公开(公告)号：CN1649161A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN200410068384.7

申请日：2004-08-31

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 田中晶二 ,  宫川良平 ,  藤井俊哉 ,  田中康弘 ,  山形道弘 ,  冈山裕昭

IPC: H01L27/14

CPC classification number: H01L27/14601 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14605 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14685

Abstract: 一种固态成像装置，包括以两维形式设置在半导体衬底(1)上的若干个像素(2)。在每个像素中的预定区域中形成用于接收入射光(11)的光敏区(3)，并且每个像素包括用于将入射光转换成信号电荷的光电转换部分(4)。在至少一些像素中，当从半导体衬底的主表面正上方观看时，光敏区的中心偏离像素的中心。每个像素还包括光路改变部件(12a)和(12b)，用于偏转向像素中心行进的入射光，使其射向光敏区的中心。因此，提供一种同时实现像素小型化和高图像质量的固态成像装置。

公开(公告)号：CN103946982A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201280056111.3

申请日：2012-11-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森三佳 ,  广濑裕 ,  加藤刚久 ,  坂田祐辅 ,  益田洋司 ,  宫川良平

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/357 ,  H04N5/374

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14689

Abstract: 固体摄像装置具备：被配置为矩阵状的多个像素(11)；半导体衬底(101)；第一电极(113)，按每个像素(11)被形成在半导体衬底(101)的上方；光电转换膜(114)，被形成在第一电极(113)上，且对光进行光电转换，从而得到信号电荷；电荷积蓄区域(104)，被形成在半导体衬底(101)，积蓄由光电转换膜(114)进行光电转换而生成的信号电荷；接触插塞(107)，将对应的像素(11)的第一电极(113)与电荷积蓄区域(104)电连接；N型杂质区域(117)，被形成在电荷积蓄区域(104)的表面中的、与接触插塞(107)接触的区域；P型杂质区域(151)，被形成在不与接触插塞(107)接触的区域；以及低浓度N型杂质区域(150)，被形成在N型杂质区域(117)与P型杂质区域(151)之间。

公开(公告)号：CN101355094A

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200810135707.8

申请日：2008-07-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 胜野元成 ,  宫川良平 ,  大槻浩久

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L27/14605 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643

Abstract: 提供包括用简单的平面设置维持各布线层之间的连接的同时，能够抑制摄像区域的周边部的灵敏度的降低的构造的固体摄像装置。该固体摄像装置包括第一布线层、第二布线层、衬底接触点、和第一接触点。相对构成周边像素的受光部的衬底接触点的设置，比相对构成中心像素的受光部的衬底接触点的设置，从周边部向着中心部以偏移量r偏离设置，或者不偏离设置。相对构成周边像素的受光部的第一接触点的设置，比相对构成中心像素的受光部的第一接触点的设置，从周边部向着中心部以偏移量s1偏离设置。偏移量s1比偏移量r大。

公开(公告)号：CN100407434C

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200510065266.5

申请日：2005-04-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 宫川良平 ,  田中晶二

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14643 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/03529

Abstract: 本发明提供了一种固态图像传感器，其包括具有多个象素的半导体衬底1，并且每个象素包括杂质层2、光电转换层4、读出区域5和栅电极7。该杂质层2包括与位于栅电极7下紧挨栅电极7的衬底1的一部分相邻的邻接部分。该邻接部分包括沿栅极的宽度方向排列的子部分2a、2b和2c，所述栅极的宽度方向与信号电荷的输运方向以及衬底的厚度方向垂直。包含该邻接部分的中心的子部分2a中的杂质浓度低于子部分2b和2c中的杂质浓度。

公开(公告)号：CN1866530A

公开(公告)日：2006-11-22

申请号：CN200610082499.0

申请日：2006-05-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 田中晶二 ,  宫川良平

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14689

Abstract: 在(a)沿用于隔离像素单元的沟槽表面形成的缺陷控制层和(a)光电二极管之间的边界的部分中形成反型层。缺陷控制层为P型，光电二极管和反型层为N型。这里，反型层中的杂质浓度是光电二极管中杂质浓度的至少两倍。

公开(公告)号：CN1812113A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200510129674.2

申请日：2005-12-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 胜野元成 ,  宫川良平 ,  松长诚之

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14643 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14689

