公开(公告)号：CN100477417C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200510062789.4

申请日：2005-03-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 筱原久幸 ,  辻亮 ,  伊藤隆 ,  西山伸宏

IPC: H01S5/00 ,  G11B7/125

Abstract: 本发明提供一种半导体激光装置，包括：具有搭载半导体激光芯片的板状搭载部和与此搭载部相连延伸的引线部的第1引线、沿着上述第1引线的引线部延伸的第2引线、将上述第1引线和第2引线保持成一体的由绝缘性材料构成的保持部。上述第1引线的搭载部的背面从上述保持部露出。另外，第1引线具有沿着上述搭载部的背面、从上述搭载部突出出来的系杆部。

公开(公告)号：CN1881718A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200610092557.8

申请日：2006-06-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 西山伸宏

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01S5/026

Abstract: 本发明公开了一种半导体激光装置，其中第一反射表面设置在从半导体激光元件发射的监测光的光轴上，第二反射表面设置盖部分的内表面上。第一反射表面是倾斜的，从而在光轴上行进的监测光在第一反射表面反射，然后被第二反射表面反射以作为第二反射光入射到光接收元件的光接收表面。因此，光接收表面不但由偏离光轴行进的监测光直接从半导体激光元件入射到，而且由强度比偏离光轴行进的光更大的第二反射光入射到。本发明增加由光接收表面所接收的光的量，从而增加光接收元件的输出，基于此适当地控制驱动电流。

公开(公告)号：CN1246941C

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN200310104673.3

申请日：2003-10-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 西山伸宏 ,  栗田贤一

IPC: H01S5/022 ,  G11B7/125

CPC classification number: H01S5/0683 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48139 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/02476 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/4087

Abstract: 本发明揭示一种半导体激光装置，包括具有第1安装面10a及第2安装面10b的基板10、以及安装在第1安装面10a上并与监视用光电二极管4分开的辅助安装板3，在该辅助安装板3上安装激光二极管1。监视用光电二极管4安装在第2安装面10b上，将监视用发光二极管4上形成的电极4a用作为与激光二极管1的上部电极连接的金属线5a的中继电极。