公开(公告)号：CN101027248B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200580032294.5

申请日：2005-09-22

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 冈正和 ,  福世知行 ,  鸟巢纯一

IPC: C01B7/20 ,  B01J19/24

CPC classification number: B01J7/00 ,  B01J19/2495 ,  B01J2219/00085 ,  C01B7/20 ,  C23C16/4405 ,  Y10T137/0329 ,  Y10T137/6525 ,  Y10T137/6606 ,  Y10T137/87652

Abstract: 本发明涉及一种生产氟气的方法，包括步骤(1)使用具有透气性的结构体将配有加热装置的氟气发生容器的内部分区，然后在每个区域中装入高价金属氟化物并将该高价金属氟化物加热，由此生成氟气。该方法可以包括步骤(2)使已在步骤(1)中由其生成氟气的高价金属氟化物吸留氟气。根据本发明的方法，可以廉价地大规模生产可用作半导体或液晶制造工艺中的蚀刻气体或清洁气体的高纯氟气。

公开(公告)号：CN101027248A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200580032294.5

申请日：2005-09-22

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 冈正和 ,  福世知行 ,  鸟巢纯一

IPC: C01B7/20 ,  B01J19/24

CPC classification number: B01J7/00 ,  B01J19/2495 ,  B01J2219/00085 ,  C01B7/20 ,  C23C16/4405 ,  Y10T137/0329 ,  Y10T137/6525 ,  Y10T137/6606 ,  Y10T137/87652

Abstract: 本发明涉及一种生产氟气的方法，包括步骤(1)使用具有透气性的结构体将配有加热装置的氟气发生容器的内部分区，然后在每个区域中装入高价金属氟化物并将该高价金属氟化物加热，由此生成氟气。该方法可以包括步骤(2)使已在步骤(1)中由其生成氟气的高价金属氟化物吸留氟气。根据本发明的方法，可以廉价地大规模生产可用作半导体或液晶制造工艺中的蚀刻气体或清洁气体的高纯氟气。

公开(公告)号：CN1192820C

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN02105311.1

申请日：2002-02-22

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 冈正和 ,  矢野慎一 ,  浅贺直树

IPC: B01J23/42 ,  B01J32/00 ,  B01J27/12 ,  B01D53/62 ,  B01D53/94

CPC classification number: Y02A50/2341

Abstract: 本发明提供了一种即便是在含有热分解性氟烃或酸性成分的气体的处理中使用，劣化也少的氧化催化剂和使用氧化催化剂的氧化方法。本发明的氧化催化剂的特征在于由氟化率为30～95%的氧化铝载体上负载有贵金属，特别是铂。

公开(公告)号：CN1462206A

公开(公告)日：2003-12-17

申请号：CN01816086.7

申请日：2001-09-27

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 堀田雅敏 ,  冈正和 ,  古瀬良雄 ,  跡边仁志 ,  茶圆茂广

IPC: B01D53/04 ,  B01D53/86 ,  A61M16/00 ,  B01D53/047

CPC classification number: B01D53/8631 ,  A61M16/009 ,  A61M16/0093 ,  A61M2230/437 ,  B01D53/04 ,  B01D53/86 ,  B01D53/8625 ,  B01D2257/2064 ,  B01D2257/2066 ,  B01D2257/402 ,  B01D2259/40 ,  B01D2259/40001 ,  B01D2259/40086 ,  B01D2259/4533 ,  Y02C20/10

Abstract: 本发明提供一种从手术室排出的包含挥发性麻醉剂和氧化亚氮的废麻醉气体的处理方法和设备，将所述气体引入装有吸附剂的吸附柱，其中所述废麻醉气体中所含挥发性麻醉剂被吸附从而除去，然后将所述气体引入装有氧化亚氮分解催化剂的催化剂层，在其中使氧化亚氮分解成氮气和氧气。通过使用本发明废麻醉气体处理方法和设备，可使有可能破坏臭氧层的挥发性麻醉剂或作为全球变暖气体的氧化亚氮变得无害，同时防止其释放至大气中。