公开(公告)号：CN1542960A

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN200410043422.3

申请日：2004-04-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 桂昭仁 ,  山本裕雄

IPC: H01L23/52 ,  H01L27/092 ,  H01L27/12 ,  H01L21/82 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5225 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于：实现能够防止因噪声引起的电路误动作的半导体器件而不招致因扩大信号布线间隔和向信号布线间插入屏蔽线或者屏蔽层而引起的电路集成度的降低。该半导体器件是在硅半导体衬底上层叠了3层以上的布线层的多层布线结构的半导体器件，配备：用第(N－1)层布线层形成，构成闩锁电路的第1信号线；具有与第1信号线交叉或者一部分重叠配置的部分，用第(N+1)层布线层形成的第2信号线；以及在第1信号线与第2信号线之间，在第2信号线的正下部，用第N层布线层形成，具有作为屏蔽布线功能的电源布线。

公开(公告)号：CN1520037A

公开(公告)日：2004-08-11

申请号：CN200410002580.4

申请日：2004-01-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 伊东美和 ,  中西和幸 ,  平田昭夫 ,  山本裕雄 ,  初田次康

IPC: H03K19/0185

CPC classification number: H03K3/356113 ,  H03K3/011

Abstract: 一种带自动延迟调整功能的电平变换电路，在输入端子(in)的输入信号的振幅电压(第1电源电压VDDL)变高而输出端子(out)的输出信号的振幅电压(第2电源电压VDDH)变低时，自输出端子(out)的信号的下降沿延迟时间容易比上升沿延迟时间变长。但因经倒相器(I1)的反转输入信号被输入电平变换部(L)并被输入N型晶体管(N3)的栅极，所以在输入端子(in)的输入信号下降时，N型晶体管(N3)为ON状态，电流由第2电源电压(VDDH)供给到电平变换部(L)的输出节点(n3)，辅助了在电平变换部(L)中向H电平的变换。从而能使输出信号的下降沿延迟时间特性和上升沿延迟时间特性的平衡保持良好状态。

公开(公告)号：CN1248090A

公开(公告)日：2000-03-22

申请号：CN99119063.7

申请日：1999-09-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 木下雅善 ,  崎山史朗 ,  梶原准 ,  里见胜治 ,  山本裕雄 ,  大谷一弘

IPC: H02M7/00 ,  H02M7/04 ,  H02M7/06

CPC classification number: G05F1/573 ,  G05F1/575 ,  Y10S323/908

Abstract: 一种电源电路,包括:将电流供到输出端4的输出晶体管1;和控制输出晶体管1的电流供给,使得基准电压REF和输出电压OUT相等的差动放大电路2。在差动放大电路2的输出级的电流通路上设置作为源随器的抑制用晶体管11,它的源电位控制输出晶体管1的栅电位。在电源电路启动之前,由动作控制部15给电容器16充电,而在初始动作时靠电流源17使电容器16逐渐放电。因此,输出晶体管1的栅源极间电压逐渐上升,突入电流的产生可被抑制。