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公开(公告)号：CN119895560A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202380065707.8
申请日：2023-09-11
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 徐翼 , 雷雨 , 亓智敏 , 张爱西 , 赵咸元 , 雷伟 , 高兴尧 , 希里什语·A·佩特 , 黄涛 , 常翔 , 帕特里克·博-均·李 , 杰拉尔丁·瓦斯奎兹 , 吴典晔 , 汪荣军
IPC: H01L21/768 , H01L21/285 , C23C16/02 , C23C16/04 , C23C16/06
Abstract: 用于降低金属间隙填充物的电阻率的方法包含以下步骤：在特征的开口中且在基板的区域上沉积共形层，其中共形层的第一厚度为大约10微米或更小，使用各向异性沉积工艺直接地在共形层上且在开口的底部并且直接地在所述区域上沉积非共形金属层。在所述区域上且在特征的底部上的非共形金属层的第二厚度是大约30微米或更大。并且在特征的开口中并且在金属间隙填充物材料完全地填充开口而没有任何空隙的区域上沉积金属间隙填充物材料。
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公开(公告)号：CN119522482A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202380055685.7
申请日：2023-04-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , C23C16/02 , C23C16/04 , C23C16/06
Abstract: 一种在基板上形成结构的方法包括在至少一个特征内形成钨成核层。方法包括通过循环气相沉积制程形成成核层。循环气相沉积制程包括形成成核层的一部分，然后将成核层暴露至化学气相传输（CVT）制程，以从成核层的一部分中去除杂质。CVT制程可以在400摄氏度或更低的温度下执行，并且包括由处理气体形成等离子体，处理气体包含大于或等于氢气和氧的总流量的90%的氢气。
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公开(公告)号：CN114946018A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202180008110.0
申请日：2021-06-30
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/285 , H01L23/532 , H01L23/522
Abstract: 本公开内容的实施方式涉及沉积钨的方法。本公开内容的一些实施方式提供了在相对低的温度下执行的用于沉积钨的方法。本公开内容的一些实施方式提供了其中控制反应物气体之间的比率的方法。本公开内容的一些实施方式提供了钨的选择性沉积。本公开内容的一些实施方式提供了用于在低温下沉积具有相对低粗糙度、应力及杂质水平的钨膜的方法。
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公开(公告)号：CN114946009A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202180008925.9
申请日：2021-04-29
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本文提供了用于在处理腔室中使用的处理配件的实施方式。在一些实施方式中，一种用于处理腔室的处理配件包括：腔室衬垫，腔室衬垫具有管状主体，管状主体具有上部和下部；限制板，限制板耦接至腔室衬垫的下部并从腔室衬垫径向向内延伸，其中限制板包括多个狭槽；屏蔽环，屏蔽环设置在腔室衬垫内并可在腔室衬垫的上部和腔室衬垫的下部之间移动；和多个接地带，多个接地带在多个接地带中的每个接地带的第一端处耦接至屏蔽环，并在每个接地带的第二端处耦接至限制板，以在屏蔽环移动时保持屏蔽环与腔室衬垫之间的电连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113678231A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202080027926.3
申请日：2020-03-02
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 岑羲 , 马飞越 , 吴凯 , 雷雨 , 大东和也 , 徐翼 , 维卡什·班西埃 , 张镁 , 任河 , 雷蒙德·霍曼·洪 , 姚雅宽 , 阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 , 戴维·T·奥 , 周静 , 蹇国强 , 林志周 , 赖一鸣 , 叶佳 , 王振宇
IPC: H01L21/285 , C23C14/14 , C23C14/34 , C23C14/02 , H01L21/28 , H01L21/306 , H01L21/67 , C23C14/04
Abstract: 本公开内容一般涉及用于处理基板的方法，且更尤其涉及用于形成金属间隙填充物的方法。在一个实施方式中，该方法包括使用多步骤处理在开口中形成金属间隙填充物。多步骤处理包括：形成金属间隙填充物的第一部分，实行溅射处理以在一个或多个侧壁上形成一个或多个层，和使金属间隙填充物的第二部分生长以用金属间隙填充物来填充开口。通过多步骤处理形成的金属间隙填充物是无缝的，且形成在一个或多个侧壁上的一个或多个层密封在金属间隙填充物与侧壁之间的任何间隙或缺陷。由此，在后续处理中利用的流体不会扩散穿过金属间隙填充物。
