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公开(公告)号:CN1082019A
公开(公告)日:1994-02-16
申请号:CN93106509.7
申请日:1993-05-29
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: C07C19/08 , C07C17/206 , C07C17/21 , C07C17/38 , C07C17/383 , C07C19/12
Abstract: 本发明公开了通过三氯乙烯与HF反应生产1,1,1,2-四氟乙烷的方法。该方法可以简化并提高生产1,1,1,2-四氟乙烷的设备和效率。
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公开(公告)号:CN102076644B
公开(公告)日:2015-03-11
申请号:CN200980125272.1
申请日:2009-06-24
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C07C17/10 , C07C17/383 , C07C19/10
CPC classification number: C07C17/10 , C07C17/383 , C07C19/10
Abstract: 本发明的课题在于提供在工业上经济高效地制造高纯度1,2,3,4-四氯六氟丁烷的方法。本发明的1,2,3,4-四氯六氟丁烷的制造方法,其特征在于,包括下述工序:通过使1,2,3,4-四氯丁烷和氟气反应,来得到含有1,2,3,4-四氯六氟丁烷和作为杂质的含氢化合物的反应产物的工序;通过将上述反应产物导入到单个或多个蒸馏塔中进行蒸馏,来从上述反应产物中分离出上述含氢化合物,从而得到纯化了的1,2,3,4-四氯六氟丁烷的工序。其中,上述蒸馏塔的至少一个是理论塔板数为15级以上的蒸馏塔。
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公开(公告)号:CN102171138B
公开(公告)日:2013-04-17
申请号:CN200980139487.9
申请日:2009-10-02
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: B01J37/26 , B01J21/04 , B01J23/26 , B01J23/75 , B01J27/12 , B01J27/128 , B01J27/132 , B01J35/1019 , B01J35/1038 , B01J35/1042 , B01J35/1061 , B01J35/108 , B01J37/0201 , C01B32/00 , C01B32/50 , C01B32/80
Abstract: 本发明的课题是提供有效、简便且低成本地制造作为半导体用蚀刻气体、半导体用清洁气体而受关注的重要化合物碳酰氟的方法。作为解决本发明课题的方法是,本发明的碳酰氟的制造方法,其特征在于,包括下述工序:使碳酰氯和氟化氢在氟化催化剂的存在下在气相中进行反应,来生成碳酰氟和氯化氢的工序;以及将包含上述碳酰氟和上述氯化氢的混合物和与氯化氢有共沸关系但与碳酰氟没有共沸关系的有机溶剂进行混合,对它们进行蒸馏来分离出碳酰氟的工序。
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公开(公告)号:CN101663257B
公开(公告)日:2013-02-13
申请号:CN200880012880.7
申请日:2008-04-14
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明的1,2,3,4-四氯六氟丁烷之类含氟化合物的制造方法的特征在于,使1,2,3,4-四氯丁烷之类卤代烃化合物在无溶剂、且无催化剂的条件下,在液相或固液共存状态下与氟气接触。本发明可以在不使用反应溶剂、反应催化剂的条件下由卤代烃化合物容易地制造含氟化合物。
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公开(公告)号:CN101646640B
公开(公告)日:2013-01-09
申请号:CN200880010194.6
申请日:2008-03-27
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C07C17/087 , C07C17/08 , C07C17/358 , C07C19/10 , C07C21/09
Abstract: 本发明的含氯含氟化合物的制造方法的特征在于,在氟气存在下进行向具有碳-碳不饱和键的含氢化合物的碳-碳不饱和键加成氯原子的反应。该具有碳-碳不饱和键的含氢化合物可以是3,4-二氯-1-丁烯。另外,本发明提供可由上述3,4-二氯-1-丁烯经济且高效地制备1,2,3,4-四氯六氟丁烷的方法。根据本发明,可以用1个工序进行具有碳-碳不饱和键的含氢化合物的氯化和氟化,因此与现有的分别进行2个反应的反应相比,可以高收率且经济地制备含氯含氟化合物。
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公开(公告)号:CN101646640A
公开(公告)日:2010-02-10
申请号:CN200880010194.6
申请日:2008-03-27
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C07C17/087 , C07C17/08 , C07C17/358 , C07C19/10 , C07C21/09
