

公开(公告)号：CN1510690A

公开(公告)日：2004-07-07

申请号：CN200310122544.7

申请日：2003-12-03

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 森本英德 ,  井上刚至

IPC: G11C16/02 ,  G11C11/40 ,  G11C11/56

CPC classification number: G11C13/0069 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0097 ,  G11C16/3413 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/79

Abstract: 提供一种包括多个存储单元的半导体存储器设备。所述多个存储单元其中一个包括如下的可变电阻器和连接到所述可变电阻器的晶体管，所述可变电阻器的阻值随施加在其上的电压反向变化。