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公开(公告)号：CN110291620B
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201780086361.4
申请日：2017-02-14
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，具有：形成于衬底(1)的第一主面的第一导电型的第一漂移区域(4)、形成于衬底(1)的第一主面且形成至衬底(1)的比第一漂移区域(4)更深的位置的第一导电型的第二漂移区域(41)。还具备：与第二漂移区域相接的第二导电型的阱区域、从阱区域的表面向垂直方向延伸设置的第一导电型的源极区域、与阱区域分开且从第一漂移区域的表面向垂直方向延伸设置的第一导电型的漏极区域。通过沟道之后的电子的流路变宽，因此能够降低电阻。
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公开(公告)号：CN104718627B
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201380054059.2
申请日：2013-10-17
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L29/47 , H01L29/868 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/063 , H01L21/26513 , H01L21/30604 , H01L21/308 , H01L29/06 , H01L29/0615 , H01L29/0619 , H01L29/1608 , H01L29/165 , H01L29/417 , H01L29/47 , H01L29/6606 , H01L29/66136 , H01L29/861 , H01L29/872
Abstract: 一种半导体装置(100)，具备：半导体基体(1)；第一导电型的漂移区域(2)，其在上部的一部分具有槽，配置在半导体基体(100)的第一主面上；第二导电型的电场缓和区域(4)，其仅配置在槽底部中除了中央部以外的角部的周围；阳极电极(9)，其埋入槽中；阴极电极(10)，其配置在半导体基体(100)的与第一主面相对的第二主面上。
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公开(公告)号：CN105556647A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201480051481.7
申请日：2014-06-03
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/1095 , H01L21/047 , H01L21/0475 , H01L21/26586 , H01L21/30604 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L29/0865 , H01L29/0882 , H01L29/1608 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/66068 , H01L29/66696 , H01L29/66704 , H01L29/7816 , H01L29/7825 , H01L29/7835
Abstract: 提供一种能够提高耐压的半导体装置。具有：衬底(1)；n型的漂移区域(4)，其形成于衬底(1)的主面；p型的阱区域(2)、n型的漏极区域(5)及n型的源极区域(3)，它们分别在漂移区域(4)内，从漂移区域(4)的与同衬底(1)接触的第1主面相反一侧的第2主面开始，沿第2主面的垂直方向延伸设置；栅极槽(8)，其从第2主面开始沿垂直方向设置，在与衬底1的第1主面平行的方向上将源极区域(3)以及阱区域(2)贯通；以及栅极电极(7)，其隔着栅极绝缘膜(6)而形成于栅极槽(8)的表面，漂移区域(4)的杂质浓度比衬底(1)的杂质浓度高，阱区域(2)延伸设置至衬底(1)内。
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公开(公告)号：CN113330578B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN201980089860.8
申请日：2019-01-21
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置具有：半导体基体(20)、以及配置在半导体基体(20)的第一主电极(30)及第二主电极(40)。半导体基体(20)具有：主电流流动的第一导电型的漂移区域(21)、与主电流的电流通路平行且与漂移区域(21)邻接而配置的第二导电型的柱区(22)、与第二主电极(40)电连接的第一导电型的第二电极连接区域(24)、以及配置在第二电极连接区域(24)与柱区(22)之间且杂质浓度比漂移区域(21)低的第一导电型的低浓度电场缓和区域(25)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116635984B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202080107575.7
申请日：2020-12-01
IPC: H01L21/336
Abstract: 一种半导体装置，具备：漂移区域，其配置在衬底的主面上，杂质浓度比衬底高；第一阱区域，其与漂移区域连接；以及第二阱区域，其与第一阱区域邻接配置，并与漂移区域相对。第二阱区域的杂质浓度比第一阱区域高。在与衬底的主面平行的方向上，经由第一阱区域与漂移区域相对的源极区域与漂移区域之间的距离比第二阱区域与漂移区域之间的距离长。从第二阱区延伸的耗尽层到达漂移区。
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公开(公告)号：CN109564894B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201680088106.9
申请日：2016-08-05
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L27/04
Abstract: 本发明提供一种半导体电容器，其能够用由半导体基板构成的电路来应对多种请求。具备半导体基板(2A)、形成于半导体基板(2A)的电极组(4)、绝缘物(2B)，形成有多个电容器(C1～C3)。多个电容器(C1～C3)具有在电极组(4)各自之间夹有绝缘物(2B)的构造。多个电容器(C1～C3)设定为电容器(C1～C3)承受规定电压的能力即耐性、和漏电流在电容器(C1～C3)中的流动容易度即电导中的至少一方不同。
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公开(公告)号：CN112514037A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201880096084.X
申请日：2018-07-27
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置具有：基板(10)、配置在基板(10)的主面的半导体层(20)、以及经由半导体层(20)而在基板(10)之上分离而配置且在导通状态下作为流动的主电流的电流通路的各端部的第一主电极(30)及第二主电极(40)，半导体层(20)具有：在主电流流动的第一导电型漂移区(21)、在漂移区(21)的内部配置并与电流通路平行延伸的第二导电型柱区(22)、以及在漂移区(21)与柱区(22)之间的至少一部分配置且杂质浓度比相同导电型的邻接区域低的低浓度区或非掺杂区的任一区即电场缓和区(23)。
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公开(公告)号：CN109564894A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201680088106.9
申请日：2016-08-05
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L27/04
Abstract: 本发明提供一种半导体电容器，其能够用由半导体基板构成的电路来应对多种请求。具备半导体基板(2A)、形成于半导体基板(2A)的电极组(4)、绝缘物(2B)，形成有多个电容器(C1～C3)。多个电容器(C1～C3)具有在电极组(4)各自之间夹有绝缘物(2B)的构造。多个电容器(C1～C3)设定为电容器(C1～C3)承受规定电压的能力即耐性、和漏电流在电容器(C1～C3)中的流动容易度即电导中的至少一方不同。
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