公开(公告)号：CN105047545B

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201510323373.7

申请日：2011-11-15

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 町井洋一 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  冈庭香 ,  岩室光则 ,  足立修一郎 ,  织田明博 ,  佐藤铁也 ,  木泽桂子

IPC: H01L21/225 ,  H01L31/18 ,  H01L31/068

CPC classification number: H01L31/068 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/2255 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/186 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种太阳能电池的制造方法，其包含以下工序：对半导体基板一个面上的第1区域给予含有包含n型杂质的玻璃粉末和分散介质的用于形成n型扩散层的组合物的工序；对位于所述半导体基板的设有所述第1区域的面上且为所述第1区域以外的第2区域给予含有包含p型杂质的玻璃粉末和分散介质的用于形成p型扩散层的组合物的工序；对给予了所述用于形成n型扩散层的组合物和用于形成p型扩散层的组合物的半导体基板进行热处理而形成n型扩散层和p型扩散层的热扩散工序；和在形成了所述n型扩散层的第1区域和形成了p型扩散层的第2区域分别形成电极的工序。

公开(公告)号：CN105551947A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201510917152.2

申请日：2012-07-03

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 佐藤铁也 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  冈庭香 ,  町井洋一 ,  岩室光则 ,  木泽桂子 ,  织田明博 ,  足立修一郎

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/225 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  C03C3/097 ,  C03C8/08 ,  C03C8/16 ,  C03C15/00

CPC classification number: H01L21/2225 ,  C03C3/097 ,  C03C8/08 ,  C03C8/16 ,  C03C15/00 ,  H01L21/2255 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种n型扩散层形成用组合物、n型扩散层的制造方法以及太阳能电池元件的制造方法。本发明提供一种n型扩散层形成用组合物，其包括：含有施主元素且软化温度为500℃以上且900℃以下，平均粒径为5μm以下的玻璃粉末；以及分散介质。

公开(公告)号：CN103650111A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201280031501.5

申请日：2012-07-03

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 佐藤铁也 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  冈庭香 ,  町井洋一 ,  岩室光则 ,  木泽桂子 ,  织田明博 ,  足立修一郎

IPC: H01L21/225 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/2225 ,  C03C3/097 ,  C03C8/08 ,  C03C8/16 ,  C03C15/00 ,  H01L21/2255 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种n型扩散层形成用组合物，其包括：含有施主元素且软化温度为500℃以上且900℃以下，平均粒径为5μm以下的玻璃粉末；以及分散介质。

公开(公告)号：CN103299400A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201280005186.9

申请日：2012-01-11

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 织田明博 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  町井洋一 ,  岩室光则 ,  木泽桂子 ,  足立修一郎 ,  佐藤铁也

IPC: H01L21/225 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/228 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供含有氮化硼、分散介质和无机粘结剂的p型扩散层形成用组合物、具有p型扩散层的硅基板的制造方法、太阳能电池元件的制造方法以及太阳能电池。

公开(公告)号：CN103155166A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201180048985.X

申请日：2011-11-15

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 町井洋一 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  冈庭香 ,  岩室光则 ,  足立修一郎 ,  织田明博 ,  佐藤铁也 ,  木泽桂子

IPC: H01L31/04 ,  H01L21/225

Abstract: 本发明提供一种太阳能电池的制造方法，其具有以下工序：对半导体基板的一个面上的部分区域给予含有含n型杂质的玻璃粉末及分散介质的第一用于形成n型扩散层的组合物的工序；对上述半导体基板的给予上述第一用于形成n型扩散层的组合物的面上的、至少上述部分区域以外的区域，给予含有含n型杂质的玻璃粉末及分散介质、且n型杂质浓度比上述第一用于形成n型扩散层的组合物低的第二用于形成n型扩散层的组合物的工序；以及对给予了上述第一用于形成n型扩散层的组合物及第二用于形成n型扩散层的组合物的半导体基板进行热处理而形成n型扩散层的工序；在上述部分区域上形成电极的工序。

公开(公告)号：CN104137227B

公开(公告)日：2018-05-18

申请号：CN201380010626.4

申请日：2013-01-10

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 佐藤铁也 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  芦泽寅之助 ,  仓田靖 ,  町井洋一 ,  岩室光则 ,  织田明博 ,  清水麻理

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/225 ,  C03C8/16 ,  C08L101/00 ,  C09D201/00

CPC classification number: H01L21/2255 ,  C03C3/097 ,  C03C8/08 ,  C03C8/16 ,  C08L1/28 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/324 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供含有包含施主元素的化合物、分散介质和有机填料的n型扩散层形成用组合物、具有n型扩散层的半导体基板的制造方法、以及太阳能电池元件的制造方法。

公开(公告)号：CN105118890B

公开(公告)日：2017-06-06

申请号：CN201510484602.3

申请日：2011-11-15

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 町井洋一 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  冈庭香 ,  岩室光则 ,  足立修一郎 ,  织田明博 ,  佐藤铁也 ,  木泽桂子

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/186 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/2255 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种太阳能电池的制造方法，其具有以下工序：对半导体基板的一个面上的部分区域给予含有含p型杂质的玻璃粉末及分散介质的第一用于形成p型扩散层的组合物的工序；对上述半导体基板的给予了上述第一用于形成p型扩散层的组合物的面上的、至少上述部分区域以外的区域，给予含有含p型杂质的玻璃粉末及分散介质、且p型杂质浓度比上述第一用于形成p型扩散层的组合物低的第二用于形成p型扩散层的组合物的工序；以及对给予了上述第一用于形成p型扩散层的组合物及第二用于形成p型扩散层的组合物的半导体基板进行热处理而形成p型扩散层的工序；在上述部分区域上形成电极的工序。

公开(公告)号：CN105830200A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201480069124.3

申请日：2014-12-19

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 织田明博 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  仓田靖 ,  芦泽寅之助 ,  町井洋一 ,  岩室光则 ,  佐藤英一 ,  清水麻理 ,  佐藤铁也

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/225 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/2255 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/0684 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种具有扩散层的半导体基板的制造方法，具有：对半导体基板的至少一部分分别在不同的区域赋予n型扩散层形成组合物和p型扩散层形成组合物的工序，所述n型扩散层形成组合物含有包含施主元素的玻璃粒子及分散介质，所述p型扩散层形成组合物含有包含受主元素的玻璃粒子及分散介质；和通过进行热处理而形成n型扩散层、并且形成p型扩散层的工序。

公开(公告)号：CN105161404A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201510655317.3

申请日：2011-07-14

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 织田明博 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  町井洋一 ,  岩室光则 ,  木泽桂子 ,  足立修一郎 ,  佐藤铁也

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/225 ,  H01L21/228 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/228 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 含有从氮化硼和碳化硼中选择的至少1种的硼化合物和分散介质而构成p型扩散层形成用组合物。通过将该p型扩散层形成用组合物涂布于半导体基板上，实施热扩散处理，从而制造p型扩散层和具有p型扩散层的太阳能电池元件。

公开(公告)号：CN104137227A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201380010626.4

申请日：2013-01-10

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 佐藤铁也 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  芦泽寅之助 ,  仓田靖 ,  町井洋一 ,  岩室光则 ,  织田明博 ,  清水麻理

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/225 ,  C03C8/16 ,  C08L101/00 ,  C09D201/00

CPC classification number: H01L21/2255 ,  C03C3/097 ,  C03C8/08 ,  C03C8/16 ,  C08L1/28 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/324 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供含有包含施主元素的化合物、分散介质和有机填料的n型扩散层形成用组合物、具有n型扩散层的半导体基板的制造方法、以及太阳能电池元件的制造方法。