公开(公告)号：CN1377092A

公开(公告)日：2002-10-30

申请号：CN02107047.4

申请日：2002-03-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 井上薰 ,  池田义人 ,  正户宏幸

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L29/2003

Abstract: 确实防止在利用了含有GaN的半导体的异质结构的FET中,漏极电流的减少而使FET的操作很稳定,并减小欧姆电极的接触电阻。在衬底101上,依次形成由GaN膜制成的缓冲层103及由AlGaN膜制成的电子供给层104。电子供给层104的上面被由n型InGaAlN膜制成的盖层105盖住。在盖层105中规定区域上的凹部及其上部,形成了和电子供给层104相连的栅电极106,同时在盖层105上栅电极106的两侧形成了源电极107及漏电极108。

公开(公告)号：CN1195883A

公开(公告)日：1998-10-14

申请号：CN98101070.9

申请日：1998-04-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 太田顺道 ,  正户宏幸 ,  熊渕康仁 ,  北畠真

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L29/6606 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/0495 ,  H01L21/268 ,  H01L21/8258 ,  H01L29/66068 ,  Y10S438/931

Abstract: 在由碳化硅构成的衬底的上面沉积由镍等构成的第一金属膜及第二金属膜。在该状态中,第一金属膜和衬底的界面及第二金属膜和衬底的界面共为肖特基接触。接着,从衬底的上面一侧,将激光的前端部缩小仅对衬底的第一金属膜照射激光。因此,即使不加热衬底整体,通过激光的能量使第一金属膜和衬底构成的金属－半导体界面合金化,由于在第一金属膜和衬底的界面得到欧姆接触,其结果,得到由第一金属膜构成的欧姆电极。