公开(公告)号：CN106415794B

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201580025673.5

申请日：2015-04-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 森下敏 ,  安井忠 ,  木下多贺雄 ,  佐藤知稔

IPC: H01L21/301 ,  B24B27/06

Abstract: 半导体晶片(1)包括：衬底(23)；层叠在衬底(23)上的GaN类半导体膜(24)；设置在GaN类半导体膜(24)上的多个元件区域；层叠在GaN类半导体膜(24)上的电介质膜(25)；和以划分上述元件区域的方式不贯通上述电介质膜地设置成格子状的具有切割槽(27)的切割区域(21)。而且，在切割槽(27)的底面(27a)，切割槽(27)的元件区域侧的端部高于或低于切割槽(27)的宽度方向(W)的中央部。

公开(公告)号：CN104185899A

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201380016278.1

申请日：2013-03-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 安井忠 ,  森下敏 ,  藤田耕一郎 ,  栗田大佑

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L2924/01017

Abstract: 本发明提供能够使氮化物半导体层与欧姆电极的接触电阻降低的氮化物半导体器件。该GaN类HFET在形成在Si衬底(10)上的包括无掺杂GaN层(1)和无掺杂AlGaN层(2)的氮化物半导体叠层体(20)中形成有凹部(106、109)，在该凹部(106、109)中形成有源极电极(11)和漏极电极(12)。在比该由TiAl类材料构成的源极电极(11)以及漏极电极(12)与GaN层(1)的界面(S1、S2)深的区域，具有界面附近的第一氯浓度峰(P11)，在比第一氯浓度峰(P11)深的位置具有氯浓度为1.3×1017cm-3以下的第二氯浓度峰(P22)。

公开(公告)号：CN106415794A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201580025673.5

申请日：2015-04-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 森下敏 ,  安井忠 ,  木下多贺雄 ,  佐藤知稔

IPC: H01L21/301 ,  B24B27/06

CPC classification number: H01L21/78 ,  B24B27/06 ,  B24B37/105 ,  H01L21/31116 ,  H01L22/14 ,  H01L23/544 ,  H01L29/2003 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体晶片(1)包括：衬底(23)；层叠在衬底体膜(24)上的多个元件区域；层叠在GaN类半导体膜(24)上的电介质膜(25)；和以划分上述元件区域的方式不贯通上述电介质膜地设置成格子状的具有切割槽(27)的切割区域(21)。而且，在切割槽(27)的底面(27a)，切割槽(27)的元件区域侧的端部高于或低于切割槽(27)的宽度方向(W)的中央部。(23)上的GaN类半导体膜(24)；设置在GaN类半导

公开(公告)号：CN104185899B

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201380016278.1

申请日：2013-03-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 安井忠 ,  森下敏 ,  藤田耕一郎 ,  栗田大佑

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L2924/01017

Abstract: 本发明提供能够使氮化物半导体层与欧姆电极的接触电阻降低的氮化物半导体器件。该GaN类HFET在形成在Si衬底(10)上的包括无掺杂GaN层(1)和无掺杂AlGaN层(2)的氮化物半导体叠层体(20)中形成有凹部(106、109)，在该凹部(106、109)中形成有源极电极(11)和漏极电极(12)。在比该由TiAl类材料构成的源极电极(11)以及漏极电极(12)与GaN层(1)的界面(S1、S2)深的区域，具有界面附近的第一氯浓度峰(P11)，在比第一氯浓度峰(P11)深的位置具有氯浓度为1.3×1017cm‑3以下的第二氯浓度峰(P22)。