公开(公告)号：CN108463442B

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN201780006250.8

申请日：2017-01-05

Applicant: 日本电气硝子株式会社

Inventor： 西川欣克 ,  广濑将行

IPC: C03C8/24 ,  C03C8/22 ,  H01R9/16

Abstract: 本发明的密封材料用于密封金属材料，其特征在于，含有由碱硅酸盐玻璃形成的玻璃粉末70～100质量％和陶瓷粉末0～30质量％，30～380℃的温度范围内的线热膨胀系数大于100×10‑7/℃且为170×10‑7/℃以下。

公开(公告)号：CN107922247B

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN201680046231.3

申请日：2016-10-03

Applicant: 日本电气硝子株式会社

Inventor： 广濑将行

IPC: C03C8/02 ,  C03C3/091 ,  C03C3/093 ,  C03C3/112 ,  C03C8/06 ,  C03C8/12 ,  F25B49/02

Abstract: 本发明的密封用玻璃的特征在于，作为玻璃组成，以摩尔％表示，含有SiO2 60％～75％、B2O3 0％～5.9％、Li2O+Na2O+K2O 12.7％～20％、Li2O+Na2O 11.5％～20％、MgO+CaO+SrO+BaO 2％～9％，摩尔比SiO2/B2O3为12.7以上。

公开(公告)号：CN107922247A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201680046231.3

申请日：2016-10-03

Applicant: 日本电气硝子株式会社

Inventor： 广濑将行

IPC: C03C8/02 ,  C03C3/091 ,  C03C3/093 ,  C03C3/112 ,  C03C8/06 ,  C03C8/12 ,  F25B49/02

Abstract: 本发明的密封用玻璃的特征在于，作为玻璃组成，以摩尔％表示，含有SiO2 60％～75％、B2O3 0％～5.9％、Li2O+Na2O+K2O 12.7％～20％、Li2O+Na2O 11.5％～20％、MgO+CaO+SrO+BaO 2％～9％，摩尔比SiO2/B2O3为12.7以上。

公开(公告)号：CN117881638A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202280057630.5

申请日：2022-07-29

Applicant: 日本电气硝子株式会社

Inventor： 佐野翔一 ,  广濑将行 ,  北村嘉朗 ,  白神彻

IPC: C03C3/12 ,  C03C3/14 ,  C03C3/145 ,  C03C8/16 ,  C03C8/24 ,  G04G3/00 ,  H01L23/02 ,  H01L23/10 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H03H9/02

Abstract: 本发明提供具有良好的耐候性且能够在低温下进行密封的玻璃组合物和密封材料。本发明的玻璃组合物的特征在于，以摩尔％计含有：TeO2 15％～80％、MoO3+Ag2O 0.1％～30％、V2O5 5％～40％、CuO 0.1％～35％、PbO 0～10％。

公开(公告)号：CN115066404B

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202180013428.8

申请日：2021-01-26

Applicant: 日本电气硝子株式会社

Inventor： 广濑将行

IPC: C03C3/066 ,  H01L21/316

Abstract: 本发明提供实质上不含环境负荷物质、能够以900℃以下的烧成温度被覆、并且耐酸性优异、且表面电荷密度低的半导体元件被覆用玻璃。本发明的半导体元件被覆用玻璃的特征在于，含有ZnO+SiO2 40～65％、B2O3 7～25％、Al2O3 5～15％、MgO 8～22％作为玻璃组成，实质上不含铅成分。

公开(公告)号：CN112512982B

公开(公告)日：2023-02-24

申请号：CN201980051203.4

申请日：2019-09-13

Applicant: 日本电气硝子株式会社

Inventor： 广濑将行

IPC: C03C8/04 ,  C03C8/14 ,  H01L21/316 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明的半导体元件被覆用玻璃的特征在于，作为玻璃组成，以摩尔％计含有SiO218～43％、B2O35～21％、Al2O38～21％、ZnO 10～25％、MgO+CaO 10～25％，且实质上不含铅成分。

公开(公告)号：CN115066404A

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN202180013428.8

申请日：2021-01-26

Applicant: 日本电气硝子株式会社

Inventor： 广濑将行

IPC: C03C3/066 ,  H01L21/316

Abstract: 本发明提供实质上不含环境负荷物质、能够以900℃以下的烧成温度被覆、并且耐酸性优异、且表面电荷密度低的半导体元件被覆用玻璃。本发明的半导体元件被覆用玻璃的特征在于，含有ZnO+SiO240～65％、B2O37～25％、Al2O35～15％、MgO 8～22％作为玻璃组成，实质上不含铅成分。

公开(公告)号：CN114450257A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202080066506.6

申请日：2020-09-10

Applicant: 日本电气硝子株式会社

Inventor： 广濑将行

IPC: C03C8/04 ,  C03C8/14

Abstract: 本发明提供环境负荷小、耐酸性优异、且烧成温度低的半导体元件包覆用玻璃。该半导体元件包覆用玻璃的特征在于，作为玻璃组成，以摩尔％计，含有：SiO2 20～36％、ZnO 8～40％、B2O3 10～24％、Al2O310～20％、MgO+CaO 8～22％，并且，以摩尔比计，SiO2/ZnO为0.6以上且小于3.3，实质上不含铅成分。

公开(公告)号：CN110402242A

公开(公告)日：2019-11-01

申请号：CN201880017650.3

申请日：2018-03-12

Applicant: 日本电气硝子株式会社

Inventor： 广濑将行

IPC: C03C27/06 ,  C03C27/00 ,  H01L23/02 ,  H01L23/08 ,  C03C8/24

Abstract: 本发明的气密封装用盖玻璃是在一侧表面上具有密封材料层的气密封装用盖玻璃，其特征在于，密封材料层满足下述(1)～(6)中的任一关系。(1)密封材料层的中心线长度为150mm以上时，密封材料层的平均宽度为密封材料层的中心线长度的0.20％以上、(2)密封材料层的中心线长度为100mm以上、且不足150mm时，密封材料层的平均宽度为密封材料层的中心线长度的0.30％以上、(3)密封材料层的中心线长度为75mm以上、且不足100mm时，密封材料层的平均宽度为密封材料层的中心线长度的0.35％以上、(4)密封材料层的中心线长度为50mm以上、且不足75mm时，密封材料层的平均宽度为密封材料层的中心线长度的0.40％以上、(5)密封材料层的中心线长度为25mm以上、且不足50mm时，密封材料层的平均宽度为密封材料层的中心线长度的0.60％以上、(6)密封材料层的中心线长度为不足25mm时，密封材料层的平均宽度为密封材料层的中心线长度的0.90％以上。

公开(公告)号：CN112512983B

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN201980051230.1

申请日：2019-09-13

Applicant: 日本电气硝子株式会社

Inventor： 广濑将行

IPC: C03C8/04 ,  C03C8/14 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明的半导体元件被覆用玻璃的特征在于，作为玻璃组成，以摩尔％计含有SiO235～65％、ZnO 25～50％、SiO2+ZnO 65％以上且低于90％、Al2O32～14％、B2O30～10％、MgO+CaO 3～15％，且实质上不含铅成分。