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公开(公告)号：CN1953168B
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN200610135629.2
申请日：2006-10-18
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 新光电气工业株式会社
IPC: H01L23/495
CPC classification number: H01L23/49582 , H01L24/48 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/85464 , H01L2924/00014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/181 , H05K3/3426 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 一种引线框架，即便是外部引线间距小也能够确实进行与无铅焊锡熔合的电镀层。具体的为在引线框架材料(9)上实施了四层电镀层。这些电镀层从最下层起为：基层电镀层(镍)(10)/钯电镀层(11)/银电镀层(12)/金电镀层(13)。
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公开(公告)号：CN101499480A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200810188505.X
申请日：2008-12-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L23/36
CPC classification number: H01L27/14618 , H01L23/3677 , H01L23/481 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L2224/02351 , H01L2224/02372 , H01L2224/0401 , H01L2224/05 , H01L2224/05548 , H01L2224/06181 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2924/014
Abstract: 本发明公开了一种半导体芯片及一种半导体装置。半导体芯片(10)包括基板(11)、形成在基板(11)的元件形成面一侧并具有多个半导体元件的集成电路(12)、形成在基板(11)中与多个半导体元件中的规定半导体元件(30)相对应的区域内的放热插塞(31)、以及形成在放热插塞(31)中除了放热插塞(31)的上端部以外的部分与基板(11)之间的第一绝缘膜(16)。放热插塞(31)由填充到在与元件形成面相反一侧的面上开口的非贯通孔内并且热导率高于基板(11)的热导率的材料形成，该放热插塞(31)的上端部与基板(11)接触。因此，能够实现从半导体基板的背面一侧高效地放热的半导体芯片。
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公开(公告)号：CN1953168A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200610135629.2
申请日：2006-10-18
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 新光电气工业株式会社
IPC: H01L23/495
CPC classification number: H01L23/49582 , H01L24/48 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/85464 , H01L2924/00014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/181 , H05K3/3426 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 一种引线框架，即便是外部引线间距小也能够确实进行与无铅焊锡熔合的电镀层。具体的为在引线框架材料(9)上实施了四层电镀层。这些电镀层从最下层起为：基层电镀层(镍)(10)/钯电镀层(11)/银电镀层(12)/金电镀层(13)。
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