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公开(公告)号：CN112105758A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201980031467.3
申请日：2019-05-02
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/04 , C23C16/06 , C23C16/14 , C23C16/455 , C23C16/56 , C23C16/448 , C23C28/00 , H01L21/285 , H01L21/768
Abstract: 本案提供一种用于提供具有金属膜的电子装置的设备和方法。本公开内容的一些实施方式利用金属钨层作为衬垫，该衬垫充满包含钴的金属膜。金属钨层具有对钴的良好粘附力，导致增强的钴缝隙填充效能。
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公开(公告)号：CN110870048A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201880027819.3
申请日：2018-08-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/285 , H01L21/324 , H01L21/768 , H01L21/02
Abstract: 用于形成半导体结构的设备与方法，包括：于高k介电层顶上沉积掺杂堆叠，所述掺杂堆叠具有第一表面，其中所述掺杂堆叠包括至少一个第一金属层、至少一个第二金属层、和至少一个第三金属层，所述第一金属层具有第一表面，所述第二金属层包括第一铝掺杂剂和第一表面，所述第三金属层位于所述第二金属层的所述第一表面顶上，其中所述第二金属层位于所述第一金属层的所述第一表面顶上；在所述掺杂堆叠的所述第一表面顶上沉积退火层；将所述结构退火，而使至少所述第一铝掺杂剂扩散进入所述高k介电层中；移除所述退火层；和在所述掺杂堆叠的所述第一表面顶上沉积至少一个功函数层。
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公开(公告)号：CN108431924A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201680069176.X
申请日：2016-11-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 雷雨 , 维卡什·班西埃 , 吴凯 , 傅新宇 , 徐毅 , 大东和也 , 马飞跃 , 普及特·阿咖瓦 , 林驰筹 , 吴典晔 , 简国强 , 唐薇 , 薇·V·唐 , 乔纳森·巴克 , 森德·拉马默蒂
IPC: H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/285
CPC classification number: H01L21/76843 , C23C16/0227 , C23C16/0281 , C23C16/045 , C23C16/06 , C23C16/08 , C23C16/4401 , C23C16/45536 , C23C16/45544 , C23C16/46 , C23C16/505 , C23C16/52 , C23C16/54 , H01L21/31116 , H01L21/76802 , H01L21/76877
Abstract: 本文提供用于形成具有钨衬垫层的金属触点的方法。在一些实施方式中，一种处理基板的方法包括：在第一基板处理腔室内将基板暴露至等离子体以沉积钨衬垫层，该等离子体是由第一气体形成，该第一气体包括金属有机钨前驱物气体或无氟卤化钨前驱物，其中该钨衬垫层沉积在介电层顶上且于特征内，该特征形成在基板的该介电层的第一表面中；将该基板传送到第二基板处理腔室而不将该基板暴露至大气；以及将该基板暴露至第二气体以在该钨衬垫层顶上沉积钨填充层，该第二气体包括氟化钨前驱物。
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公开(公告)号：CN105518827A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201480049063.4
申请日：2014-09-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 布尚·N·左普 , 阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 , 博·郑 , 雷雨 , 傅新宇 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 柳尚澔 , 马修·亚伯拉罕
IPC: H01L21/205
Abstract: 本文提供用于在半导体装置的特征结构界定中沉积金属层的方法。在一个实施方式中，提供用于沉积金属层以形成半导体装置的方法。所述方法包括执行循环金属沉积工艺以在基板上沉积金属层和将设置在基板上的金属层退火。循环金属沉积工艺包括将基板暴露于沉积前驱物气体混合物以在基板上沉积金属层的一部分；将金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺或氢退火工艺；和重复将基板暴露于沉积前驱物气体混合物的步骤和将金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺或氢退火工艺的步骤，直至达到金属层的预定厚度。
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