公开(公告)号：CN109841541B

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN201811380345.9

申请日：2018-11-20

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 本山和道 ,  奥野好成 ,  梅田喜一 ,  深田启介

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及SiC外延生长装置。本实施方式涉及的SiC外延生长装置具备：基座，具有能够载置晶片的载置面；加热器，在所述基座的与所述载置面相反侧与所述基座分离地设置；以及圆环状的辐射构件，在俯视时与载置于所述基座的晶片的外周部重叠的位置与所述基座的与所述载置面相对的背面接触，所述辐射构件的辐射率比所述基座高，从所述加热器观察时所述辐射构件的一部分露出。

公开(公告)号：CN109778144B

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN201811323045.7

申请日：2018-11-08

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 石桥直人 ,  深田启介 ,  梅田喜一 ,  儿玉友弘

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/02

Abstract: 一种化学气相沉积装置，具备在内部进行气相生长的反应炉和从所述反应炉排出气体的排气配管，所述排气配管具有至少1个弯曲部，在所述弯曲部具备从所述弯曲部向不同的方向延伸出且在内部具有堆积物的存积空间的至少1个配管延长部。

公开(公告)号：CN110520966A

公开(公告)日：2019-11-29

申请号：CN201880025453.6

申请日：2018-05-09

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 深田启介 ,  石桥直人 ,  渥美广范

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明一方案的成膜装置，具备：成膜室即成膜空间；成膜处理前室；向成膜空间供给原料的原料供给口；用于对晶片的温度进行测定的开口部，所述晶片载置于在所述成膜空间内配置的载置台的晶片载置面上；以及将所述成膜空间与成膜处理前室进行间隔的间隔板，所述原料供给口位于与所述间隔板同一面、或比所述间隔板靠所述成膜空间侧的位置，所述开口部位于比所述间隔板靠所述成膜处理前室侧的位置。

公开(公告)号：CN109937468A

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201780070214.8

申请日：2017-12-11

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 石桥直人 ,  深田启介 ,  坂东章

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C30B25/16 ,  C30B29/36 ,  H01L21/20

Abstract: 提供一种p型SiC外延晶片的制造方法，具有设定原料气体中的C元素与Si元素的比率即投入原料C/Si比的工序；以及在上述原料气体、分子内包含Cl的Cl系气体以及分子内包含Al和C的掺杂剂气体存在的成膜气氛下在基板上形成p型SiC外延膜而得到Al掺杂剂浓度为1×1018cm-3以上的p型SiC外延晶片的工序，上述投入原料C/Si比基于包含上述掺杂剂气体所含的C元素的成膜气氛中的C元素与Si元素的比率即总气体C/Si比来设定，上述投入原料C/Si比与上述总气体C/Si比不同，上述投入原料C/Si比为0.8以下。

公开(公告)号：CN109075038A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780012924.5

申请日：2017-02-27

Applicant: 纽富来科技股份有限公司 ,  昭和电工株式会社 ,  一般财团法人电力中央研究所

Inventor： 铃木邦彦 ,  池谷尚久 ,  深田启介 ,  伊藤雅彦 ,  镰田功穗 ,  土田秀一 ,  藤林裕明 ,  上东秀幸 ,  内藤正美 ,  原一都 ,  青木宏文 ,  小泽隆弘

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/6719 ,  B01F3/028 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45587 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/205

Abstract: 提供能够抑制气体的蔓延、能够抑制由沉积物的附着引起的颗粒的发生、能够防止形成的膜发生结晶缺陷的成膜装置。供给部(4)具备：第1隔壁(32)；第2隔壁(401)，以规定间隔设置于第1隔壁的下部；第3隔壁(402)，以规定间隔设置于第2隔壁的下部；第1流路(431)，设置在供第1气体导入的第1隔壁与第2隔壁之间；第2流路(432)，设置在供第2气体导入的第2隔壁与第3隔壁之间；第1配管(411)，从第2隔壁一直到第3隔壁的下方，与第1流路连通；第2配管(421)，设置为包围第1配管，从第3隔壁一直到第3隔壁的下方，与第2流路连通；以及凸部，设置在第1配管的外周面(411c)或第2配管的内周面(421b)，从第1配管的外周面以及第2配管的内周面的一方朝向另一方突出。

公开(公告)号：CN111540782A

公开(公告)日：2020-08-14

申请号：CN202010079770.5

申请日：2020-02-04

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 西原祯孝 ,  深田启介

IPC: H01L29/16 ,  H01L21/02 ,  C30B25/20 ,  C30B28/14 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明提供VF劣化得到抑制的SiC外延晶片。本发明的SiC外延晶片(10)是在SiC单晶基板(1)上形成有SiC外延层(2)的SiC外延晶片，SiC外延层(2)所包含的由基板的微管引起的大凹坑缺陷和由基板碳夹杂物引起的大凹坑缺陷的合计密度为1个/cm2以下。

公开(公告)号：CN110878429A

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：CN201910826274.9

申请日：2019-09-03

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 余佳 ,  石桥直人 ,  深田启介 ,  梅田喜一 ,  渥美广范

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/12 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明提供基座和化学气相生长装置。该基座是被用于在晶片的主面上采用化学气相生长法使外延膜生长的化学气相生长装置的基座，具有基台和配置于所述基台的外周部的用于支持所述晶片的外周部的3个突起部。

公开(公告)号：CN110192266A

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201780082719.6

申请日：2017-12-25

Applicant: 昭和电工株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 深田启介 ,  石桥直人 ,  坂东章 ,  伊藤雅彦 ,  镰田功穗 ,  土田秀一 ,  原一都 ,  内藤正美 ,  上东秀幸 ,  藤林裕明 ,  青木宏文 ,  杉浦利和 ,  铃木克己

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C30B25/16 ,  C30B29/36 ,  H01L21/20

Abstract: 一种SiC外延晶片，具有主面相对于(0001)面具有0.4°～5°的偏离角的SiC单晶基板、和设置于所述SiC单晶基板上的外延层，所述外延层，从所述SiC单晶基板绵延到其外表面的基底面位错密度为0.1个/cm2以下，内在3C三角缺陷密度为0.1个/cm2以下。

公开(公告)号：CN109778144A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201811323045.7

申请日：2018-11-08

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 石桥直人 ,  深田启介 ,  梅田喜一 ,  儿玉友弘

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/02

Abstract: 一种化学气相沉积装置，具备在内部进行气相生长的反应炉和从所述反应炉排出气体的排气配管，所述排气配管具有至少1个弯曲部，在所述弯曲部具备从所述弯曲部向不同的方向延伸出且在内部具有堆积物的存积空间的至少1个配管延长部。