-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101599617B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN200910203147.X
申请日：2009-06-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/1064 , H01S5/34313 , H01S5/34326 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01S2301/14
Abstract: 本发明提供一种半导体激光器装置，在半导体激光器的特性中可全部满足良好的温度特性、高偏光比、没有紊乱的FFP、高扭折光输出，其具备：n型包层；活性层；以及具有条纹状的脊、和分别夹着位于脊一侧的第1沟和位于另一侧的第2沟而设置的翼区域的p型包层。当设前端面的反射率为Rf，共振器端面的后端面的反射率为Rr，前端面附近区域的第1沟的宽度的最小值为W1及第2沟的宽度的最小值为W2，后端面的第1沟的宽度为W3及上述第2沟的宽度为W4时，Rf＜Rr，W1＜W3以及W2＜W4的关系式成立，当设前端面的脊的宽度为Wf，后端面的脊的宽度为Wr时，Wf＞Wr的关系式成立，脊包含由前端面侧向后端面侧宽度减少的区域。
-
公开(公告)号：CN101123343B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200710141399.5
申请日：2007-08-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0287 , H01S5/162 , H01S5/2201 , H01S5/221 , H01S5/2218 , H01S5/34326 , H01S5/4087 , H01S2301/18
Abstract: 衬底上具有多个发光部的半导体激光器，制造工序简化，降低了导波路损失且使水平及垂直扩散角相同。半导体激光装置，在同一衬底(10)上具有红色激光器(A)和红外激光器(B)。红色激光器(A)，是具有条纹(14a)的第一导电型第一包覆层(14)、第二导电型第二包覆层(12)夹着AlGaInP系列活性层(13)的构造。红外激光器(B)，是具有条纹(24a)的第一导电型第三包覆层(24)、第二导电型第四包覆层(22)夹着AlGaAs系列活性层(23)的构造。第一、第二、第三及第四包覆层(依次14、12、24、22)，均为AlGaInP系列，Al∶Ga的组成比依次分别为：X1∶1-X1、X2∶1-X2、X3∶1-X3、X4∶1-X4时，满足X1≥X2以及X3≥X4的关系。
-
公开(公告)号：CN101359806B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200810131165.7
申请日：2008-07-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0287 , H01S5/0655 , H01S5/1039 , H01S5/1064 , H01S5/162 , H01S5/2214 , H01S5/2216 , H01S5/2218 , H01S5/34326
Abstract: 本发明提供一种半导体激光器装置，使得外部微分量子效率的降低减小，高输出工作的状态下的发光效率的饱和不易产生，可以稳定进行基横模振荡。半导体激光器装置，具备：包含在基板上形成的第1包层、活性层和第2包层的共振器构造，第2包层具有取出激光的前端面与作为该前端面的相反侧端面的后端面之间延伸的条形部20。条形部20，具有设在所述端面侧的第1区域20a；设在后端面侧的第2区域20b；和设在第1区域20a与第2区域20b之间的宽度变化的变化区域20c。变化区域20c上的条形部的内部与外部的有效折射率差，比第1区域20a上的条形部的内部与外部的有效折射率差更大。
-
公开(公告)号：CN101490915B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200780026061.3
申请日：2007-06-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/223
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/0287 , H01S5/1014 , H01S5/1039 , H01S5/221 , H01S5/34326 , H01S5/3436 , H01S2301/18
Abstract: 本发明提供一种具有脊条构造的半导体激光装置(100)，具备：n型包层(105)，具有凸部；以及n型电流阻碍层(107)，覆盖除凸部的上表面之外的上述包层；设上述上表面的宽度为W，前后两解理面间的距离为L，前方的解理面上的上述上表面的宽度为Wf，后方的解理面上的上述上表面的宽度为Wr时，Wf＞Wr；在与前方的解理面的距离为L/2以内的范围内，上述上表面所占的面积Sc在L/8×(3Wf+Wr)＜Sc≤L/2×Wf的范围内，在上述范围内的任意的位置，W在1/2(Wf+Wr)＜W≤Wf的范围内。
-
公开(公告)号：CN101582564A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200910139065.3
申请日：2009-05-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/32325 , H01S5/0224 , H01S5/026 , H01S5/0425 , H01S5/2218 , H01S5/3202 , H01S5/32316 , H01S5/4087
Abstract: 本发明提供一种可进行红色和红外发光的半导体激光器装置，能够避免输出和特性的恶化，缩小元件幅度。半导体激光器装置(50)在基板(10)上具有红色激光器元件(1)和红外激光器元件(2)。红色激光器元件(1)具备双异质结构，InGaP类或AlGaInP类的活性层(13)被第(1)导电型包覆层(12)和有脊(14a)的第2导电型包覆层(14)夹持；红外激光器元件(2)具备双异质结构，GaAs类或AlGaAs类的活性层(23)被第1导电型包覆层(22)和有脊(24a)的第2导电型包覆层(24)夹持。当第1电极(31)在垂直于共振器长度方向的方向上宽度为W1，第2电极(32)在垂直于共振器长度方向的方向上宽度为W2时，满足W1＞W2以及80μm≥W2≥60μm的关系。
-
-
-
-
Search Results
15
records
(took 0.027 seconds)
