公开(公告)号：CN113345914A

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN202110227439.8

申请日：2021-03-01

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 菊池哲郞 ,  大东彻 ,  铃木正彦 ,  西宫节治 ,  原健吾 ,  高畑仁志

IPC: H01L27/12 ,  H01L27/32

Abstract: 有源矩阵基板具有多个像素区域，其包括基板、与各像素区域对应设置的像素TFT以及与像素TFT电连接的像素电极。像素TFT为具有氧化物半导体层、设置在氧化物半导体层之上的栅极绝缘层和以隔着栅极绝缘层与氧化物半导体层相对的方式配置的栅极的顶栅结构TFT。栅极绝缘层由氧化硅形成。栅极绝缘层包括与氧化物半导体层接触的下层和位于下层之上的上层。下层所含的氢相对于氮的原子数比即下层H/N比为1.5以上且5.0以下。上层所含的氢相对于氮的原子数比即上层H/N比为0.9以上且2.0以下。下层H/N比大于上层H/N比。

公开(公告)号：CN113540122B

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202110397004.8

申请日：2021-04-13

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原健吾 ,  大东彻 ,  菊池哲郞 ,  铃木正彦 ,  西宫节治 ,  高畑仁志

IPC: H01L27/12 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

Abstract: 有源矩阵基板具备多条源极总线以及多条栅极总线；多个氧化物半导体TFT，分别包括多个像素TFT以及多个电路TFT，各氧化物半导体TFT有氧化物半导体层和栅极，多个氧化物半导体TFT包括多个第一TFT和多个第二TFT和/或多个第三TFT，各第一TFT具有第一遮光结构，其以从基板的法线方向观察时与沟道区域的整体重叠的方式在氧化物半导体层和基板之间配置有第一遮光层，各第二TFT具有在氧化物半导体层和基板之间未配置遮光层的第二遮光结构，各第三TFT具有第三遮光结构，其以从基板的法线方向观察时仅与沟道区域的一部分重叠的方式在各氧化物半导体层和基板之间配置有第二遮光层，多个第一TFT包含多个像素TFT，多个第二TFT和/或多个第三TFT包含多个电路TFT的至少一部分。

公开(公告)号：CN113345914B

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202110227439.8

申请日：2021-03-01

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 菊池哲郞 ,  大东彻 ,  铃木正彦 ,  西宫节治 ,  原健吾 ,  高畑仁志

IPC: H01L27/12 ,  H10K59/12 ,  H10K59/123

Abstract: 有源矩阵基板具有多个像素区域，其包括基板、与各像素区域对应设置的像素TFT以及与像素TFT电连接的像素电极。像素TFT为具有氧化物半导体层、设置在氧化物半导体层之上的栅极绝缘层和以隔着栅极绝缘层与氧化物半导体层相对的方式配置的栅极的顶栅结构TFT。栅极绝缘层由氧化硅形成。栅极绝缘层包括与氧化物半导体层接触的下层和位于下层之上的上层。下层所含的氢相对于氮的原子数比即下层H/N比为1.5以上且5.0以下。上层所含的氢相对于氮的原子数比即上层H/N比为0.9以上且2.0以下。下层H/N比大于上层H/N比。

公开(公告)号：CN113540122A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110397004.8

申请日：2021-04-13

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原健吾 ,  大东彻 ,  菊池哲郞 ,  铃木正彦 ,  西宫节治 ,  高畑仁志

IPC: H01L27/12 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

Abstract: 有源矩阵基板具备多条源极总线以及多条栅极总线；多个氧化物半导体TFT，分别包括多个像素TFT以及多个电路TFT，各氧化物半导体TFT有氧化物半导体层和栅极，多个氧化物半导体TFT包括多个第一TFT和多个第二TFT和/或多个第三TFT，各第一TFT具有第一遮光结构，其以从基板的法线方向观察时与沟道区域的整体重叠的方式在氧化物半导体层和基板之间配置有第一遮光层，各第二TFT具有在氧化物半导体层和基板之间未配置遮光层的第二遮光结构，各第三TFT具有第三遮光结构，其以从基板的法线方向观察时仅与沟道区域的一部分重叠的方式在各氧化物半导体层和基板之间配置有第二遮光层，多个第一TFT包含多个像素TFT，多个第二TFT和/或多个第三TFT包含多个电路TFT的至少一部分。

公开(公告)号：CN111580315A

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN202010092392.4

申请日：2020-02-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 西宫节治 ,  大东彻 ,  今井元 ,  菊池哲郎 ,  铃木正彦 ,  上田辉幸 ,  山中昌光 ,  原健吾 ,  高畑仁志

IPC: G02F1/1362 ,  H01L27/12

Abstract: 一种有源矩阵基板和具备其的液晶显示装置，有源矩阵基板(10)具备：开关元件(120)，其连接到设置在基板上的栅极线和数据线；像素电极(130)，其与开关元件(120)连接；相对电极(140)，其在俯视时与像素电极(130)重叠；平坦化膜(154)；以及配线(142)。平坦化膜(154)覆盖开关元件(120)，在俯视时与配线(142)重叠的位置形成有贯通平坦化膜(154)的第1接触孔(CH1)。像素电极(130)和相对电极(140)以覆盖平坦化膜(154)的一部分的方式配置。在第1接触孔(CH1)中，相对电极控制配线(142)与相对电极(140)连接。

公开(公告)号：CN110875336A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910800912.X

申请日：2019-08-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 高畑仁志 ,  大东彻 ,  今井元 ,  菊池哲郎 ,  原健吾 ,  铃木正彦 ,  西宫节治 ,  上田辉幸 ,  山中昌光 ,  原义仁

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1362

Abstract: 一种有源矩阵基板、显示装置以及有源矩阵基板的制造方法，能够实现具备有机绝缘膜(OIL)、以及被两层配线化的第1源极层(FSL2～FSL4)和第2源极层(SSL1～SSL3)的、成品率高的有源矩阵基板(1)。在有源矩阵基板(1)中，第1源极层(FSL2～FSL4)和第2源极层(SSL1～SSL3)中的、配置为离基板(2)更远的第2源极层(SSL1～SSL3)隔着第2无机绝缘膜(SINOIL)与有机绝缘膜(OIL)接触。