公开(公告)号：CN110349750B

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN201910623375.6

申请日：2019-07-10

Applicant: 四川大学 ,  广州天极电子科技股份有限公司

Inventor： 余萍 ,  陈潇洋 ,  张仪 ,  丁明建 ,  庄彤 ,  莫桃兰

IPC: H01G4/33 ,  H01G4/12 ,  C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明所述提高强电场下电介质薄膜器件工作电压的方法，是通过射频磁控溅射法在电介质薄膜与金属电极之间制备一层纳米级厚度的氧化物绝缘层，形成金属电极‑氧化物绝缘层‑电介质薄膜‑氧化物绝缘层‑金属电极结构的电介质薄膜器件，或者形成金属电极‑氧化物绝缘层‑LaNiO3过渡层‑电介质薄膜‑氧化物绝缘层‑金属电极结构的电介质薄膜器件。制备氧化物绝缘层的氧化物为SrTiO3、CaZrO3、SrZrO3中的一种。采用本发明所述方法，在电介质薄膜器件中引入了纳米级厚度的氧化物绝缘层，因而能有效抑制强电场作用下由金属电极向电介质薄膜的电荷注入而引起的薄膜漏电流增大，提高电介质薄膜器件在强电场下的工作电压。

公开(公告)号：CN110349750A

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201910623375.6

申请日：2019-07-10

Applicant: 四川大学 ,  广州天极电子科技有限公司

Inventor： 余萍 ,  陈潇洋 ,  张仪 ,  丁明建 ,  庄彤 ,  莫桃兰

IPC: H01G4/33 ,  H01G4/12 ,  C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明所述提高强电场下电介质薄膜器件工作电压的方法，是通过射频磁控溅射法在电介质薄膜与金属电极之间制备一层纳米级厚度的氧化物绝缘层，形成金属电极-氧化物绝缘层-电介质薄膜-氧化物绝缘层-金属电极结构的电介质薄膜器件，或者形成金属电极-氧化物绝缘层-LaNiO3过渡层-电介质薄膜-氧化物绝缘层-金属电极结构的电介质薄膜器件。制备氧化物绝缘层的氧化物为SrTiO3、CaZrO3、SrZrO3中的一种。采用本发明所述方法，在电介质薄膜器件中引入了纳米级厚度的氧化物绝缘层，因而能有效抑制强电场作用下由金属电极向电介质薄膜的电荷注入而引起的薄膜漏电流增大，提高电介质薄膜器件在强电场下的工作电压。