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公开(公告)号：CN102687292A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201180003875.1
申请日：2011-02-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明的氮化物系半导体元件，具备：具有表面(12)从m面倾斜了1°以上5°以下的角度的p型GaN系半导体区域的氮化物系半导体层叠构造(20)；和设置于p型GaN系半导体区域上的电极(30)。电极(30)包含由从Pt、Mo以及Pd所构成的群中选择的金属和Mg构成的Mg合金层(32)，Mg合金层(32)与半导体层叠构造(20)中的p型GaN系半导体区域的表面(12)相接触。
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公开(公告)号：CN102473806A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080032304.6
申请日：2010-07-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/382 , H01L33/16 , H01L33/32
Abstract: 本发明的发光二极管元件具备：n型导电层(2)，其具有主面以及背面，并由氮化镓类化合物构成，主面是m面；半导体层叠构造(21)，其设置在n型导电层(2)的主面的第1区域(2a)，且包括p型导电层(4)、以及位于n型导电层(2)和p型导电层(4)之间的活性层(3)；p型电极(5)，其设置在p型导电层(4)上；导电体部(9)，其设置在n型导电层(2)的主面的第2区域(2b)，并与通孔(8)的内壁相接；以及n型表面电极(6)，其设置在n型导电层(2)的主面的第2区域(2b)，并与导电体部(9)相接。
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公开(公告)号：CN102007611A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201080001393.8
申请日：2010-03-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体元件及其制造方法。其中，氮化物系半导体发光元件(100)，具备：以m面(12)为表面的GaN基板(10)、在GaN基板(10)的m面(12)之上形成的半导体叠层结构(20)、和在半导体叠层结构(20)之上形成的电极(30)。电极(30)包括Zn层(32)和形成在Zn层(32)之上的金属层(34)，Zn层(32)与半导体叠层结构(20)中的p型半导体区域的表面相接触。
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公开(公告)号：CN100364192C
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200480002108.9
申请日：2004-04-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/0213 , H01S5/2201 , H01S5/2206 , H01S5/2216 , H01S5/2231 , H01S5/305 , H01S5/34333 , H01S2304/04 , H01S2304/12
Abstract: 本发明的半导体发光元件的制造方法，包括：在第1III-V族化合物半导体上形成条状的掩膜层的工序(A)；在第1III-V族化合物半导体的表面中没有被所述掩膜层覆盖的区域上，有选择地使第2III-V族化合物半导体成长，从而形成具有被所述掩膜层规定的条状开口部的电流狭窄层的工序(B)；有选择地除去掩膜层的工序(C)；使覆盖通过所述条状开口部而露出的第1III-V族化合物半导体的表面及电流狭窄层的表面的第3III-V族化合物半导体成长的工序(D)。
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公开(公告)号：CN1736009A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200480002108.9
申请日：2004-04-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/323
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/0213 , H01S5/2201 , H01S5/2206 , H01S5/2216 , H01S5/2231 , H01S5/305 , H01S5/34333 , H01S2304/04 , H01S2304/12
Abstract: 本发明的半导体发光元件的制造方法，包括：在第1III－V族化合物半导体上形成条状的掩膜层的工序(A)；在第1III－V族化合物半导体的表面中没有被所述掩膜层覆盖的区域上，有选择地使第2III－V族化合物半导体成长，从而形成具有被所述掩膜层规定的条状开口部的电流狭窄层的工序(B)；有选择地除去掩膜层的工序(C)；使覆盖通过所述条状开口部而露出的第1III－V族化合物半导体的表面及电流狭窄层的表面的第3III－V族化合物半导体成长的工序(D)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103003963A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201180035160.4
申请日：2011-08-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/0079 , H01L33/16 , H01L33/20 , H01L2933/0083
Abstract: 本发明的半导体发光元件包括：n型氮化物半导体层(21)；p型氮化物半导体层(23)；具有m面氮化物半导体层，且被夹在n型氮化物半导体层和p型氮化物半导体层之间的活性层区域(22)；与n型氮化物半导体层电连接的n型电极(30)；与p型氮化物半导体层电连接的p型电极(40)；将在活性层区域产生的偏振光提取到外部的射出面；以及在射出面设置的条状结构(50)，该条状结构(50)具有向与m面氮化物半导体层的a轴方向成5°以上80°以下、或-80°以上-5°以下的角度的方向延伸的多个凸部。
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公开(公告)号：CN102007576B
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201080001395.7
申请日：2010-03-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体发光元件及其制造方法。氮化物系半导体发光元件(100)包括：以m面(12)为表面的GaN基板(10)、在GaN基板(10)的m面(12)上形成的半导体叠层结构(20)、和在半导体叠层结构(20)上形成的电极(30)。电极(30)包含Mg层(32)、和形成在Mg层(32)上的Ag层(34)，Mg层(32)与半导体叠层结构(20)中的p型半导体区域的表面相接触。
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公开(公告)号：CN102356477A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN200980158076.4
申请日：2009-07-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L25/0753 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的照明装置，是至少具有第一和第二氮化物系半导体发光元件的照明装置，第一和第二氮化物系半导体发光元件分别具有半导体芯片(45)，该半导体芯片含有由AlxInyGazN(x+y+z＝1、x≥0、y≥0、z≥0)半导体形成的氮化物系半导体层叠结构(20)，并且氮化物系半导体层叠结构(20)含有其m面为界面的活性层区域(24)，第一和第二氮化物系半导体发光元件均从活性层区域(24)出射偏振光，在将第一和第二氮化物系半导体发光元件出射的偏振光的波长分别设为λ1和λ2、第一和第二氮化物系半导体发光元件的半导体芯片(45)的厚度分别设为d1和d2时，满足λ1＜λ2且d1＜d2的关系。
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公开(公告)号：CN102007576A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201080001395.7
申请日：2010-03-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体发光元件及其制造方法。氮化物系半导体发光元件(100)包括：以m面(12)为表面的GaN基板(10)、在GaN基板(10)的m面(12)上形成的半导体叠层结构(20)、和在半导体叠层结构(20)上形成的电极(30)。电极(30)包含Mg层(32)、和形成在Mg层(32)上的Ag层(34)，Mg层(32)与半导体叠层结构(20)中的p型半导体区域的表面相接触。
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公开(公告)号：CN101971364A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200980101726.1
申请日：2009-06-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/32 , H01L29/2003 , H01L33/0095 , H01L33/16 , H01L33/30 , H01L33/40 , H01L33/44 , H01L2224/14 , H01L2224/16225 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种氮化物类半导体元件及其制造方法。氮化物类半导体发光元件(100)具备：以m面(12)作为表面的GaN类基板(10)、在GaN类基板(10)的m面(12)之上形成的半导体层叠构造(20)、和在半导体层叠构造(20)之上形成的电极(30)。电极(30)包括Mg层(32)，Mg层(32)与半导体层叠构造(20)中的p型半导体区域的表面相接触。
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