公开(公告)号：CN101558185B

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN200880001091.3

申请日：2008-03-07

Applicant: 新明和工业株式会社

Inventor： 小泉康浩 ,  能势功一

IPC: C23C14/54 ,  C23C14/32

CPC classification number: C23C14/545

Abstract: 本发明的传感器安装结构(50)具备支持基体(21a)，利用流过其内部的冷却流体进行冷却的基体支架(6a)、检测与在基体(21a)上成膜相关的物理量(下述为成膜相关物理量)的传感器(55)、与传感器(55)形成一体，能够传递成膜相关物理量，而且将成膜相关物理量变换为传送信号的变换器(54)、将变换器(54)收容于其内部，而且使传感器(55)露出于其外部的容器(52)；将容器安装于基体支架(6a)上，而且使得能够利用冷却流体对容器(52)进行冷却。

公开(公告)号：CN1701131B

公开(公告)日：2010-04-28

申请号：CN200480000795.0

申请日：2004-05-25

Applicant: 新明和工业株式会社

Inventor： 能势功一 ,  笹川孝市 ,  古塚毅士 ,  泷川志朗 ,  小泉康浩

IPC: C23C14/12 ,  F21S8/10 ,  F21V7/22

CPC classification number: C23C14/205 ,  B05D1/62 ,  B05D5/068 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/0089 ,  C23C14/352 ,  C23C14/562 ,  C23C16/45557 ,  C23C16/509

Abstract: 本发明的成膜装置及方法是由HF电源(11)对背面配置有永久磁铁(10)的阴极(5)提供高频电压，使其产生反应模式的等离子体，使用该等离子体进行等离子体聚合成膜。又，调整真空室(1)内的等离子体源气体的压力，产生金属模式的等离子体而非反应模式的等离子体，使用该等离子体，使作为溅射靶的阴极(5)溅射，进行磁控溅射成膜。

公开(公告)号：CN1846013A

公开(公告)日：2006-10-11

申请号：CN200480025541.4

申请日：2004-08-30

Applicant: 新明和工业株式会社

Inventor： 能势功一 ,  山辺真一 ,  床本勲 ,  堀崇展 ,  生水出淳史 ,  近藤隆彦

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/50 ,  G02B5/28

CPC classification number: C23C14/505 ,  C23C14/24 ,  C23C14/541

Abstract: 本发明的真空成膜方法以及装置，在设在真空室(1)内且流路(7f)、(7g)、(7i)内流入规定的载热溶液的基体材料支持构件(6a)上安装基体材料，使所述真空室内保持实质上的真空状态，在所述真空室的内部，从2个或2个以上的蒸发源使蒸发材料蒸发，以规定的顺序使该蒸发的所述蒸发材料扩散到所述真空室的内部，使该扩散的所述蒸发材料蒸镀在所述基体材料的蒸镀面上，使由所述蒸发材料构成的多层膜在所述基体材料的蒸镀面上形成，在这样的成膜方法中，将防冻溶液用作流入所述基体材料支持构件具备的流路内的所述规定的载热溶液。

公开(公告)号：CN1354275A

公开(公告)日：2002-06-19

申请号：CN01137616.3

申请日：2001-09-26

Applicant: 新明和工业株式会社 ,  西铁城时计株式会社

Inventor： 泷川志朗 ,  能势功一 ,  小泉康浩 ,  堀崇展 ,  宫行男

IPC: C23C14/24

CPC classification number: C23C16/515 ,  C23C14/325 ,  C23C14/545 ,  C23C16/517

Abstract: 一种电弧蒸发器,包括:阳极;作为阴极的蒸发源电极;以及用于产生穿过阳极和蒸发源电极的AC方波电弧电流的电流控制单元。