公开(公告)号：CN100533793C

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200710128255.6

申请日：2007-04-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 井口缘 ,  渡边信幸 ,  村上哲朗 ,  智者多永子

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/02 ,  H01L33/025

Abstract: 本发明涉及一种半导体发光元件，其包括：第一导电类型的半导体层；在所述第一导电类型的半导体层上的发光层；在所述发光层上的第二导电类型的半导体层；以及在所述第二导电类型的半导体层上的透光性半导体层。透光性半导体层透过来自发光层的光。所述第二导电类型的半导体层与所述透光性半导体层具有不同的载流子浓度，所述第二导电类型的半导体层的载流子浓度大于所述透光性半导体层的载流子浓度。

公开(公告)号：CN100533791C

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200710084941.8

申请日：2007-02-16

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 村上哲朗 ,  井口缘 ,  渡边信幸 ,  智者多永子

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明涉及发光二极管及其制造方法。该发光二极管包括：p型GaP衬底(12)；层叠于该p型GaP衬底(12)上的p型GaP接触层(13)；p型AlInP第二包层(14)；p型AlGaInP活性层(15)；n型AlInP第一包层(16)；以及n型AlGaAs电流扩散层(17)。p型GaP衬底(12)的侧面全部由切割刀片加工成粗面状。该发光二极管辉度高，其不依赖于材料、面方位，而在任何情况下都能够进行粗面化，能够防止产生特性不良。

公开(公告)号：CN100429796C

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：CN200610159385.1

申请日：2006-07-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 渡边信幸 ,  井口缘 ,  村上哲朗

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明涉及半导体发光元件及其制造方法。半导体发光元件具有第一导电型半导体层(3、4)、形成在上述第一导电型半导体层上的发光层(5)、形成在上述发光层上的第二导电型半导体层(8)、设置在上述第二导电型半导体层(8)上并且使来自上述发光层(5)的光透过的透过性衬底(9)。上述透过性衬底(9)的载体浓度低于上述第二导电型半导体层(8)的载体浓度。

公开(公告)号：CN101093871A

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200710138868.8

申请日：2007-06-20

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 渡边信幸

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/30 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/20

Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件及其制造方法和化合物半导体发光二极管，其使用透过性衬底，能够提高光输出效率。主体(1705)包括：n－Al0.6Ga0.4As电流扩散层(1702)、n－Al0.5In0.5P包层(1703)、AlGaInP活性层(1704)、p－Al0.5In0.5P包层(1705)、p－GaInP中间层(1706)、以及p－GaP接触层(1707)。在主体(1750)之下设置有n－GaP透过性衬底(1701)，在主体(1750)之上设置有p－GaP透过性衬底(1708)。n－GaP透过性衬底(1701)和p－GaP透过性衬底(1708)分别对于AlGaInP发光层(1705)的出射光具有透过性。

公开(公告)号：CN101026218A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200710084941.8

申请日：2007-02-16

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 村上哲朗 ,  井口缘 ,  渡边信幸 ,  智者多永子

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明涉及发光二极管及其制造方法。该发光二极管包括：p型GaP衬底(12)；层叠于该p型GaP衬底(12)上的p型GaP接触层(13)；p型AlInP第二包层(14)；p型AlGaInP活性层(15)；n型AlInP第一包层(16)；以及n型AlGaAs电流扩散层(17)。p型GaP衬底(12)的侧面全部由切割刀片加工成粗面状。该发光二极管辉度高，其不依赖于材料、面方位，而在任何情况下都能够进行粗面化，能够防止产生特性不良。

公开(公告)号：CN1893134A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610100645.8

申请日：2006-06-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 龟谷英司 ,  井口缘织 ,  渡边信幸 ,  村上哲朗

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/16 ,  H01L33/0079

Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件及其制造方法，该半导体发光器件通过层叠包括AlGaInP有源层的外延层(30)和透射从有源层产生的光的第二晶片(23)而形成。外延层(30)和第二晶片(23)的晶轴彼此大致对齐，并关于所述第二晶片(23)的横侧面{100}处于－15°到+15°范围。该具有高外部发射效率的连接型半导体发光器件允许以高产量容易地在整个晶片表面上实现均匀的晶片键合，而不引起接合失效和晶片开裂。

公开(公告)号：CN1770490A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200510118739.3

申请日：2005-10-31

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 井口缘织 ,  梅田浩 ,  仓桥孝尚 ,  渡边信幸 ,  村上哲朗

IPC: H01L33/00

Abstract: 一种半导体发光元件的制造方法，在具有发光层(7)的第一芯片(22)的表面配置对来自发光层(7)的光透明的作为GaP衬底的第二芯片(23)。在夹紧面压5～500kg/cm2的范围内，经由具有应力缓和率1.5～3.0％的缓冲膜(24)对第一及第二芯片(22、23)的接触面作用压缩力，同时，在加热炉中进行加热。可不产生接合不良，而在整个面上接合第一及第二芯片(22、23)。