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公开(公告)号：CN101014541A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200580030394.4
申请日：2005-09-08
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: C01B7/20 , C01G45/06 , C01P2006/80
Abstract: 公开了制造氟化锰的方法，包括：步骤(1)，使已经在不低于100℃的温度干燥的锰化合物(例如MnF2)与氟化剂(例如F2)在50至250℃的温度反应，和步骤(2)，进一步使步骤(1)中获得的产物与氟化剂在250至450℃的温度反应。根据该方法，可以在不经过升华和凝固步骤的情况下，在低温和低压条件下容易并廉价地大规模制造能够生成氟气的氟化锰。
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公开(公告)号：CN105209385A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201480026728.X
申请日：2014-05-15
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: C09D5/24 , C01B32/20 , C01P2004/24 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C08K3/04 , C08K3/041 , C08K3/042 , C08K7/00 , C08K9/02 , C08K2201/001 , C08K2201/003 , C08K2201/016 , C08L29/14 , C08L63/00 , C08L101/00 , C09D7/70 , C09D129/14 , C09D161/06 , C09D163/00 , C09J9/02 , C09J11/04 , C09J161/06 , C09J163/00 , C08L61/04
Abstract: 本发明提供了一种含硼的薄片状石墨，平均厚度为100nm以下，平均片径dc为0.01～100μm。本发明提供了一种导电性树脂组合物、以及使用它的导电性涂料和导电性粘合剂，所述导电性树脂组合物含有树脂成分和碳成分，所述碳成分至少包含所述含硼的薄片状石墨，所述碳成分的含量相对于100质量份的所述树脂成分为5～4000质量份。
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公开(公告)号：CN101027248B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200580032294.5
申请日：2005-09-22
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: B01J7/00 , B01J19/2495 , B01J2219/00085 , C01B7/20 , C23C16/4405 , Y10T137/0329 , Y10T137/6525 , Y10T137/6606 , Y10T137/87652
Abstract: 本发明涉及一种生产氟气的方法，包括步骤(1)使用具有透气性的结构体将配有加热装置的氟气发生容器的内部分区，然后在每个区域中装入高价金属氟化物并将该高价金属氟化物加热，由此生成氟气。该方法可以包括步骤(2)使已在步骤(1)中由其生成氟气的高价金属氟化物吸留氟气。根据本发明的方法，可以廉价地大规模生产可用作半导体或液晶制造工艺中的蚀刻气体或清洁气体的高纯氟气。
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公开(公告)号：CN101027248A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200580032294.5
申请日：2005-09-22
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: B01J7/00 , B01J19/2495 , B01J2219/00085 , C01B7/20 , C23C16/4405 , Y10T137/0329 , Y10T137/6525 , Y10T137/6606 , Y10T137/87652
Abstract: 本发明涉及一种生产氟气的方法，包括步骤(1)使用具有透气性的结构体将配有加热装置的氟气发生容器的内部分区，然后在每个区域中装入高价金属氟化物并将该高价金属氟化物加热，由此生成氟气。该方法可以包括步骤(2)使已在步骤(1)中由其生成氟气的高价金属氟化物吸留氟气。根据本发明的方法，可以廉价地大规模生产可用作半导体或液晶制造工艺中的蚀刻气体或清洁气体的高纯氟气。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110546743B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN201880027461.4
申请日：2018-06-01
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 福世知行
IPC: H01L21/3065
Abstract: 提供一种能够将硅氮化物层的蚀刻速度和硅氧化物层的蚀刻速度控制为相同程度的蚀刻方法。将具备具有层叠了的硅氧化物层(2)和硅氮化物层(3)的层叠膜(5)的被处理体，通过含有由碳、溴和氟构成的卤化碳化合物的蚀刻气体进行处理。硅氧化物层(2)和硅氮化物层(3)以相同程度的蚀刻速度被蚀刻。
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公开(公告)号：CN113302269A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201980089054.0
申请日：2019-10-31
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C11D1/62 , C11D7/32 , C11D7/34 , C11D7/50 , H01L21/304
Abstract: 提供具有高的蚀刻速度，抑制了对器件晶圆等的基材与固定胶带等的粘着层的接触界面的浸入的粘接性聚合物的分解清洗组合物。一个实施方式的分解清洗组合物是包含氟化烷基季铵或氟化烷基季铵的水合物、和非质子性溶剂的、粘接性聚合物的分解清洗组合物，非质子性溶剂包含(A)氮原子上不具有活性氢的N‑取代酰胺化合物、和(B)选自亚砜化合物和砜化合物中的至少1种有机硫氧化物。
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公开(公告)号：CN110546743A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201880027461.4
申请日：2018-06-01
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 福世知行
IPC: H01L21/3065
Abstract: 提供一种能够将硅氮化物层的蚀刻速度和硅氧化物层的蚀刻速度控制为相同程度的蚀刻方法。将具备具有层叠了的硅氧化物层(2)和硅氮化物层(3)的层叠膜(5)的被处理体，通过含有由碳、溴和氟构成的卤化碳化合物的蚀刻气体进行处理。硅氧化物层(2)和硅氮化物层(3)以相同程度的蚀刻速度被蚀刻。
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公开(公告)号：CN100577575C
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200580030394.4
申请日：2005-09-08
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: C01B7/20 , C01G45/06 , C01P2006/80
Abstract: 公开了制造氟化锰的方法，包括：步骤(1)，使已经在不低于100℃的温度干燥的锰化合物(例如MnF2)与氟化剂(例如F2)在50至250℃的温度反应，和步骤(2)，进一步使步骤(1)中获得的产物与氟化剂在250至450℃的温度反应。根据该方法，可以在不经过升华和凝固步骤的情况下，在低温和低压条件下容易并廉价地大规模制造能够生成氟气的氟化锰。
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