-
-
公开(公告)号：CN117596784A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311408537.7
申请日：2023-10-26
Applicant: 广州美维电子有限公司
Abstract: 本发明提供了一种小阶梯槽PCB板的制造方法，包括以下步骤：S1、按照对拼的拼版设计，将阶梯槽按照对拼设计，并将同一列的阶梯槽串联成长条状；S2、对芯板层进行处理，完成芯板层图形转移；S3、贴保护胶带；S4、对上下两面排板处理，盖上粘结片及铜箔，并进行高温压合形成增层；本发明通过降低阶梯槽的尺寸宽度，可用于贴装小尺寸的元件，实现PCB高集成化；本发明通过将每个Unit的阶梯槽对拼及串联设计，阶梯槽废料的宽度变大长度变长，并结合使用预锣与镊子揭盖的方式，避免了出现单Unit独立废料面积小而无法揭盖的情况发生；本发明通过将阶梯槽串联设计，可一次性揭盖多个Unit，大大提高了揭盖的效率。
-
公开(公告)号：CN115841959A
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202310156565.8
申请日：2023-02-23
Applicant: 广州美维电子有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L21/60 , H01L21/50 , H01L21/48 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/498 , H01L23/31
Abstract: 本申请提供了一种大功率芯片的封装结构及方法，将大功率芯片使用高铅锡膏或烧结银固定在所述散热金属体的上表面的凹槽中再封装进PCB基板的腔体中，该结构通过嵌埋铜块、200um盲孔和150um盲孔，实现双面散热，可靠性大幅度提升，使用寿命大幅度延长；通过200um盲孔和150um盲孔传输电信号，电阻率低传输路径短，大幅度提升了模块的功率转换效率节约了汽车能源；模块集成度高，布线更加紧凑密集；以厚度1.2mm铜块作为功率芯片衬底，避免受基板翘曲等应力影响损伤芯片，大幅度提升了芯片及模块的整体安全性。经实践测试，本申请的大功率芯片的封装特别适用于新一代碳化硅和氮化镓高频芯片。
-
公开(公告)号：CN102711394B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201210212052.6
申请日：2012-06-25
Applicant: 广州美维电子有限公司
IPC: H05K3/42
Abstract: 本发明公开一种用于电路板的电镀互连加工工艺：包括如下步骤：A．在电路板上钻导通孔；B．对导通孔内壁进行等离子除胶；C．对导通孔内壁进行玻纤蚀刻；D．对导通孔内壁进行化学除胶，将树脂复合层的内壁粗糙化；E．沉铜电镀。通过等离子除胶可将内壁处的树脂咬蚀，并利用玻纤蚀刻将外穿出的玻璃纤维蚀刻掉，最后再结合化学除胶，从而有效解决除胶不净的问题，而且，通过该工艺还可形成内铜层嵌入电镀铜层的结构，从而扩大两者的接触面积，增大两者的结合力，并可减少内铜层与电镀铜层分离现象的出现，提高电路板电气功能的稳定性。
-
公开(公告)号：CN114885504B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202210518223.1
申请日：2022-05-12
Applicant: 广州美维电子有限公司
IPC: H05K3/00
Abstract: 本发明公开了一种微盲孔镭射对位方法及系统，所述方法包括以下步骤：通过镭射机去除印制板的内层对位靶标上的表铜以及第一设定厚度的第一树脂介质层，所述对位靶标上覆盖有第二设定厚度的第二树脂介质层；根据所述第二树脂介质层，通过曝光机抓取所述对位靶标位置并制作出盲孔开口图像；根据所述盲孔开口图像，通过镭射机烧蚀第二树脂介质层，得到与所述盲孔开口图像一致的盲孔。本发明通过在制作盲孔开口图像时，根据所述对位靶标位置进行对位，制作出盲孔开口图像，实现了盲孔精确定位；同时，在盲孔显影后，只需在第二树脂介质层上通过小能量烧蚀成孔，不会使盲孔孔径偏大，保证了盲孔品质。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117476470A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311836455.2
申请日：2023-12-28
Applicant: 广州美维电子有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/373 , H01L23/367 , C25D7/00 , C25D5/34 , C25D5/48
