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公开(公告)号：CN110582845B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN201880028696.5
申请日：2018-07-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/02
Abstract: 膜堆叠及形成膜堆叠的方法，膜堆叠包含在基板上的高k介电层、在高k介电层上的高k覆盖层、在高k覆盖层上的n金属层及在n金属层上的n金属覆盖层。n金属层具有与高k覆盖层相邻的富铝界面。
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公开(公告)号：CN110066984B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201910069988.X
申请日：2014-09-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 布尚·N·左普 , 阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 , 博·郑 , 雷雨 , 傅新宇 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 柳尚澔 , 马修·亚伯拉罕
IPC: C23C16/18 , H01L21/285 , H01L21/768 , H01L23/532
Abstract: 本文提供用于在半导体装置的特征结构界定中沉积金属层的方法。在一个实施方式中，提供用于沉积金属层以形成半导体装置的方法。所述方法包括执行循环金属沉积工艺以在基板上沉积金属层和将设置在基板上的金属层退火。循环金属沉积工艺包括将基板暴露于沉积前驱物气体混合物以在基板上沉积金属层的一部分；将金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺或氢退火工艺；和重复将基板暴露于沉积前驱物气体混合物的步骤和将金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺或氢退火工艺的步骤，直至达到金属层的预定厚度。
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公开(公告)号：CN112823408A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201980066546.8
申请日：2019-10-07
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/28 , H01L21/324
Abstract: 兹描述用于形成诸如NMOS栅电极之类的半导体结构的方法及设备。所述方法可包括以下步骤：于高k介电层的第一表面上方沉积第一覆盖层，该第一覆盖层具有第一表面；及于第一覆盖层的第一表面上方沉积至少一个金属层，该至少一个金属层具有第一表面，其中该至少一个金属层包括钛铝硅化物材料。一些方法包括以下步骤：通过使第一覆盖层接触金属氯化物，从第一覆盖层的第一表面去除氧化物层，所述金属氯化物的量足以去除氧化物层。一些用于沉积钛铝硅化物材料的方法由350至400摄氏度的温度下进行的原子层沉积工艺进行。
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公开(公告)号：CN105518827B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201480049063.4
申请日：2014-09-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 布尚·N·左普 , 阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 , 博·郑 , 雷雨 , 傅新宇 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 柳尚澔 , 马修·亚伯拉罕
IPC: H01L21/205
Abstract: 本文提供用于在半导体装置的特征结构界定中沉积金属层的方法。在一个实施方式中，提供用于沉积金属层以形成半导体装置的方法。所述方法包括执行循环金属沉积工艺以在基板上沉积金属层和将设置在基板上的金属层退火。循环金属沉积工艺包括将基板暴露于沉积前驱物气体混合物以在基板上沉积金属层的一部分；将金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺或氢退火工艺；和重复将基板暴露于沉积前驱物气体混合物的步骤和将金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺或氢退火工艺的步骤，直至达到金属层的预定厚度。
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公开(公告)号：CN105453230B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201480043646.6
申请日：2014-07-22
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/283 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/28556 , C23C16/045 , C23C16/14 , H01L21/32136 , H01L21/76877
Abstract: 本文所述的实施方式大体涉及用于使用气相沉积工艺在基板上形成钨材料的方法。该方法包括以下步骤：将具有形成于基板中的特征的基板定位在基板处理腔室中；通过将含氢气体及卤化钨化合物的连续流引入至处理腔室以在特征之上沉积第一钨膜来沉积整体钨层的第一膜；通过将此第一膜暴露于卤化钨化合物及经活化的处理气体的连续流使用等离子体处理来蚀刻整体钨层的第一膜，以移除第一膜的部分；及通过将含氢气体及卤化钨化合物的连续流引入至处理腔室以在第一钨膜之上沉积第二钨膜来沉积整体钨层的第二膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112335021B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN201980042226.9
申请日：2019-06-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/02 , C23C16/44 , H01L21/324
Abstract: 论述了沉积具有高纯度的金属膜的方法。一些实施方式利用包含烷基卤化物及金属前驱物的热ALD工艺。一些实施方式优先于介电表面而在金属表面上选择性沉积具有高纯度的金属膜。一些实施方式优先于金属表面而在介电表面上选择性沉积具有高纯度的金属膜。一些实施方式沉积具有在原子基础上大于99％的金属原子的金属膜。
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公开(公告)号：CN113795609B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202080033013.2
申请日：2020-05-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/04 , C23C16/455 , C23C16/34 , H01L21/768
Abstract: 揭示了用于在非金属表面上进行选择性沉积的方法。本揭示内容的一些实施方式利用不饱和烃在金属表面上形成阻止层。进行沉积以选择性地沉积于未受阻止的非金属表面上。本揭示内容的一些实施方式涉及形成具减小的电阻的金属过孔的方法。
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公开(公告)号：CN115003854A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202180009200.1
申请日：2021-04-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/18 , C23C16/04 , C23C16/505 , C23C16/455 , C23C16/34 , H01L21/768
Abstract: 披露一种用于在表面上选择性地沉积的方法。本公开内容的一些实施方式利用实质上不含卤素且实质上不含氧的有机金属前驱物。执行沉积以相对于金属表面在非金属表面上选择性地沉积金属膜。本公开内容的一些实施方式涉及间隙填充的方法。
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公开(公告)号：CN111149190A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201880051546.6
申请日：2018-07-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/285 , H01L21/02 , H01L21/324 , C23C16/455 , H01L21/67
Abstract: 描述了使用烷基硼烷还原剂沉积低电阻率钨成核层的方法。所用的烷基硼烷还原剂包括具有通式BR3的化合物，其中R是C1-C6烷基基团。还描述了使用烷基硼烷还原剂进行钨成核层的原子层沉积的设备。
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公开(公告)号：CN105518827A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201480049063.4
申请日：2014-09-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 布尚·N·左普 , 阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 , 博·郑 , 雷雨 , 傅新宇 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 柳尚澔 , 马修·亚伯拉罕
IPC: H01L21/205
Abstract: 本文提供用于在半导体装置的特征结构界定中沉积金属层的方法。在一个实施方式中，提供用于沉积金属层以形成半导体装置的方法。所述方法包括执行循环金属沉积工艺以在基板上沉积金属层和将设置在基板上的金属层退火。循环金属沉积工艺包括将基板暴露于沉积前驱物气体混合物以在基板上沉积金属层的一部分；将金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺或氢退火工艺；和重复将基板暴露于沉积前驱物气体混合物的步骤和将金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺或氢退火工艺的步骤，直至达到金属层的预定厚度。
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