公开(公告)号：CN106663614B

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN201580043803.8

申请日：2015-08-26

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 刘风全 ,  马伯方 ,  艾华 ,  吕疆 ,  张镁 ,  戴维·汤普森

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/321

Abstract: 一种选择性沉积方法，其相对于电介质表面来将金属选择性地沉积在金属表面。所述方法包括下述步骤：将金属氧化物表面还原成金属表面；和保护电介质表面以最小化所述电介质表面上的沉积。

公开(公告)号：CN110582845A

公开(公告)日：2019-12-17

申请号：CN201880028696.5

申请日：2018-07-12

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 马伯方 ,  赛沙德利·甘古利 ,  陈世忠 ,  拉杰什·沙西亚那拉亚南 ,  阿达西·巴苏 ,  董琳 ,  吉田尚美 ,  柳尚澔 ,  吴立其

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02

Abstract: 膜堆叠及形成膜堆叠的方法，膜堆叠包含在基板上的高k介电层、在高k介电层上的高k覆盖层、在高k覆盖层上的n金属层及在n金属层上的n金属覆盖层。n金属层具有与高k覆盖层相邻的富铝界面。

公开(公告)号：CN107431041A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680011644.8

申请日：2016-01-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 梅于尔·B·奈克 ,  马伯方 ,  泰·洪·哈 ,  斯里尼瓦斯·古吉拉

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76846 ,  H01L23/5226 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/528

Abstract: 提供用于在基板上形成互连的方法与装置。保护层形成于基板上和过孔中，所述过孔形成于所述基板上，其中所述保护层耐受含卤素材料。阻挡层形成于所述保护层的顶部。所述阻挡层包括含卤素材料。金属层沉积于所述阻挡层上方。另一实施方式中，保护层选择性地沉积于所述过孔中。

公开(公告)号：CN107078036A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580058667.X

申请日：2015-11-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 艾华 ,  吕疆 ,  阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 ,  马伯方 ,  柳尚澔 ,  刘风全 ,  付新宇 ,  叶伟锋

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  C23C16/04 ,  C23C16/06 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/76879 ,  C23C16/04 ,  C23C16/06 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在此提供用以选择性地沉积钴层的方法。在一些实施方式中，一种用以选择性地沉积钴层的方法包括以下步骤：暴露基板于第一工艺气体以钝化暴露的电介质表面，其中该基板包含电介质层与金属层，该电介质层具有暴露的电介质表面，该金属层具有暴露的金属表面；以及使用热沉积工艺来选择性地沉积钴层于该暴露的金属表面上。

公开(公告)号：CN111989762B

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN201980026264.5

申请日：2019-04-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 蹇国强 ,  唐薇 ,  林志周 ,  马伯方 ,  杨逸雄 ,  张镁 ,  刘雯伊

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H10D30/62 ,  H10D30/01 ,  H01L21/67 ,  C23C16/455

Abstract: 本公开内容涉及一种在基板上形成具有期望p功函数的p金属功函数氮化物膜的方法，包括：调节基板温度、一或多个时间上分开的气相脉冲的持续时间、钨前驱物与钛前驱物的比率、或反应的压力中的一或多项以将p金属功函数氮化物膜的功函数调谐为期望p功函数；和使基板与钨前驱物、钛前驱物、及反应气体的时间上分开的气相脉冲接触以在所述基板上形成具有期望p功函数的p金属功函数氮化物膜。

公开(公告)号：CN110622283B

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN201880028707.X

申请日：2018-11-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 蹇国强 ,  汤炜 ,  林志周 ,  马伯方 ,  吴凯 ,  维卡什·班提亚 ,  张媚 ,  叶佳 ,  张闻宇 ,  周静

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/02 ,  H01L21/762

Abstract: 本文公开了用于减少和消除钨膜中的缺陷的方法和设备。在本公开内容中，公开了减少或消除设置在基板上和多个沟槽内的具有预定第一厚度的钨膜的第一表面的氧化的步骤。多个沟槽包括预定深度及小于20纳米的宽度。当第一表面与空气或氧气接触时，钨膜的预定第一厚度在整个多个沟槽中基本均匀，从而钨膜的预定第一厚度基本上不变为第二厚度。

公开(公告)号：CN107078036B

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN201580058667.X

申请日：2015-11-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 艾华 ,  吕疆 ,  阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 ,  马伯方 ,  柳尚澔 ,  刘风全 ,  付新宇 ,  叶伟锋

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  C23C16/04 ,  C23C16/06 ,  H01L23/532

Abstract: 在此提供用以选择性地沉积钴层的方法。在一些实施方式中，一种用以选择性地沉积钴层的方法包括以下步骤：暴露基板于第一工艺气体以钝化暴露的电介质表面，其中该基板包含电介质层与金属层，该电介质层具有暴露的电介质表面，该金属层具有暴露的金属表面；以及使用热沉积工艺来选择性地沉积钴层于该暴露的金属表面上。

公开(公告)号：CN110709534A

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201880018717.5

申请日：2018-03-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 张闻宇 ,  唐薇 ,  杨逸雄 ,  林政汉 ,  徐翼 ,  雷雨 ,  吉田尚美 ,  董琳 ,  德鲁·菲利普斯 ,  斯里维迪亚·纳塔拉詹 ,  阿塔什·巴苏 ,  卡利亚潘·穆图库马尔 ,  大卫·汤普森 ,  马伯方

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/14 ,  C23C16/44 ,  C23C16/56

Abstract: 沉积具有受控制量的碳的氮化铝钛膜的方法。所述方法包括将基板表面暴露于钛前驱物、氮反应物和铝前驱物，其中在每次暴露之间进行净化。

公开(公告)号：CN110622283A

公开(公告)日：2019-12-27

申请号：CN201880028707.X

申请日：2018-11-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 蹇国强 ,  汤炜 ,  林志周 ,  马伯方 ,  吴凯 ,  维卡什·班提亚 ,  张媚 ,  叶佳 ,  张闻宇 ,  周静

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/02 ,  H01L21/762

Abstract: 本文公开了用于减少和消除钨膜中的缺陷的方法和设备。在本公开内容中，公开了减少或消除设置在基板上和多个沟槽内的具有预定第一厚度的钨膜的第一表面的氧化的步骤。多个沟槽包括预定深度及小于20纳米的宽度。当第一表面与空气或氧气接触时，钨膜的预定第一厚度在整个多个沟槽中基本均匀，从而钨膜的预定第一厚度基本上不变为第二厚度。

公开(公告)号：CN106663614A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201580043803.8

申请日：2015-08-26

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 刘风全 ,  马伯方 ,  艾华 ,  吕疆 ,  张镁 ,  戴维·汤普森

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/321

Abstract: 一种选择性沉积方法，其相对于电介质表面来将金属选择性地沉积在金属表面。所述方法包括下述步骤：将金属氧化物表面还原成金属表面；和保护电介质表面以最小化所述电介质表面上的沉积。