Abstract: 一种固体摄像装置，在检测电容部(104)和周围的晶体管的电容中，最大的电容是复位晶体管的电容。为了减小该电容，有效的方法是减小复位晶体管的沟道宽度，在复位晶体管的沟道、有源区和元件隔离区的边界线(100)附近，分布有提供极性与沟道相反的载流子的离子种(111)，从而能够减小有效沟道宽度。

公开(公告)号：CN1808721A

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN200610005787.6

申请日：2006-01-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 田中晶二 ,  宫川良平 ,  古贺一成 ,  平田达也 ,  长崎博记

IPC: H01L27/146 ,  H01L29/78 ,  H01L21/822 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/14643 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689 ,  H01L31/035236

Abstract: 本发明的一个目标是提供可以增加光电二极管中信号电荷累积的数量的固态成像器件及其制造方法。根据本发明的固态成像器件包括：形成于p型半导体基底之上的栅电极；n型信号累积区，累积通过光电转换获得的信号电荷，且其形成于半导体基底中，使信号累积区的一部分位于栅电极之下；n型漏区，位于半导体基底中，使n型漏区穿过上述栅电极与信号累积区相对；以及p型穿通阻止区，具有高于半导体基底的杂质浓度，并形成于半导体基底中，使p型穿通阻止区位于漏区之下，其中穿通阻止区的末端比漏区的末端更接近信号累积区。

公开(公告)号：CN1684269A

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN200510065266.5

申请日：2005-04-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 宫川良平 ,  田中晶二

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14643 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/03529

Abstract: 本发明提供了一种固态图像传感器，其包括具有多个象素的半导体衬底1，并且每个象素包括杂质层2、光电转换层4、读出区域5和栅电极7。该杂质层2包括与位于栅电极7下紧挨栅电极7的衬底1的一部分相邻的邻接部分。该邻接部分包括沿栅极的宽度方向排列的子部分2a、2b和2c，所述栅极的宽度方向与信号电荷的输运方向以及衬底的厚度方向垂直。包含该邻接部分的中心的子部分2a中的杂质浓度低于子部分2b和2c中的杂质浓度。

公开(公告)号：CN103703759A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201280037094.9

申请日：2012-07-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森三佳 ,  坂田祐辅 ,  广濑裕 ,  宫川良平 ,  土井博之 ,  筒井将史

IPC: H04N5/357 ,  H04N5/359 ,  H04N5/3745

CPC classification number: H04N5/3742 ,  H04N5/3575 ,  H04N5/363 ,  H04N5/374 ,  H04N5/3745

Abstract: 本发明具备：外延层（2）；多个像素电极（11）；被形成在多个像素电极上，将光转换成电信号的光电转换膜（12）；被形成在光电转换膜（12）上的透明电极（13）；以与多个像素电极（11）分别对应的方式被形成在外延层（2）内，并与对应的像素电极（11）电连接，对通过光电转换而在光电转换膜（12）生成的电荷进行蓄积的n型电荷蓄积区域（14）；以与电荷蓄积区域（14）的底部分别接触的方式被形成在外延层（2）内的p型电荷势垒区域（21）；以与电荷势垒区域（21）的底部分别接触的方式被形成在外延层（2）内的n型电荷排出区域（22）。

公开(公告)号：CN103404124A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201280010614.7

申请日：2012-02-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 广濑裕 ,  宫川良平 ,  上田哲也 ,  加藤刚久

IPC: H04N5/369 ,  H01L27/146 ,  H04N5/357 ,  H04N5/374

CPC classification number: H01L27/14638 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14667

Abstract: 本发明涉及的固体摄像装置(101)具备：基板(318)；多个下部电极(311)，以分别电分离的方式，呈矩阵状被配置在基板(318)的上方；极薄绝缘膜(310)，完全覆盖多个下部电极(311)，且被平坦化；光电转换膜(308)，被形成在极薄绝缘膜(310)的上方，将光转换为信号电荷；上部电极(307)，被形成在光电转换膜(308)的上方；以及信号读出电路(220)，被形成在基板(318)上，通过检测在多个下部电极(311)的每一个中发生的电流或电压的变化，从而生成与信号电荷对应的读出信号，极薄绝缘膜(310)能够传导电子以及空穴的至少一方。