公开(公告)号：CN1773790A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN200510120290.4

申请日：2005-11-09

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 竹冈忠士 ,  石仓卓郎

IPC: H01S5/00

CPC classification number: H01S5/0021

Abstract: 公开了一种半导体激光器件制造方法，依次包括：第一老化步骤S1、第一检查步骤S2、安装步骤S3、第二老化步骤S4和第二检查步骤S5。由于在半导体激光器芯片上以高温直流电流通电的第一老化步骤S1在安装步骤S3之前执行，因此能够减小安装前半导体激光器芯片的阈值电流和驱动电流。

公开(公告)号：CN1601833A

公开(公告)日：2005-03-30

申请号：CN200410085120.2

申请日：2004-09-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 渡辺昌规 ,  松本晃广 ,  竹冈忠士 ,  国政文枝

IPC: H01S5/16 ,  H01S5/00

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/162 ,  H01S5/2206 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/34326 ,  H01S5/3436 ,  H01S2301/173 ,  H01S2301/18

Abstract: 本发明提供了一种半导体激光器，包括按照该顺序形成在半导体基底上的一下包层，一具有至少一个量子阱层的有源层，以及一上包层，所述半导体激光器具有一窗口区域，该区域包括一所述有源层中量子阱层和与有源层相邻的层在垂直于半导体基底表面的发光端面附近被混合的部分，其中下包层具有一比上包层高的折射率，并且窗口区域中的光强分布在垂直于半导体基底表面的方向上要比在增益区域中的光强分布扩展得更宽，同时还提供了制造该半导体激光器的方法。