Abstract: 本发明提供了一种选镀金的大功率芯片散热铜基制作工艺，包括以下步骤：S1、铜板研磨；S2、铜板铣槽‑形成阶梯槽；本发明通过在铜块阶梯槽底部电镀厚度0.2um以上的金层，在金层上完成芯片的银烧结后做芯片推力测试，达到≥40MPa的结合力要求，芯片与散热铜基稳固粘接；二、本发明阶梯槽底部的金面化学稳定性高，可以在外界环境中长时间存放而不氧化，解决了此前阶梯槽底铜面易氧化导致可焊性差的问题。本发明利用金元素不与棕化药水发生化学反应，因此选镀金的散热铜基允许在烧结前做棕化处理，这样既保证了阶梯槽底部具有良好的可烧结性，又确保了内埋铜基表面为棕化铜层，与PCB板半固化树脂之间有稳固的结合力，保证了产品可靠性。
-
公开(公告)号：CN115841959B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310156565.8
申请日：2023-02-23
Applicant: 广州美维电子有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L21/60 , H01L21/50 , H01L21/48 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/498 , H01L23/31
Abstract: 本申请提供了一种大功率芯片的封装结构及方法，将大功率芯片使用高铅锡膏或烧结银固定在所述散热金属体的上表面的凹槽中再封装进PCB基板的腔体中，该结构通过嵌埋铜块、200um盲孔和150um盲孔，实现双面散热，可靠性大幅度提升，使用寿命大幅度延长；通过200um盲孔和150um盲孔传输电信号，电阻率低传输路径短，大幅度提升了模块的功率转换效率节约了汽车能源；模块集成度高，布线更加紧凑密集；以厚度1.2mm铜块作为功率芯片衬底，避免受基板翘曲等应力影响损伤芯片，大幅度提升了芯片及模块的整体安全性。经实践测试，本申请的大功率芯片的封装特别适用于新一代碳化硅和氮化镓高频芯片。
-
公开(公告)号：CN116489878A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310276881.9
申请日：2023-03-20
Applicant: 广州美维电子有限公司
Abstract: 本发明提供一种可增层嵌埋内置元件的电路板结构，包括芯板层以及多个增层结构，相邻增层结构之间的网络导通连接；增层结构包括：多个元器件、增层芯板、铜箔以及填胶层，各元器件的厚度偏差小于25um，增层芯板对应各元器件开设有通孔且增层芯板的厚度与各元器件的厚度适配。本发明还提供制造上述电路板结构的制作方法，本方案通过上述设置，所有元器件都可以通过盲孔双面连接PCB网络并扇出信号，使产品复杂的布线和网络设计得以利用；同时同一增层内埋入的元器件厚度差小于25um，使得不同元器件所处空腔所需的填胶量差别不大，消除了元器件上方填胶不足产生空洞以及元器件周边区域介电层厚度不足的风险。
-
公开(公告)号：CN116435203A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310203885.4
申请日：2023-03-03
Applicant: 广州美维电子有限公司
IPC: H01L21/603 , H05K3/46 , H05K1/11
Abstract: 本发明公开了一种导电胶及铜柱双面扇出的IC封装工艺，将第一芯板、第二芯板和第三芯板进行蚀刻，用点胶机在第一芯板上点胶；将各元器件贴装到第一芯板上；胶水固化后，进行第二芯板及第一PP、第二PP的开槽；按照第一芯板、第一PP、第二芯板、第二PP、第三芯板的次序依次从下到上排板，压合形成L2/5层芯板；做激光钻预处理并加工激光钻盲孔，将其上的盲孔电镀填平；L2/5层芯板做图形转移，形成L2/5层电路图形并在在L2/5层芯板上各排一张PP和铜箔，进压机高温压合形成L1/6层板；做激光钻预处理并加工激光钻盲孔并进行盲孔电镀填平，在L1/6层板图形转移，形成L1/6层电路图形。寄生电感低，适用于新一代的碳化硅和氮化镓高频芯片，减少了电路能源损耗。
-
公开(公告)号：CN116156791A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310156575.1
申请日：2023-02-23
Applicant: 广州美维电子有限公司
Abstract: 本申请提供一种在芯板层及增层均埋入元器件的PCB板结构及其制作方法，按照厚度范围将不同厚度的芯片分成若干组；将厚度低于内层芯板的第1厚度范围的芯片嵌埋于内层芯板所在层的第1腔体，然后制作第1增层，第1增层是第1厚度范围内的芯片的导电和/或散热层，将第2厚度范围的芯片埋设在第1增层厚度范围内的第2腔体，依次类推，将不同厚度的芯片分批次埋入，可实现充分布线和提升产品的空间利用率，解决了空腔上方填胶空洞和靠近空腔位置介电层厚度偏薄的问题；所有内埋元件上下各层均基本对称，避免了元件弯折甚至开裂的风险。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
23
records
(took 0.037 seconds)
