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公开(公告)号：CN109824085B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201910247992.0
申请日：2019-03-29
Applicant: 四川大学 , 广州天极电子科技股份有限公司
IPC: C01G25/00 , C04B35/48 , C04B35/622 , C04B35/634
Abstract: 本发明所述纯钙钛矿相锆酸钙纳米微粉制备方法，步骤如下：(1)用水溶性钙盐、水溶性锆盐配制成含Ca2+和Zr4+的水溶液，然后将单体丙烯酰胺和交联剂N,N’‑亚甲基双丙烯酰胺加入含Ca2+和Zr4+的水溶液中，搅拌混合至完全溶解得到溶液A；将引发剂偶氮二异丁腈溶于乙醇、去离子水和冰乙酸组成的混合溶剂中，得到溶液B；将溶液B加入溶液A中，搅拌10～30min，得到CaZrO3的前驱物溶液；(2)将CaZrO3的前驱物溶液进行聚合反应，得到CaZrO3的前驱物湿凝胶；(3)将CaZrO3的前驱物湿凝胶进行干燥得到干凝胶，将干凝胶放入烧结炉于1250～1350℃保温焙烧至少3h，随炉冷却至室温得到纯钙钛矿相锆酸钙纳米微粉。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113012939A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110202386.4
申请日：2021-02-22
Applicant: 四川大学 , 广州天极电子科技股份有限公司
Abstract: 本发明所述高耐电压低损耗硅基薄膜电容器，从下至上依次由下电极‑低阻硅衬底‑电介质薄膜‑上电极组成并结合成一体，或者从下至上依次由下电极‑低阻硅衬底‑LaNiO3过渡层‑电介质薄膜‑下电极组成并结合成一体，所述电介质薄膜为Ca1‑xSrxZr1‑y‑zTiyMzO3薄膜。本发明所述高耐电压低损耗硅基薄膜电容器的制备方法，首先在清洁后的低阻硅衬底顶面进行凹槽切割，使该被切割面形成由横向凹槽和纵向凹槽分隔成的多个方格状低阻硅平面，然后采用射频磁控溅射法在被切割面制备电介质薄膜，或者依次制备LaNiO3过渡层和电介质薄膜，经退火处理后采用射频磁控溅射法与电镀法制备上电极层并将上电极层图形化，再用射频磁控溅射法制备下电极层，然后经划片得到硅基薄膜电容器。
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公开(公告)号：CN113012939B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202110202386.4
申请日：2021-02-22
Applicant: 四川大学 , 广州天极电子科技股份有限公司
Abstract: 本发明所述高耐电压低损耗硅基薄膜电容器，从下至上依次由下电极‑低阻硅衬底‑电介质薄膜‑上电极组成并结合成一体，或者从下至上依次由下电极‑低阻硅衬底‑LaNiO3过渡层‑电介质薄膜‑下电极组成并结合成一体，所述电介质薄膜为Ca1‑xSrxZr1‑y‑zTiyMzO3薄膜。本发明所述高耐电压低损耗硅基薄膜电容器的制备方法，首先在清洁后的低阻硅衬底顶面进行凹槽切割，使该被切割面形成由横向凹槽和纵向凹槽分隔成的多个方格状低阻硅平面，然后采用射频磁控溅射法在被切割面制备电介质薄膜，或者依次制备LaNiO3过渡层和电介质薄膜，经退火处理后采用射频磁控溅射法与电镀法制备上电极层并将上电极层图形化，再用射频磁控溅射法制备下电极
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公开(公告)号：CN109637809B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN201811570188.8
申请日：2018-12-21
Applicant: 广州天极电子科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种陶瓷储能电容器及其制备方法。通过在陶瓷基片两面各包覆一层极薄的氧化物介质薄膜，在制备出的陶瓷储能电容器厚度较薄的情况下还能够保持电容器的电容量基本不变；本发明采用的氧化物介质薄膜的导热性比高分子材料导热性好，能够降低储能电容器重复使用过程中的热量积累，同时氧化物介质薄膜能适应更高的温度，降低了对使用环境的温度要求。此外，采用本发明方法制备出来的氧化物介质薄膜较致密，起到阻挡作用，能很好地解决储能电容器在重复循环使用过程中，电容器自身漏电流逐渐增大的问题，从而减小储能电容器在充放电循环过程中自身的漏电流变化，在能量释放过程中，维持相同的峰值电流。
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公开(公告)号：CN110335730B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN201910383849.4
申请日：2019-05-09
Applicant: 广州天极电子科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及电阻元件技术领域，尤其涉及一种薄膜电阻器及其制备方法。本发明提供的薄膜电阻器，包括基板、薄膜电阻层和电极层；所述薄膜电阻层包括NbN薄膜层和TaN薄膜层；所述NbN薄膜层与基板接触，所述TaN薄膜层与电极层接触。本发明所述的薄膜电阻层通过将NbN薄膜和TaN薄膜复合，可以显著提高氮化钽电阻材料的功率密度；根据实施例的记载，本发明所述的薄膜电阻器的功率密度可达到12.2～17.6W/mm2，较TaN薄膜单独作为电阻材料层时的功率密度提高了50～120％。
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公开(公告)号：CN110349750B
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201910623375.6
申请日：2019-07-10
Applicant: 四川大学 , 广州天极电子科技股份有限公司
Abstract: 本发明所述提高强电场下电介质薄膜器件工作电压的方法，是通过射频磁控溅射法在电介质薄膜与金属电极之间制备一层纳米级厚度的氧化物绝缘层，形成金属电极‑氧化物绝缘层‑电介质薄膜‑氧化物绝缘层‑金属电极结构的电介质薄膜器件，或者形成金属电极‑氧化物绝缘层‑LaNiO3过渡层‑电介质薄膜‑氧化物绝缘层‑金属电极结构的电介质薄膜器件。制备氧化物绝缘层的氧化物为SrTiO3、CaZrO3、SrZrO3中的一种。采用本发明所述方法，在电介质薄膜器件中引入了纳米级厚度的氧化物绝缘层，因而能有效抑制强电场作用下由金属电极向电介质薄膜的电荷注入而引起的薄膜漏电流增大，提高电介质薄膜器件在强电场下的工作电压。
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