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公开(公告)号：CN102754226B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201180008915.1
申请日：2011-04-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L33/32 , H01L33/40
Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体元件及其制造方法，该氮化物系半导体元件具备生长面为m面的p型AldGaeN层(25)、在p型AldGaeN层(25)上设置的电极(30)，AldGaeN层(25)具有由厚度26nm以上60nm以下的AlxGayInzN(x+y+z＝1，x≥0，y＞0，z≥0)半导体形成的p-AldGaeN接触层(26)，p-AldGaeN接触层(26)具有含有4×1019cm-3以上2×1020cm-3以下的Mg的主体区域(26A)、和与电极(30)相接并具有1×1021cm-3以上的Mg浓度的高浓度区域(26B)。
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公开(公告)号：CN102318039B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN200980156895.5
申请日：2009-10-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , H01L33/06 , H01L33/32
CPC classification number: C23C16/303 , C30B25/02 , C30B29/403 , H01L33/007
Abstract: 本发明是一种通过有机金属化学气相沉积法而使发光峰值波长为500nm以上的m面InGaN层生长的氮化镓系化合物半导体的制造方法。首先，进行将反应室内的基板加热的工序(A)。其次，进行将含有In气源、Ga气源和N气源的气体供给到所述反应室内，以700℃～775℃的生长温度，使由InxGa1-xN结晶构成的m面InGaN层在所述基板上生长的工序(B)。在所述工序(B)中，将所述m面InGaN层的生长速度设定在4.5nm/分～10nm/分的范围内。
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公开(公告)号：CN103430334A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201380000898.6
申请日：2013-02-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/22 , H01L21/205 , H01L33/32 , H01L33/50
CPC classification number: H01L33/20 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L33/025 , H01L33/16 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/325 , H01L33/40 , H01L2224/14
Abstract: 本申请所公开的氮化物半导体发光元件，具备如下：n侧电极；p侧电极；与n侧电极电连接的n型氮化物半导体层；具有非极性面或半极性面的主面的p型氮化物半导体层；和位于n型氮化物半导体层和p型氮化物半导体层之间的活性层。p型氮化物半导体层包含具有30纳米以上、50纳米以下的高度的突起，突起由不仅含有镁、而且也含有硅的p型氮化物半导体形成，p型氮化物半导体具有1.0×1017cm-3以上、6.0×1017cm-3以下的硅浓度，突起从活性层朝向p侧电极突出，氮化物半导体发光元件在俯视下，p侧电极与突起重叠，突起含有位错，且在突起的周围形成有由p型氮化物半导体形成的平坦面，并且突起具有比平坦面高的位错密度。
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公开(公告)号：CN102123794B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN200980131759.0
申请日：2009-08-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B03C3/12 , B03C3/08 , B03C3/41 , B03C3/47 , B03C2201/10
Abstract: 本发明提供一种电集尘器，具备带电部和设置在带电部的下游的集尘部，带电部具有用于产生电晕放电的放电电极和与地连接的接地极板，接地极板具有绝缘性基板、设置在绝缘性基板的表面上的电阻体、和在绝缘性基板的表面上与电阻体电连接的导电部，该电集尘器使放电电极以规定间隔与接地极板的电阻体对置。
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公开(公告)号：CN102326267B
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201080008160.0
申请日：2010-12-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/32 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/0262 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/0265 , H01L33/007 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体发光元件及其制造方法。本发明的氮化物系半导体发光元件是具有氮化物系半导体层叠结构(50a)的氮化物系半导体发光元件，氮化物系半导体层叠结构(50a)包括：包含AlaInbGacN结晶层(a+b+c＝1，a≥0，b≥0，c≥0)的活性层(32)；AldGaeN溢出抑制层(36)(d+e＝1，d＞0，e≥0)；和AlfGagN层(38)(f+g＝1，f≥0，g≥0，f＜d)，AldGaeN溢出抑制层(36)设置在活性层(32)与AlfGagN层(38)之间，AldGaeN溢出抑制层(36)包括含有浓度在1×1016atms/cm3以上且8×1018atms/cm3以下的In的层(35)。氮化物系半导体层叠结构(50a)的主面的法线与m面的法线形成的角度在1°以上且5°以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103429276A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201280012579.2
申请日：2012-03-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01T23/00 , A61L2/14 , A61L2202/26
Abstract: 本发明提供一种活性种产生单元，该活性种产生单元具有：壳部，其在筒状或箱状的一端具有开口部；放电电极，其将顶端从开口部插入到壳部内；和半导电部，其在顶端的附近与所述放电电极垂直地对置配置，在半导电部的外周配置成为接地电位的电源连接部，从电源部对电源连接部和放电电极施加电压，通过电晕放电使活性种产生。
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公开(公告)号：CN103328590A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201280006211.5
申请日：2012-03-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 加藤亮
IPC: C09D127/12 , C09D5/16 , C09D7/12 , C09D123/26 , F04D25/08
CPC classification number: C09D5/1687 , C09C1/56 , C09D5/1618 , C09D5/1662 , C09D5/24 , C09D7/67 , C09D123/26 , C09D127/18 , F01D5/288 , F04D29/281 , F05C2253/12 , Y10T428/3154 , C08K3/04 , C08L23/26 , C08L71/02
Abstract: 防污膜形成于基底，包含粘合剂成分、导电性颗粒以及氟树脂，导电性颗粒借助粘合剂成分进行拼合，并且粘合剂成分紧贴于基底，该防污膜具备导电性颗粒的表面被氟树脂覆盖而成的膜表面。
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公开(公告)号：CN103283043A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201280002602.X
申请日：2012-04-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/02581 , H01L21/0262 , H01L29/045 , H01L33/16 , H01L33/40 , H01L2933/0016
Abstract: 一种氮化物系半导体元件，其是具备生长面为m面的p型接触层(26)、和在p型接触层(26)的生长面上所设置的电极(30)的氮化物系半导体元件。就p型接触层(26)而言，其具有26nm以上、60nm以下的厚度，且是含有所述p型接触层的Mg浓度以上之浓度的氧的GaN系半导体层。
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公开(公告)号：CN102084504B
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN200980100931.6
申请日：2009-09-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/205
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L33/025 , H01L33/12 , H01L33/16
Abstract: 本发明提供一种氮化物类半导体发光元件，其具有氮化物类半导体叠层结构(50)，氮化物类半导体叠层结构(50)包括：含有AlaInbGacN结晶层，其中：a+b+c＝1，a≥0，b≥0，c≥0的活性层(32)；AldGaeN溢出抑制层(36)，其中：d+e＝1，d＞0，e≥0；以及AlfGagN层(38)其中：f+g＝1，f≥0，g≥0，f＜d，AldGaeN溢出抑制层(36)设置在活性层(32)与AlfGagN层(38)之间，AldGaeN溢出抑制层(36)包括层(35)，该层(35)含有浓度为1×1016atms/cm3以上且1×1019atms/cm3以下的In。
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公开(公告)号：CN102576786A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080036400.8
申请日：2010-08-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/32
CPC classification number: H01L33/325 , H01L33/0075 , H01L33/02 , H01L33/14 , H01L33/18
Abstract: 一种氮化镓系化合物半导体发光元件，在六方晶纤锌矿结构的(10-10)m面生长p-GaN层，将作为p型掺杂物的Mg浓度在1.0×1018cm-3到9.0×1018cm-3的范围内进行调整。
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