公开(公告)号：CN103429539A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201280014102.8

申请日：2012-05-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 熊谷裕典 ,  今井伸一

IPC: C02F1/48

CPC classification number: C02F1/48 ,  C02F1/4608 ,  C02F2001/46123 ,  C02F2001/46138 ,  C02F2001/46152 ,  C02F2201/46125 ,  C02F2201/46175 ,  C02F2201/4619 ,  C02F2209/38 ,  C02F2303/04 ,  C02F2305/023 ,  C02F2307/12

Abstract: 等离子体产生装置具有：储存了被处理水(510)的处理槽(509)；处理槽内的第1电极(504)及第2电极(502)；产生气泡(506)，使得第1电极(504)的导电体露出于被处理水中的表面位于气泡(506)内的气泡产生部；向气泡产生部供给气体的气体供给装置(505)；与第1及第2电极(502、504)连接的脉冲电源(501)；和在第1电极的至少露出导电体的表面位于气泡内时，控制气体供给装置及电源的一方或双方，使得向第1及第2电极(502、504)间施加电压的控制装置(520)。

公开(公告)号：CN1661792A

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN200510006565.1

申请日：2005-02-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大塚英树 ,  青木则茂 ,  今井伸一

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/02074 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，在衬底上的绝缘膜形成布线沟后，以在绝缘膜上将布线沟埋起的方式形成铜膜。接着，研磨存在于布线沟外部的铜膜部分形成布线后，对衬底进行清洗处理。其后，在真空状态下除去露出在布线之间的绝缘膜部分附近的残留水分。这样，通过除去对铜膜进行化学机械研磨后残留在绝缘膜上的水分，便防止铜迁移到绝缘膜上，并防止布线之间的短路。

公开(公告)号：CN1577759A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410063679.5

申请日：2004-07-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 宫坂幸太郎 ,  今井伸一

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/66

CPC classification number: B24B37/105 ,  B24B21/04 ,  B24B49/16

Abstract: 本发明公开了一种研磨装置的管理方法。本发明的目的在于：提供一种管理研磨装置的方法，使其能够减少在晶片之间产生的研磨量的不均匀，进行高精度地研磨。具备检测施加在为被研磨对象的晶片上的压力的压力检测器的研磨装置的管理方法，包括：将在等待晶片的研磨的第1时间由压力检测器检测出的第1压力值、和在进行晶片的研磨的第2时间由压力检测器检测出的第2压力值的差值计算出来，作为在第2时间实际施加在晶片上的实际压力值的步骤；以及监测实际压力值的步骤。