公开(公告)号：CN1591790A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410056057.X

申请日：2004-08-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大塚英树 ,  宫田毅 ,  松本宗之 ,  河野宽

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/02074 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/7684

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制造方法。利用过氧化氢溶液氧化通过CMP工序在半导体衬底1上形成铜布线6之际所产生的残留物及布线间桥梁9而成为氧化铜以后，再利用草酸溶液溶解并除去氧化铜。这样一来，就可在不损伤铜布线6主体的情况下，除去残留异物及布线间桥梁9。结果是，进行完化学机械研磨之后，不会在铜布线的表面产生凹状缺陷，确实能除去由铜形成的布线间桥梁等污染物，制造出无短路、无断线的半导体器件。

公开(公告)号：CN1661792A

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN200510006565.1

申请日：2005-02-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大塚英树 ,  青木则茂 ,  今井伸一

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/02074 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，在衬底上的绝缘膜形成布线沟后，以在绝缘膜上将布线沟埋起的方式形成铜膜。接着，研磨存在于布线沟外部的铜膜部分形成布线后，对衬底进行清洗处理。其后，在真空状态下除去露出在布线之间的绝缘膜部分附近的残留水分。这样，通过除去对铜膜进行化学机械研磨后残留在绝缘膜上的水分，便防止铜迁移到绝缘膜上，并防止布线之间的短路。