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公开(公告)号：CN100345000C
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN03156715.0
申请日：2003-09-08
Applicant: 新明和工业株式会社
CPC classification number: G02B1/115
Abstract: 本发明公开了一种光学增透膜(反射防止膜)及其镀膜方法。一层具有与丙烯酸树脂基片的折射率基本相等的折射率的第一一氧化硅膜制备在该基片上至大约200钠米厚度，在该第一一氧化硅膜上制备一层折射率值在1.48至1.62之间范围内的第二一氧化硅膜至大约200钠米厚度。还有，例如在高低高低型增透膜的情况中，使用一特殊的离子镀装置制备一层折射率值在2.2至2.4之间范围的二氧化钛膜，以作为从最外层起算的第二层。
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公开(公告)号：CN1532563A
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN03156715.0
申请日：2003-09-08
Applicant: 新明和工业株式会社
CPC classification number: G02B1/115
Abstract: 本发明公开了一种光学增透膜(反射防止膜)及其镀膜方法。一层具有与丙烯酸树脂基片的折射率基本相等的折射率的第一一氧化硅膜制备在该基片上至大约200钠米厚度，在该第一一氧化硅膜上制备一层折射率值在1.48至1.62之间范围内的第二一氧化硅膜至大约200钠米厚度。还有，例如在高低型增透膜的情况中，使用一特殊的离子镀装置制备一层折射率值在2.2至2.4之间范围的二氧化钛膜，以作为从最外层起算的第二层。
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公开(公告)号：CN1701131B
公开(公告)日：2010-04-28
申请号：CN200480000795.0
申请日：2004-05-25
Applicant: 新明和工业株式会社
CPC classification number: C23C14/205 , B05D1/62 , B05D5/068 , C23C14/0036 , C23C14/0089 , C23C14/352 , C23C14/562 , C23C16/45557 , C23C16/509
Abstract: 本发明的成膜装置及方法是由HF电源(11)对背面配置有永久磁铁(10)的阴极(5)提供高频电压，使其产生反应模式的等离子体，使用该等离子体进行等离子体聚合成膜。又，调整真空室(1)内的等离子体源气体的压力，产生金属模式的等离子体而非反应模式的等离子体，使用该等离子体，使作为溅射靶的阴极(5)溅射，进行磁控溅射成膜。
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公开(公告)号：CN1701131A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200480000795.0
申请日：2004-05-25
Applicant: 新明和工业株式会社
CPC classification number: C23C14/205 , B05D1/62 , B05D5/068 , C23C14/0036 , C23C14/0089 , C23C14/352 , C23C14/562 , C23C16/45557 , C23C16/509
Abstract: 本发明的成膜装置及方法是由HF电源(11)对背面配置有永久磁铁(10)的阴极(5)提供高频电压，使其产生反应模式的等离子体，使用该等离子体进行等离子体聚合成膜。又，调整真空室(1)内的等离子体源气体的压力，产生金属模式的等离子体而非反应模式的等离子体，使用该等离子体，使作为溅射靶的阴极(5)溅射，进行磁控溅射成膜。
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