公开(公告)号：CN102656671B

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201080020803.3

申请日：2010-12-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥本有子 ,  宫本明人

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66742 ,  H01L29/7869 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/102

Abstract: 一种半导体晶体管的制造方法，包括：第1工序，在包括基板的基底层上形成含有抗蚀剂材料的抗蚀剂层(4)；第2工序，对抗蚀剂层(4)进行局部图案形成，在抗蚀剂层(4)形成多个开口；第3工序，在抗蚀剂层(4)上及抗蚀剂层(4)的多个开口的内部形成含有构成源电极及漏电极的金属材料的金属层(5)；第4工序，对由于金属层(5)的表面部分被氧化而形成的金属氧化物层(6)，使用清洗液进行清洗处理由此将其除去；第5工序，在第4工序之后，使用与所述清洗液不同的溶解液除去抗蚀剂层(4)，由此形成由在抗蚀剂层(4)的多个开口形成的金属层构成的源电极(7)及漏电极(8)；和第6工序，覆盖源电极(7)及漏电极(8)地形成半导体层(9)。

公开(公告)号：CN103460357A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201280008791.1

申请日：2012-09-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥本有子 ,  宫本明人 ,  受田高明

IPC: H01L21/336 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/08 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3274 ,  H01L29/66765 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/105

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管器件及其制造方法、有机EL显示元件和有机EL显示装置。在通过隔壁的围绕构成的第1开口部和第2开口部内分别形成有薄膜晶体管元件。在此，在俯视第1开口部的底部的情况下，其底部的源电极与漏电极的表面积之和的中心位置与该底部的面积的中心位置相比向与第2开口部相邻的一侧的相反侧远离，另外，在俯视第2开口部的底部的情况下，其底部的源电极与漏电极的表面积之和的中心位置与该底部的面积的中心位置相比向与第1开口部相邻的一侧的相反侧远离。

公开(公告)号：CN103370775A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201280008787.5

申请日：2012-09-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥本有子 ,  宫本明人 ,  受田高明

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L27/3258 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/283 ,  H01L27/3262 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/0558

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管器件及其制造方法、有机EL显示元件和有机EL显示装置。在通过隔壁的围绕构成的第1开口部和第2开口部内分别形成有薄膜晶体管元件。在此，在俯视第1开口部的底部的情况下，其底部的亲液层的表面积的中心位置与该底部的面积的中心位置相比向与第2开口部相邻的一侧的相反侧远离，另外，在俯视第2开口部的底部的情况下，其底部的亲液层的表面积的中心位置与该底部的面积的中心位置相比向与第1开口部相邻的一侧的相反侧远离。

公开(公告)号：CN100492697C

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200480023853.1

申请日：2004-08-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 宫本明人

IPC: H01L51/00 ,  H01L29/80 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L51/0508 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/057

Abstract: 本发明提供一种抑制由有机半导体构成的活性层的分子取向、提高载流子迁移率的纵型有机FET。本发明涉及基板上至少设有源极层、漏极层、栅电极和活性层，具有源极层、活性层和漏极层依次叠层的结构的纵型有机FET，其特征在于：(1)上述源极层和漏极层实质上与基板表面平行地配置；(2)上述源极层和漏极层由导电性部件构成；(3)上述活性层实质上由以4价或6价的元素作为中心原子、并且分子面的上下方向分别配位有配位基X1和X2的酞菁类化合物构成；(4)上述化合物以上述化合物的各分子的分子面与源极层和漏极层中的至少一方成为平行状态的方式叠层。

公开(公告)号：CN103477440B

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201280015998.1

申请日：2012-09-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 受田高明 ,  宫本明人

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L51/0545 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/102

Abstract: 本发明提供一种有机薄膜晶体管及其制造方法，包括：在基板（1）上形成栅电极（2）的工序；在栅电极上形成栅极绝缘膜（3）的工序；在栅极绝缘膜上形成源电极（4S）和漏电极（4D）的工序；在源电极和漏电极上形成牺牲层（5）的工序；在牺牲层上形成隔壁层（6R）的工序；通过对隔壁层进行图案形成，使牺牲层的一部分露出而形成开口的工序；通过除去露出的牺牲层，使源电极和漏电极露出的工序；和遍及源电极和漏电极的上表面以及栅极绝缘膜的上表面而形成有机半导体层（7）的工序，从开口露出的源电极和漏电极的表面积为开口面积的50%以上，源电极与漏电极的间隔小于至少一部分位于源电极和漏电极上的有机半导体层的结晶的平均粒径。

公开(公告)号：CN103460357B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201280008791.1

申请日：2012-09-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥本有子 ,  宫本明人 ,  受田高明

IPC: H01L21/336 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/08 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3274 ,  H01L29/66765 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/105

