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公开(公告)号:CN1712831A
公开(公告)日:2005-12-28
申请号:CN200510076480.0
申请日:2005-06-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: F24F7/06
CPC classification number: H01L21/67733 , F24F3/161 , H01L21/67017
Abstract: 一种清洁室、局部清洁系统、其使用方法及清洁室安全系统,实现简便地短时间地能够构筑在清洁室内区域具有必要的清洁度的局部清洁化区域。本发明的局部清洁化系统,包括在清洁室内天花板下配置了格子状运送用轨道和沿着运送用轨道运送可能的自走式风扇过滤单元。通过将自走式风扇过滤单元,使用运送用轨道在清洁室内所规定的区域移动,可在清洁室内所规定区域形成与除该所规定区域以外的区域清洁度高的局部清洁化区域。
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公开(公告)号:CN1715152A
公开(公告)日:2006-01-04
申请号:CN200510076482.X
申请日:2005-06-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: B65G1/00
CPC classification number: H01L21/67769 , H01L21/67017 , H01L21/67772
Abstract: 一种半导体基板保存库、保存方法及用它的半导体基板的制造方法,是在不使收纳容器的构造复杂的情况下在清洁的环境下保存半导体基板实现简便低成本高信赖性的保存库、保管方法及用它的半导体装置的制造方法。保存库(104),包括空洞部(107)和通道部(120)。将通道部(120)的通道部门(106)与收纳容器(101)的盖体(102)的面相对紧密连接后,通过将盖体(102)从收纳容器(101)揭下,可以不使外界气体进入收纳容器(101)使空洞部(107)与收纳容器(101)连通。
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公开(公告)号:CN1661792A
公开(公告)日:2005-08-31
申请号:CN200510006565.1
申请日:2005-02-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/02074 , H01L21/3212 , H01L21/7684 , H01L21/76877
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制造方法,在衬底上的绝缘膜形成布线沟后,以在绝缘膜上将布线沟埋起的方式形成铜膜。接着,研磨存在于布线沟外部的铜膜部分形成布线后,对衬底进行清洗处理。其后,在真空状态下除去露出在布线之间的绝缘膜部分附近的残留水分。这样,通过除去对铜膜进行化学机械研磨后残留在绝缘膜上的水分,便防止铜迁移到绝缘膜上,并防止布线之间的短路。
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