Abstract: 本发明的含氯含氟化合物的制造方法的特征在于,在氟气存在下进行向具有碳-碳不饱和键的含氢化合物的碳-碳不饱和键加成氯原子的反应。该具有碳-碳不饱和键的含氢化合物可以是3,4-二氯-1-丁烯。另外,本发明提供可由上述3,4-二氯-1-丁烯经济且高效地制备1,2,3,4-四氯六氟丁烷的方法。根据本发明,可以用1个工序进行具有碳-碳不饱和键的含氢化合物的氯化和氟化,因此与现有的分别进行2个反应的反应相比,可以高收率且经济地制备含氯含氟化合物。
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公开(公告)号:CN101641311A
公开(公告)日:2010-02-03
申请号:CN200880009847.9
申请日:2008-03-26
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: C07C17/383 , C07C17/10 , C07C17/389 , C07C19/10
Abstract: 本发明1,2,3,4-四氯六氟丁烷的制造方法的特征在于,在含有氟化氢的溶剂的存在下,使氟与1,2,3,4-四氯丁烷反应。该1,2,3,4-四氯丁烷可以通过3,4-二氯-1-丁烯的氯化而得到。另外,本发明还提供对如所述那样得到的1,2,3,4-四氯六氟丁烷进行纯化的方法。根据本发明,通过使用以往作为氯丁二烯的副产物而被废弃的1,2,3,4-四氯丁烷,可以在工业上高效地制造作为六氟-1,3-丁二烯的合成原料是有用的1,2,3,4-四氯六氟丁烷,所述六氟-1,3-丁二烯可以例如作为半导体用蚀刻气体来使用。
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公开(公告)号:CN101479220A
公开(公告)日:2009-07-08
申请号:CN200780024214.0
申请日:2007-06-28
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C07C17/38 , C07C17/383 , C07C17/389 , C07C21/18 , C23C16/44 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: C23C16/4405 , C07C17/38 , C07C17/383 , C07C17/389 , C07C21/18
Abstract: 本发明的目的是提供高纯度六氟丙烯的有利的工业制造方法,并提供该高纯度六氟丙烯的用途,具体地说,是提供用于除去半导体制造装置内或液晶制造装置内的沉积物的清洗气。本发明的高纯度六氟丙烯的制造方法是将经由氯二氟甲烷热分解而制造的粗六氟丙烯进行纯化,从而制造高纯度六氟丙烯的方法,包括下述工序(1)和工序(2),工序(1):使所述粗六氟丙烯与含有平均细孔径为3.4~11的沸石和/或平均细孔径为3.5~11的碳质吸附剂的吸附剂接触,从而降低粗六氟丙烯中的含氯化合物和/或烃类的含量;工序(2):通过蒸馏来降低工序(1)所得的六氟丙烯中的低沸点成分的含量。
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公开(公告)号:CN101432253A
公开(公告)日:2009-05-13
申请号:CN200780014929.8
申请日:2007-04-25
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C07C17/23 , C07C17/383 , C07C21/20
CPC classification number: C07C21/20 , C07C17/02 , C07C17/04 , C07C17/10 , C07C17/23 , C07C17/25 , C07C17/358 , C07C17/383 , C07C21/09 , C07C19/01 , C07C19/10 , C07C21/21
Abstract: 本发明提供可以作为半导体用途的微细加工用蚀刻气体使用的六氟-1,3-丁二烯的安全、廉价、且经济的工业制造方法。本发明所涉及的六氟-1,3-丁二烯的制造方法的特征在于,包括(1)在稀释气体存在下,在气相中使碳原子数为4的化合物与氟气反应,从而得到含有生成物(A)的混合物的工序,所述碳原子数为4的化合物中每个碳原子上含有一个选自溴原子、碘原子和氯原子中的原子,和(2)在溶剂存在下,将工序(1)中得到的生成物(A)用金属使除了氟原子之外的卤素脱离,从而得到含有六氟-1,3-丁二烯的混合物的工序。
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公开(公告)号:CN1314640C
公开(公告)日:2007-05-09
申请号:CN03800969.2
申请日:2003-06-30
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C07C17/389 , C07C19/08
CPC classification number: C07C19/08 , C07C17/10 , C07C17/206 , C07C17/21 , C07C17/389
Abstract: 本发明涉及一种纯化五氟乙烷的方法,包括将含有选自含一个碳原子的含氢氟烃、含一个碳原子的含氢氯氟烃和含一个碳原子的含氢氯烃中的至少一种化合物的粗五氟乙烷与吸附剂接触以降低所述化合物的含量,所述吸附剂包括平均孔径为3-6且硅/铝比为2.0或更低的沸石和/或平均孔径为3.5-6的含碳吸附剂。经纯化的气体可以用作低温制冷剂或蚀刻气体。
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