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公开(公告)号:CN114885504A
公开(公告)日:2022-08-09
申请号:CN202210518223.1
申请日:2022-05-12
Applicant: 广州美维电子有限公司
IPC: H05K3/00
Abstract: 本发明公开了一种微盲孔镭射对位方法及系统,所述方法包括以下步骤:通过镭射机去除印制板的内层对位靶标上的表铜以及第一设定厚度的第一树脂介质层,所述对位靶标上覆盖有第二设定厚度的第二树脂介质层;根据所述第二树脂介质层,通过曝光机抓取所述对位靶标位置并制作出盲孔开口图像;根据所述盲孔开口图像,通过镭射机烧蚀第二树脂介质层,得到与所述盲孔开口图像一致的盲孔。本发明通过在制作盲孔开口图像时,根据所述对位靶标位置进行对位,制作出盲孔开口图像,实现了盲孔精确定位;同时,在盲孔显影后,只需在第二树脂介质层上通过小能量烧蚀成孔,不会使盲孔孔径偏大,保证了盲孔品质。
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公开(公告)号:CN118275856A
公开(公告)日:2024-07-02
申请号:CN202410198453.3
申请日:2024-02-22
Applicant: 广州美维电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种针对嵌埋内置元件的PCB板失效分析方法,涉及PCB板失效分析技术领域,旨在解决导致元件出现裂纹,导致失效结果失真的问题,其技术方案要点是:包括如下步骤:步骤一:分析电测数据和线路网络设计,锁定失效网络并使用万用表测量确认。本发明通过采用逐层平磨的方式逐层分析PCB板,可以规避用切片分析的方式对元件的损伤,而且观察的视野宽阔,可以观察到整个PCB整个平面的线路状况,适用于使用嵌埋内置元件新封装技术的PCB板失效分析,且该分析方法按照逐层逐一分析的方式刨析,不仅可以分析PCB,还可以精确分析到元件的失效原因,针对元件的失效采用先热成像再去层的方式进行,使分析更加具有针对性,大大提高了失效分析效率。
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公开(公告)号:CN117858382A
公开(公告)日:2024-04-09
申请号:CN202311577786.9
申请日:2023-11-23
Applicant: 广州美维电子有限公司
Abstract: 本发明提供了一种有阶梯槽及嵌埋内置元件的封装方法,包括以下步骤:S1、芯板层依次经过贴膜、曝光、显影、蚀刻和褪膜流程,完成芯板层图形转移;S2、芯板进行铣槽处理;S3、芯板Top面需要封装位置贴保护胶带;S4、芯板层背面用贴胶机贴高温胶带;S5、贴元器件,元件通过通槽底部胶带固定;S6、芯板层Top面排板,盖上粘结片及铜箔,经高温压合后粘结片的流胶将通槽与元器件之间的缝隙填满;S7、撕掉芯板层背面的高温胶带。本发明通过阶梯槽的方式嵌入元件,可以从根因上解决元件受结构不对称产生的应力影响而造成元件弯折甚至开裂的风险,达到堆叠封装的效果,使封装体的立体空间更薄。
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公开(公告)号:CN112291927A
公开(公告)日:2021-01-29
申请号:CN202010943954.1
申请日:2020-09-09
Applicant: 安捷利美维电子(厦门)有限责任公司 , 广州美维电子有限公司
Abstract: 本发明涉及PCB板封装技术领域,公开了一种元件嵌入式封装方法及集成电路构件,包括以下步骤:在芯板上开设通槽;在芯板下表面覆盖定位层,将元件定位;使用第一填充层对通槽上表面进行填充,使用第二填充层对芯板上表面进行填充;去掉芯板下表面的定位层;使用第三填充层对通槽下表面进行填充,使用第四填充层对芯板下表面进行填充;在第二填充层和第四填充层的外侧分别设置介电层和介电层导电线路;钻孔;对钻孔的内表面进行导电处理。其有益效果在于,在PCB板的压制工艺中增加局部补强填充的方法,局部范围内有针对性地对元件与槽腔之间纵深比较大的缝隙进行补充填充,较小面积的补强胶层既增加了填充量也改善了填充均匀性。
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公开(公告)号:CN102711394A
公开(公告)日:2012-10-03
申请号:CN201210212052.6
申请日:2012-06-25
Applicant: 广州美维电子有限公司
IPC: H05K3/42
Abstract: 本发明公开一种用于电路板的电镀互连加工工艺:包括如下步骤:A.在电路板上钻导通孔;B.对导通孔内壁进行等离子除胶;C.对导通孔内壁进行玻纤蚀刻;D.对导通孔内壁进行化学除胶,将树脂复合层的内壁粗糙化;E.沉铜电镀。通过等离子除胶可将内壁处的树脂咬蚀,并利用玻纤蚀刻将外穿出的玻璃纤维蚀刻掉,最后再结合化学除胶,从而有效解决除胶不净的问题,而且,通过该工艺还可形成内铜层嵌入电镀铜层的结构,从而扩大两者的接触面积,增大两者的结合力,并可减少内铜层与电镀铜层分离现象的出现,提高电路板电气功能的稳定性。
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公开(公告)号:CN222053460U
