-
公开(公告)号：CN1309084C
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200410036906.5
申请日：2004-04-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L27/112 , H01L21/82 , H01L21/8246 , G11C17/12
CPC classification number: G11C17/12
Abstract: 本发明提供抑制流过存储单元的驱动电流的下降，可以进行高速动作的掩模ROM。利用具有虚设栅电极(105)的虚设MOSFET，分离沿位线(102)延伸的方向邻接的存储单元内的NchMOSFET。这样，由于能够降低由STI施加给NchMOSFET沟道区域的应力，所以能抑制NchMOSFET的驱动电流的减少。
-
公开(公告)号：CN1497848A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN200310101406.0
申请日：2003-10-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03K3/037
Abstract: 一种触发器电路，具有采用动态电路的输入部和采用静态电路的输出部，在比时钟周期短的脉冲宽度的期间内进行数据存取，可以减少晶体管数量、电路面积，降低电能消耗。该触发器电路，将构成与输入部(1)的输出侧连接的锁存电路(2)的反相电路(INV1)的输出，作为控制部(3)的输入使用。这样，从控制部(3)向输入部(1)输出的控制信号得到稳定，可以防止电路元件不需要的动作，降低无为的电力消耗，另外，由于可以同时实现控制部(3)的构成的简化，所以可以减少构成中晶体管的数量，缩小电路面积。
-
公开(公告)号：CN103547901A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201280021573.1
申请日：2012-08-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B01L3/502715 , B01L2200/027 , B01L2200/141 , B01L2300/0645 , B01L2300/0672 , B01L2300/0825 , B01L2400/0406 , G01N21/86 , G01N35/1004
Abstract: 本发明提供一种将附着在针的外表面的液滴回收至毛细管内的方法。本发明的方法具有：（a）：准备具有毛细管、柔性薄膜、憎液膜和孔（100）的基板的工序；（b）：沿着Z方向使针移动，使得针依次贯通憎液膜和柔性薄膜，使液滴从针的外周面移到憎液膜的表面的工序；和（c）：沿着Z方向进一步使针移动，使位于憎液膜的表面的液滴到达毛细管的入口，通过毛细现象，使液滴吸入至毛细管的内部的工序。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1268057C
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200310101406.0
申请日：2003-10-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03K3/037
Abstract: 一种触发器电路，具有采用动态电路的输入部和采用静态电路的输出部，在比时钟周期短的脉冲宽度的期间内进行数据存取，可以减少晶体管数量、电路面积，降低电能消耗。该触发器电路，将构成与输入部(1)的输出侧连接的锁存电路(2)的反相电路(INV1)的输出，作为控制部(3)的输入使用。这样，从控制部(3)向输入部(1)输出的控制信号得到稳定，可以防止电路元件不需要的动作，降低无为的电力消耗，另外，由于可以同时实现控制部(3)的构成的简化，所以可以减少构成中晶体管的数量，缩小电路面积。
-
公开(公告)号：CN103547901B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201280021573.1
申请日：2012-08-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B01L3/502715 , B01L2200/027 , B01L2200/141 , B01L2300/0645 , B01L2300/0672 , B01L2300/0825 , B01L2400/0406 , G01N21/86 , G01N35/1004
Abstract: 本发明提供一种将附着在针的外表面的液滴回收至毛细管内的方法。本发明的方法具有：（a）：准备具有毛细管、柔性薄膜、憎液膜和孔（100）的基板的工序；（b）：沿着Z方向使针移动，使得针依次贯通憎液膜和柔性薄膜，使液滴从针的外周面移到憎液膜的表面的工序；和（c）：沿着Z方向进一步使针移动，使位于憎液膜的表面的液滴到达毛细管的入口，通过毛细现象，使液滴吸入至毛细管的内部的工序。
-
公开(公告)号：CN1300945C
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200410002580.4
申请日：2004-01-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03K19/0185
CPC classification number: H03K3/356113 , H03K3/011
Abstract: 一种带自动延迟调整功能的电平变换电路，在输入端子(in)的输入信号的振幅电压(第1电源电压VDDL)变高而输出端子(out)的输出信号的振幅电压(第2电源电压VDDH)变低时，自输出端子(out)的信号的下降沿延迟时间容易比上升沿延迟时间变长。但因经倒相器(I1)的反转输入信号被输入电平变换部(L)并被输入N型晶体管(N3)的栅极，所以在输入端子(in)的输入信号下降时，N型晶体管(N3)为ON状态，电流由第2电源电压(VDDH)供给到电平变换部(L)的输出节点(n3)，辅助了在电平变换部(L)中向H电平的变换。从而能使输出信号的下降沿延迟时间特性和上升沿延迟时间特性的平衡保持良好状态。
-
公开(公告)号：CN1540760A
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN200410036906.5
申请日：2004-04-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L27/112 , H01L21/82 , H01L21/8246 , G11C17/12
CPC classification number: G11C17/12
Abstract: 本发明提供抑制流过存储单元的驱动电流的下降，可以进行高速动作的屏蔽ROM。利用具有虚设栅电极(105)的虚设MOSFET，分离沿比特线(102)延伸的方向邻接的存储单元内的NchMOSFET。这样，由于能够降低由STI施加给NchMOSFET沟道区域的应力，所以能抑制NchMOSFET的驱动电流的减少。
-
公开(公告)号：CN1520037A
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN200410002580.4
申请日：2004-01-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03K19/0185
CPC classification number: H03K3/356113 , H03K3/011
Abstract: 一种带自动延迟调整功能的电平变换电路，在输入端子(in)的输入信号的振幅电压(第1电源电压VDDL)变高而输出端子(out)的输出信号的振幅电压(第2电源电压VDDH)变低时，自输出端子(out)的信号的下降沿延迟时间容易比上升沿延迟时间变长。但因经倒相器(I1)的反转输入信号被输入电平变换部(L)并被输入N型晶体管(N3)的栅极，所以在输入端子(in)的输入信号下降时，N型晶体管(N3)为ON状态，电流由第2电源电压(VDDH)供给到电平变换部(L)的输出节点(n3)，辅助了在电平变换部(L)中向H电平的变换。从而能使输出信号的下降沿延迟时间特性和上升沿延迟时间特性的平衡保持良好状态。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.048 seconds)