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管器件及其制造方法、有机EL显示元件和有机EL显示装置。在通过隔壁的围绕构成的第1开口部和第2开口部内分别形成有薄膜晶体管元件。在此，在俯视第1开口部的底部的情况下，其底部的源电极与漏电极的表面积之和的中心位置与该底部的面积的中心位置相比向与第2开口部相邻的一侧的相反侧远离，另外，在俯视第2开口部的底部的情况下，其底部的源电极与漏电极的表面积之和的中心位置与该底部的面积的中心位置相比向与第1开口部相邻的一侧的相反侧远离。

公开(公告)号：CN103503124A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201180070586.3

申请日：2011-06-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥本有子 ,  宫本明人 ,  受田高明

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/52 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3274 ,  H01L51/0512 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管元件及其制造方法、有机EL显示元件及其制造方法、以及有机EL显示装置。在TFT基板中，在基板（1011）上形成栅电极（1012a、1012b），其上被绝缘层（1013）覆盖。在绝缘层（1013）上以在Y轴方向上相互隔开间隔的状态形成有源电极（1014a、1014b）、漏电极（1014c、1014d）、连接布线（1015）。连接布线（1015）与漏电极（1012a）连接。在绝缘层（1013）上形成开有开口部（1016a～1016c）的隔壁（1016）以使得电极（1014a～1014d、1015）的各一部分露出。隔壁（1016）的面对开口部（1016b、1016c）的侧面部为斜面，侧面部（1016e、1016f）以与其他侧面部（1016d、1016g、1016h～1016k）相比缓和的倾斜形成。

公开(公告)号：CN103370776A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201280008788.X

申请日：2012-09-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥本有子 ,  宫本明人 ,  受田高明

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/08 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/5253 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1292 ,  H01L51/0004 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管元件及其制造方法、有机EL显示元件、以及有机EL显示装置。薄膜晶体管元件形成在通过隔壁的围绕而构成的第1开口部内。源电极、漏电极层叠形成在栅电极的上方，在与叠层方向交叉的方向上相互隔开间隔而排列设置。绝缘层插置在栅电极与源电极及漏电极之间。在第1开口部的底部，半导体层形成在源电极与漏电极之间的间隙以及源电极和漏电极之上，与源电极和漏电极紧密接触。在第1开口部底部的绝缘层上，亲液层与源电极、漏电极分别地形成，具有比绝缘层高的亲液性，在俯视第1开口部的底部的情况下，其表面积的中心位置从第1开口部底部的面积的中心位置向一方侧远离。

公开(公告)号：CN100365815C

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200480000648.3

申请日：2004-05-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森田清之 ,  山田升 ,  宫本明人 ,  大塚隆 ,  田中英行

IPC: H01L27/10 ,  H01L45/00 ,  G11C13/00

CPC classification number: G11C13/0004 ,  G11C14/009 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/24 ,  H01L45/04 ,  H01L45/145

Abstract: 一种非易失性存储器，包括：第一基板(100)和第二基板(110)，所述第一基板(100)具有多个排列成矩阵的开关元件(4)和多个连接在所述开关元件(4)的第一电极(18)，所述第二基板(110)具有导电膜(32)，和通过提供电脉冲改变阻值的记录层(34)，其中，所述多个第一电极(18)被所述记录层(34)完整地覆盖，该记录层(34)由此位于所述多个第一电极(18)和所述导电膜(32)之间；所述第一基板(100)还包括第二电极(22)，和所述第二电极(22)与所述导电膜(32)电联接，当给所述记录层(34)施加电流时，所述第二电极(22)的电压保持在一定的水平上。该非易失性存储器以低成本获得高集成度。

公开(公告)号：CN103503153B

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201180070581.0

申请日：2011-06-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥本有子 ,  宫本明人 ,  受田高明

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L27/3274 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/3248 ,  H01L51/0508 ,  H01L51/0558

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管元件及其制造方法、有机EL显示元件和有机EL显示装置。在TFT基板中，在基板（1011）上形成栅电极（1012a、1012b），其上被绝缘层（1013）覆盖。在绝缘层（1013）上，以在Y轴方向上互相隔开的状态形成有源电极（1014a、1014b）、漏电极（1014c、1014d）以及连接布线（1015）。连接布线（1015）与漏电极（1012c）连接。在绝缘层（1013）上形成有规定开口部（1016a～1016c）的隔壁（1016），以使得电极（1014a～1014d、1015）的各一部分露出。在开口部（1016）的内部，源电极（1014a）和漏电极（1014c）的表面积之和的X轴方向的中心（L3）与开口部（1016b）的底部的中心（L1）相比向X轴方向右侧离开距离x1。拨液性按隔壁（1016）、绝缘层（1013）、电极（1014a、1014c）的顺序由高变低。