公开(公告)号：CN104488069B

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201380036945.2

申请日：2013-07-12

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 田中彻 ,  吉田诚人 ,  仓田靖 ,  织田明博 ,  佐藤铁也 ,  早坂刚

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/312 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/02167 ,  C23C18/1216 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明的钝化层形成用组合物包含通式(I)所示的有机铝化合物和通式(II)所示的有机化合物。通式(I)中，R1分别独立地表示碳数1～8的烷基。n表示0～3的整数。X2及X3分别独立地表示氧原子或亚甲基。R2、R3及R4分别独立地表示氢原子或碳数1～8的烷基。

公开(公告)号：CN103702794B

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201280036782.3

申请日：2012-07-25

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 栗原祥晃 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  仓田靖 ,  足立修一郎 ,  加藤隆彦

IPC: B23K1/00 ,  B23K35/26 ,  B23K35/14 ,  C22C9/00 ,  C22C11/06 ,  C22C12/00 ,  C22C13/00 ,  C22C13/02 ,  H01L31/05

CPC classification number: C22C9/00 ,  B23K1/0008 ,  B23K35/0238 ,  B23K35/025 ,  B23K35/262 ,  B23K35/264 ,  B23K35/268 ,  B23K2101/38 ,  B23K2101/40 ,  C22C11/06 ,  C22C12/00 ,  C22C13/00 ,  C22C13/02 ,  H01L31/0512 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/50 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种布线构件，其包含：导电件；和配置于所述导电件的表面的至少一部分区域上，且包含非共晶焊料材料的焊料被覆层。

公开(公告)号：CN106537559A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201580038703.6

申请日：2015-07-15

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 岩室光则 ,  野尻刚 ,  仓田靖 ,  芦泽寅之助 ,  织田明博 ,  清水麻理 ,  佐藤铁也 ,  佐藤英一

IPC: H01L21/225 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/225 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种具有n型扩散层的半导体基板的制造方法，其包括将半导体基板在气体的流量以线速度计为3mm/秒～60mm/秒的条件下进行热处理的工序，所述半导体基板在至少一部分被赋予了含有包含施主元素的玻璃粒子、和分散介质的n型扩散层形成组合物。

公开(公告)号：CN105814665A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201480067286.3

申请日：2014-12-12

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 织田明博 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  仓田靖 ,  芦泽寅之助 ,  町井洋一 ,  岩室光则 ,  佐藤英一 ,  清水麻理 ,  佐藤铁也

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/225 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/228 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/2255 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 通过第一扩散工序和第二扩散工序而在一个半导体基板的不同部位形成n型扩散层和p型扩散层。在第一扩散工序具有将含有包含受主元素的玻璃粒子及分散介质的p型扩散层形成组合物赋予到半导体基板的工序、和通过热处理使受主元素扩散到半导体基板中而形成p型扩散层的工序的情况下，第二扩散工序具有以p型扩散层形成组合物的热处理物作为掩模而使磷扩散的工序。可以将第一扩散工序的p型扩散层形成组合物用含有包含施主元素的玻璃粒子及分散介质的n型扩散层形成组合物来代替，此时，在第二扩散工序中，以n型扩散层形成组合物的热处理物作为掩模而使硼扩散。

公开(公告)号：CN104969364A

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201480006954.1

申请日：2014-02-12

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 织田明博 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  仓田靖

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1804 ,  C09D183/04 ,  C09D183/16 ,  H01L21/2255 ,  H01L31/0682 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种阻挡层形成用组合物，其含有：选自通式1：(R1)4-nSi(OR2)n所示的至少一种烷氧基硅烷、聚硅氮烷、以及使所述烷氧基硅烷水解并缩聚而成的硅氧烷树脂中的至少一种含硅化合物；有机粘合剂；和分散介质，所述组合物在25℃下的粘度为1Pa·s～100Pa·s。式中，R1及R2各自独立地表示碳数1～6的脂肪族烃基或芳香族烃基，n表示1～4中任一个整数。在包含2个以上R1或R2的情况下，各R1或各R2可以相同也可以不同。

公开(公告)号：CN104488088B

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201380037778.3

申请日：2013-07-19

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 织田明博 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  仓田靖 ,  田中彻 ,  足立修一郎 ,  早坂刚 ,  服部孝司 ,  松村三江子 ,  渡边敬司 ,  森下真年 ,  滨村浩孝

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02245 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种太阳能电池元件，其包含：具有受光面及与上述受光面相反一侧的背面且在上述背面具有含有p型杂质的p型扩散区域及含有n型杂质的n型扩散区域的半导体基板、设置于上述半导体基板的背面的一部分或全部的区域中且含有选自由Nb2O5、Ta2O5、V2O5、Y2o3及HfO2组成的组中的1种以上的钝化层、设置于上述p型扩散区域的至少一部分中的第一金属电极、和设置于上述n型扩散区域的至少一部分中的第二金属电极。

公开(公告)号：CN104471715B

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201380036883.5

申请日：2013-07-12

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 足立修一郎 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  仓田靖 ,  田中彻 ,  织田明博 ,  早坂刚

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明的钝化层形成用组合物包含下述通式(I)所示的有机铝化合物和选自烷醇钛、烷醇锆及烷醇硅中的至少一种烷醇盐化合物。在下述通式(I)中，R1分别独立地表示碳数1～8的烷基；n表示0～3的整数；X2及X3分别独立地表示氧原子或亚甲基；R2、R3及R4分别独立地表示氢原子或碳数1～8的烷基。

公开(公告)号：CN104488089A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201380038207.1

申请日：2013-07-19

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 足立修一郎 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  仓田靖 ,  田中彻 ,  织田明博 ,  早坂刚 ,  服部孝司 ,  松村三江子 ,  渡边敬司 ,  森下真年 ,  滨村浩孝

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  C23C18/12

CPC classification number: H01L31/1804 ,  C23C18/1216 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供包含通式(I)：M(OR1)m所示的化合物、填料、液状介质和树脂的钝化层形成用组合物。通式(I)中，M包含选自Nb、Ta、V、Y及Hf中的至少1种金属元素。R1分别独立地表示碳数1～8的烷基或碳数6～14的芳基。m表示1～5的整数。

公开(公告)号：CN104488088A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201380037778.3

申请日：2013-07-19

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 织田明博 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  仓田靖 ,  田中彻 ,  足立修一郎 ,  早坂刚 ,  服部孝司 ,  松村三江子 ,  渡边敬司 ,  森下真年 ,  滨村浩孝

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02245 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068

Abstract: 本发明提供一种太阳能电池元件，其包含：具有受光面及与上述受光面相反一侧的背面且在上述背面具有含有p型杂质的p型扩散区域及含有n型杂质的n型扩散区域的半导体基板、设置于上述半导体基板的背面的一部分或全部的区域中且含有选自由Nb2O5、Ta2O5、V2O5、Y2o3及HfO2组成的组中的1种以上的钝化层、设置于上述p型扩散区域的至少一部分中的第一金属电极、和设置于上述n型扩散区域的至少一部分中的第二金属电极。

公开(公告)号：CN104488087A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201380037776.4

申请日：2013-07-19

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 服部孝司 ,  松村三江子 ,  滨村浩孝 ,  田中彻 ,  织田明博 ,  早坂刚 ,  渡边敬司 ,  森下真年 ,  吉田诚人 ,  野尻刚 ,  仓田靖 ,  足立修一郎

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02167 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种钝化膜，其包含氧化铝、和选自由氧化钒及氧化钽组成的组中的至少1种钒族元素的氧化物，该钝化膜用于具有硅基板的太阳能电池元件。