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公开(公告)号：CN100341050C
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200510081819.6
申请日：2005-06-30
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/1278 , G11B5/656 , G11B2005/0005
Abstract: 一种包含垂直双层介质和磁头的垂直磁记录装置，其中垂直双层介质包括基底(1)、包含软磁性层(3a)、中间层(4)和另一个软磁性层(3b)的软垫层(2)、以及垂直记录层(5)，其中两个软磁性层(3a，3b)彼此反铁磁性耦合；磁头包括主磁极(51)、旁轭(52)、以及激励线圈(53)。当低频信号通过所述的磁头记录到所述的垂直记录层(5)的时候，包含在所述软垫层(2)中的两个所述的软磁性层(3a，3b)之间的反铁磁性耦合力Hex_afc与在跨磁轨方向上的MWW最大值一半处的整个宽度之间的关系满足下列公式：Hex_afc＞1.6*ln((0.23-MWW)2*100))+25.6。
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公开(公告)号：CN1275231C
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200410031899.X
申请日：2004-03-31
IPC: G11B5/62
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/656
Abstract: 本文公开了垂直磁记录介质和磁记录/再现装置。一种垂直磁记录介质(10)，在垂直磁记录层(4)之下形成了一个内涂层(3)，它具有若干晶体颗粒和一种含有碳化物或硼化物的颗粒边界材料，在上述内涂层(3)之下形成了另一个内涂层(2)，它含有形成晶体颗粒的元素之一。通过进一步缩小垂直磁记录层(4)的颗粒尺寸，它能够进行高密度记录。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101809658B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200880109314.8
申请日：2008-07-24
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/855 , B82Y10/00 , G11B5/743 , G11B5/746 , G11B5/82 , G11B5/865 , Y10T29/49025 , Y10T29/4903 , Y10T29/49032
Abstract: 本发明提供一种制造具有磁分离了的磁记录图形的磁记录介质的方法，该方法的特征在于，包括按以下的(1)～(3)的顺序进行实施的3个工序：(1)在非磁性基板上形成磁性层的工序；(2)除去将磁性层磁分离的区域的磁性层表层部分的工序；(3)将通过除去该磁性层表层部分而露出的磁性层区域的表面暴露于反应性等离子体或反应性离子，降低该磁性层区域的矫顽力和残余磁化，由此形成被具有改性了的磁特性的磁性层区域磁分离的磁记录图形的工序。根据该方法能够高生产率地制造具有增大的记录密度并且消除了磁记录时溢写的磁记录介质。
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公开(公告)号：CN102027539A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200980117004.5
申请日：2009-05-12
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: G11B5/851
Abstract: 本发明提供使用同一个在线式装置进行介质的制造，由此能够减少处理造成的污染、提高生产率的磁记录介质的制造方法。该磁记录介质的制造方法，其特征在于，依次地具有：将至少层叠有记录磁性层和用于将所述记录磁性层图案化的掩模层的非磁性基板装载于运载器的装载工序；通过对所述记录磁性层之中的没有被所述掩模层覆盖的部位进行反应性等离子处理或离子照射处理而将磁特性改性，形成由残存的磁性体构成的磁记录图案的改性工序；除去所述掩模层的除去工序；在所述记录磁性层上形成保护膜的保护膜形成工序；以及，从所述运载器卸下所述非磁性基板的卸下工序。将所述改性工序、所述除去工序或所述保护膜形成工序中的任一个以上的工序分成多个室而连续处理。
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公开(公告)号：CN101970209A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200980103147.0
申请日：2009-01-28
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: B29C59/02 , G11B5/84 , H01L21/027
CPC classification number: G11B5/855
Abstract: 本发明的目的在于提供使用氧蚀刻耐性优异且适用期长的抗蚀剂形成材料的、可以在常温下矩形性良好地进行压印(压纹)的凹凸图案形成方法。本发明的凹凸图案形成方法的特征在于，包括下述工序(1)、工序(2)和工序(3)，工序(1)：将包含下述组成式(A)所表示的倍半硅氧烷化合物的溶液涂布在被加工材料表面上以形成薄膜，工序(2)：将具有凹凸图案的母模按压在该薄膜上，工序(3)：将所述母模从所述薄膜上剥离。R1R2Si2O3组成式(A)(在上述组成式(A)中，R1和R2各自独立地表示特定基团。)。
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公开(公告)号：CN1538390A
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN200410031899.X
申请日：2004-03-31
IPC: G11B5/62
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/656
Abstract: 本文公开了垂直磁记录介质和磁记录/再现装置。一种垂直磁记录介质(10)，在垂直磁记录层(4)之下形成了一个内涂层(3)，它具有若干晶体颗粒和一种含有碳化物或硼化物的颗粒边界材料，在上述内涂层(3)之下形成了另一个内涂层(2)，它含有形成晶体颗粒的元素之一。通过进一步缩小垂直磁记录层(4)的颗粒尺寸，它能够进行高密度记录。
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公开(公告)号：CN1505006A
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：CN200310118358.6
申请日：2003-11-25
IPC: G11B5/66
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/656 , G11B5/84
Abstract: 本发明涉及垂直磁记录介质、其制造方法以及磁记录－再现装置，其中的垂直磁记录介质(10)包括在280－450℃下用磁层形成材料形成的垂直磁层(2)，所述磁层形成材料包含至少一种从包括钴、铂、铬、钼和钨的组中选择的添加成分，垂直磁层(2)构造为包括相互之间被晶粒边界分离开的多个磁晶粒，并且提供在晶粒边界中偏析所述添加成分的垂直磁层(2)。
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