公开(公告)日:2024-11-22
申请号:CN202420181607.3
申请日:2024-01-24
Applicant: 广州美维电子有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种高集成度高可靠性的内埋电容滤波板结构,涉及功率半导体芯片封装技术领域,旨在解决现有滤波电容占用了转接板表面大量的贴装面积的问题,其技术方案要点是:包括滤波板主体,滤波板主体由8层HDI板压合制成,HDI板为3阶HDI板,滤波板主体内装设有若干滤波电容;若干滤波电容呈矩阵式排列,相邻滤波电容之间宽边方向中心间距1.0mm、长边方向中心间距2.0mm,且每个滤波电容之间并联。本申请节约了表面贴装面积,占比约30%,产品表面可用于贴装更多其他类型的元器件,可以实现更加复杂的产品功能性,且可集成的滤波电容数量多,过滤杂质波性能更显著。
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公开(公告)号:CN213755117U
公开(公告)日:2021-07-20
申请号:CN202021960696.X
申请日:2020-09-09
Applicant: 安捷利美维电子(厦门)有限责任公司 , 广州美维电子有限公司
Abstract: 本实用新型涉及PCB板封装技术领域,公开了一种多元件同槽封装的集成电路构件,包括芯板,至少一个通槽,设置在通槽中的一个以上的元件,元件铜柱朝向不同,设置在芯板上表面的第一填充层,设置在芯板下表面的第二填充层,设置在芯板上表面第一填充层和下表面第二填充层外侧的介电层,设置在介电层的外侧面上的第一导电线路,穿过填充层和介电层分别与元件和上部第一导电线路电性连接的第二导电线路,穿过填充层和介电层分别与元件和下部第一导电线路电性连接的第三导电线路。其有益效果在于,在单一槽内同时埋置多个不同面次朝向元件的工艺,实现增层的两个面可以分别与元件互连,且流程简单易操作,互连灵活,减小了产品体积,提高产品集成度。
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公开(公告)号:CN221202881U
公开(公告)日:2024-06-21
申请号:CN202322895463.6
申请日:2023-10-26
Applicant: 广州美维电子有限公司
IPC: H05K3/00
Abstract: 本实用新型提供了一种散热铜基的棕化托盘治具,包括载板组件,所述载板组件包括盖板、芯板和底板;所述芯板设于所述盖板的底部,所述底板采用AB胶粘接于所述芯板的底部,所述盖板、芯板和底板上均匀开设有通槽,所述芯板的原材料为双面覆铜板,包括上/下铜箔及中间介质层,所述中间介质层由十张半固化片叠合后高温压合形成,所述盖板和底板上均匀一体成型有十字形连接筋;本实用新型通过利用十字形连接筋支撑铜块,以便大幅度减小棕化过程中铜块底部的遮挡面积,使棕化药水能够畅通地循环交换,铜块下表面也能够被顺利棕化上,消除了因铜块下表面棕化不良而与环氧树脂的接触界面结合力低导致的爆板开裂风险。
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公开(公告)号:CN213694310U
公开(公告)日:2021-07-13
申请号:CN202021960772.7
申请日:2020-09-09
Applicant: 安捷利美维电子(厦门)有限责任公司 , 广州美维电子有限公司
IPC: H05K1/18
Abstract: 本实用新型涉及PCB板封装技术领域,公开了一种元件嵌入式封装填充结构,包括:芯板,至少一个通槽,设置在通槽中的元件,设置在通槽上开口的第一填充层,设置在芯板上表面第一填充层外侧的第二填充层,设置在通槽下开口的第三填充层,设置在芯板下表面第三填充层外侧的第四填充层,设置在芯板上表面的第二填充层和下表面的第四填充层外侧的介电层,设置在介电层的外侧面上的第一导电线路,穿过填充层和介电层分别与元件和第一导电线路电性连接的第二导电线路。其有益效果在于:在PCB板的压制工艺中增加局部补强填充,局部范围内有针对性地对元件与槽腔之间纵深比较大的缝隙进行补充填充,较小面积的补强胶层既增加了填充量也改善了填充均匀性。
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公开(公告)号:CN221553571U
公开(公告)日:2024-08-16
申请号:CN202323176901.X
申请日:2023-11-23
Applicant: 广州美维电子有限公司
IPC: H05K3/38
Abstract: 本实用新型公开了一种棕化铜块的载板治具,涉及散热金属片技术领域,旨在解决现有的治具对待棕化铜块的棕化效果差及待棕化铜块边沿棕化不良的问题,其技术方案要点是:包括载板金属块、呈矩形阵列开设在所述载板金属块上的多个凹槽,所述凹槽为正方形结构,且凹槽的内侧装设有金属片;所述金属片的上表面开设有五个通孔;所述金属片与所述凹槽之间连接有多个连接筋。本实用新型治具的凹槽镂空面积大,可大幅度加快棕化过程中药水的循环速度,整个铜块的棕化效果增强,凹槽仅正中间8x8mm区域会有棕化不良,距离铜块边沿宽度1.5mm范围内均有良好棕化效果,解决了因溢胶导致的待棕化铜块边沿棕化不良问题。
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