盘装置
    11.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101023481A

    公开(公告)日:2007-08-22

    申请号:CN200580031258.7

    申请日:2005-09-16

    Inventor: 加藤佳一

    Abstract: 在本发明中,在集成了前置放大器和各种传感放大器的磁头IC中,既使前置放大器处于读动作中,也能够进行对各种传感放大器的寄存器设定等的通信。而且,提供去除到现在为止通信所必需的通信线的盘装置。盘装置(100)包括:集成了读写前置放大器和各种传感放大器的磁头IC(1);FPC(21)和盘装置控制电路部(31)。磁头IC(1)的动作状态与各种传感放大器的检测值,通过放大器/通信控制电路(9)的寄存器值的设定和读出进行。通过切换该切换开关(7、32)将读信号差动输出线(25、26)或者写信号差动输入线(27、28)兼用作通信线。利用通信控制电路(34)和放大器/通信控制电路(9)进行的时分的非同步通信实现通信,该通信信号的电平或者读信号或者写信号设为相同电平。

    非易失性存储装置和对非易失性存储装置的写入方法

    公开(公告)号:CN102422361B

    公开(公告)日:2014-03-19

    申请号:CN201180002021.1

    申请日:2011-03-28

    Inventor: 加藤佳一

    Abstract: 本发明提供一种提高了写入动作的稳定性和可靠性的非易失性存储装置。该非易失性存储装置具备电阻变化型元件(106)和向电阻变化型元件(106)写入信息的写入电路(101),电阻变化型元件(106)具有以下特性,即:在施加第1电压(Vh或Vl)的脉冲后,从第1电阻状态(LR状态或HR状态)向第2电阻状态(HR状态或LR状态)变化,在施加极性与第1电压不同的第2电压(Vl或Vh)的脉冲后,从第2电阻状态向第1电阻状态变化。写入电路(101)在使电阻变化型元件(106)从第1电阻状态向第2电阻状态变化时,对于电阻变化型元件(106),至少将第1电压(Vh或Vl)的脉冲、电压的绝对值比第2电压小且极性与第2电压相等的第3电压(VlLow或VhLow)的脉冲、以及第1电压(Vh或Vl)的脉冲以该顺序来进行施加。

    交叉点型电阻变化非易失性存储装置及其写入方法

    公开(公告)号:CN103222004A

    公开(公告)日:2013-07-24

    申请号:CN201280003594.0

    申请日:2012-09-06

    Abstract: 本发明提供一种能够削减流过非选择存储单元的漏电流、并能够削减写入的消耗电流的交叉点型电阻变化非易失性存储装置。在由共有字线的第一存储单元组(例如,存储单元阵列(203)的一部分)、和第二存储单元组(例如,存储单元阵列(203)的其他的一部分、或补偿单元部(252))所构成的存储单元阵列中,在对第一存储单元组的规定的存储单元进行写入第一电阻状态的情况下,字线用写入电路(1502)对选择字线供给第一电压或第一电流,并且第一位线用写入电路(1503)对第一存储单元组的一个位线供给第三电压或第三电流的同时,第二位线用写入电路(1504)对第二存储单元组的A个位线供给第三电压或第三电流。

    非易失性闩锁电路及非易失性触发电路

    公开(公告)号:CN102714493A

    公开(公告)日:2012-10-03

    申请号:CN201280000414.3

    申请日:2012-01-19

    Inventor: 加藤佳一

    Abstract: 本发明的非易失性闩锁电路(100)具备电阻变化元件(1),将氧缺乏型的氧化物层夹持在第一及第二电极中,在电流从第一电极流向第二电极的方向施加第一写入电压,从而向低电阻状态推移,通过在电流从第二电极流向第一电极的方向施加第二写入电压,从而向高电阻状态推移,晶体管(6)的第一端子与上述第一电极连接,晶体管(7)的第一端子与上述第二电极连接,反演电路(20)的输出端子与晶体管(6)的第二端子连接,反演电路(21)的输出端子与晶体管(7)的第二端子连接,从高电阻状态向低电阻状态推移时,流过电阻变化元件(1)的第一电流的绝对值比从低电阻状态向高电阻状态推移时流过电阻变化元件(1)的第二电流的绝对值小。

    磁记录再生装置
    18.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1272788C

    公开(公告)日:2006-08-30

    申请号:CN02807609.5

    申请日:2002-06-06

    CPC classification number: G11B15/4676 G11B5/00839 G11B5/5927 G11B15/12

    Abstract: 一种磁记录再生装置,具有:具备有在磁带3上形成相对其长度方向倾斜的磁道进行信息信号的记录并进行磁道的再生的、方位角相互不同的第1磁头10a和第2磁头10b的旋转磁鼓1;向上述第1磁头10a和第2磁头10b输出记录同步信号的同步信号发生电路6;对上述磁带3进行再生并检测由上述第1和第2磁头再生的再生同步信号的时间差的同步信号时间差检测电路7;以及传送上述磁带3、并根据从同步信号时间差检测电路输出的再生同步信号时间差信息进行主导马达2的旋转的控制的主导马达驱动控制电路5。记录时,同步信号发生电路6大致同时向第1和第2磁头输出记录同步信号。再生时,第1和第2磁头再生记录的同步信号,同步信号时间差检测电路7不受旋转磁鼓1的颤动、偏心的影响,检测跟踪误差高精度地进行跟踪控制。

    交叉点型电阻变化非易失性存储装置及其写入方法

    公开(公告)号:CN103222004B

    公开(公告)日:2015-06-17

    申请号:CN201280003594.0

    申请日:2012-09-06

    Abstract: 本发明提供一种能够削减流过非选择存储单元的漏电流、并能够削减写入的消耗电流的交叉点型电阻变化非易失性存储装置。在由共有字线的第一存储单元组(例如,存储单元阵列(203)的一部分)、和第二存储单元组(例如,存储单元阵列(203)的其他的一部分、或补偿单元部(252))所构成的存储单元阵列中,在对第一存储单元组的规定的存储单元进行写入第一电阻状态的情况下,字线用写入电路(1502)对选择字线供给第一电压或第一电流,并且第一位线用写入电路(1503)对第一存储单元组的一个位线供给第三电压或第三电流的同时,第二位线用写入电路(1504)对第二存储单元组的A个位线供给第三电压或第三电流。

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