公开(公告)号：CN105074876A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201480009856.3

申请日：2014-03-05

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 藤田耕一郎

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/338 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/283 ,  H01L21/28575 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/32133 ,  H01L21/324 ,  H01L21/743 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66462

Abstract: 氮化物半导体器件包括：形成在衬底上的氮化物半导体的第一半导体层(1)；层叠在上述第一半导体层(1)上，形成异质界面(4)的氮化物半导体的第二半导体层(2)；在上述第一半导体层(1)的与上述第二半导体层(2)的异质界面(4)形成的二维电子层(5)；贯通上述第二半导体层(2)到达上述第一半导体层(1)的一部分的凹部(7)；和一部分被埋入到上述凹部(7)内的欧姆电极(6)，上述异质界面(4)与上述欧姆电极(6)中的与上述第二半导体层(2)接触的接触面所成的锐角侧的角度被设定为60°以上且85°以下。由此，降低上述第一半导体层(1)与上述欧姆电极(6)之间的接触电阻。

公开(公告)号：CN104185899A

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201380016278.1

申请日：2013-03-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 安井忠 ,  森下敏 ,  藤田耕一郎 ,  栗田大佑

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L2924/01017

Abstract: 本发明提供能够使氮化物半导体层与欧姆电极的接触电阻降低的氮化物半导体器件。该GaN类HFET在形成在Si衬底(10)上的包括无掺杂GaN层(1)和无掺杂AlGaN层(2)的氮化物半导体叠层体(20)中形成有凹部(106、109)，在该凹部(106、109)中形成有源极电极(11)和漏极电极(12)。在比该由TiAl类材料构成的源极电极(11)以及漏极电极(12)与GaN层(1)的界面(S1、S2)深的区域，具有界面附近的第一氯浓度峰(P11)，在比第一氯浓度峰(P11)深的位置具有氯浓度为1.3×1017cm-3以下的第二氯浓度峰(P22)。

公开(公告)号：CN104115262A

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201380009413.X

申请日：2013-02-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 森下敏 ,  藤田耕一郎

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 氮化物半导体器件包括：衬底(10)；氮化物半导体叠层体(20)；和由TiAl类材料构成的欧姆电极(11、12)。氮化物半导体叠层体(20)具有：形成在上述衬底(10)上的第一氮化物半导体层(1)；和与第一氮化物半导体层(1)形成异质界面的第二氮化物半导体层(2)。该氮化物半导体器件，在从上述欧姆电极(11、12)至上述氮化物半导体叠层体(20)的深度方向的氧浓度分布中，在比上述欧姆电极(11、12)与上述氮化物半导体叠层体(20)的界面更靠上述衬底(10)侧的区域的上述界面附近的位置，具有第一氧浓度峰，在比上述第一氧浓度峰深的位置具有氧浓度为3×1017cm-3以上并且1.2×1018cm-3以下的第二氧浓度峰。

公开(公告)号：CN103597582A

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201280028004.X

申请日：2012-08-08

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 藤井敬久 ,  藤田耕一郎

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/338 ,  H01L29/417 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体装置及其制造方法，所述氮化物半导体装置包括：形成在Si基板（10）上的未掺杂GaN层（1）和未掺杂AlGaN层（2）、以及形成在未掺杂GaN层（1）和未掺杂AlGaN层（2）上的由Ti/Al/TiN构成的欧姆电极（源极（11）、漏极（12））。使所述欧姆电极中的氮浓度在1×1016cm-3以上且1×1020cm-3以下。由此，能够降低氮化物半导体层与欧姆电极的接触电阻。