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公开(公告)号：CN1372327A
公开(公告)日：2002-10-02
申请号：CN02105253.0
申请日：2002-02-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L21/28264 , H01L29/2003 , H01L29/7783
Abstract: 一种半导体器件及其制备方法,在由碳化硅形成的衬底11上,依次形成缓和层12;由氮化镓形成且在其上部形成了2维电子气体层的沟道层13;以及由n型氮化铝镓形成且将载流子供到沟道层13的载流子供给层14。在由元件隔离膜15包围起来的元件形成区,有选择地形成由在载流子供给层14上生长的氮化镓形成的半导体层氧化而成的绝缘氧化层16B,再在绝缘氧化层16B上形成栅电极17。
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公开(公告)号：CN101359667A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200810146095.2
申请日：2001-03-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/118 , H01L29/778 , H01L21/784 , H01L21/335 , H01L21/338 , H01L33/00 , H01S5/10 , H01S5/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具有有源区域和绝缘氧化膜，有源区域由生长在衬底11上的III族氮化物半导体组成，绝缘氧化膜由在有源区域周围的III族氮化物半导体氧化而成。在有源区域上形成栅电极、源电极和漏电极，栅电极与有源区域呈肖特基接触、延伸到绝缘氧化膜上，并在氧化绝缘膜上具有栅电极的引出部，源电极和漏电极是欧姆电极，设置在栅电极栅长方向的两侧并与栅电极有一定间隔。
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公开(公告)号：CN100377364C
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN02105253.0
申请日：2002-02-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体器件及其制备方法，在由碳化硅形成的衬底(11)上，依次形成缓和层(12)；由氮化镓形成且在其上部形成了2维电子气体层的沟道(13)；以及由n型氮化铝镓形成且将载流子供到沟道(13)的载流子供给层(14)。在由元件隔离膜(15)包围起来的元件形成区，有选择地形成由在载流子供给层(14)上生长的氮化镓形成的半导体层氧化而成的绝缘氧化层(16B)，再在绝缘氧化层(16B)上形成栅电极(17)。
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公开(公告)号：CN100438100C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200510109947.7
申请日：2001-03-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 半导体装置具有有源区域和绝缘氧化膜，有源区域由生长在衬底11上的III族氮化物半导体组成，绝缘氧化膜由在有源区域周围的III族氮化物半导体氧化而成。在有源区域上形成栅电极、源电极和漏电极，栅电极与有源区域呈肖特基接触、延伸到绝缘氧化膜上，并在氧化绝缘膜上具有栅电极的引出部，源电极和漏电极是欧姆电极，设置在栅电极栅长方向的两侧并与栅电极有一定间隔。
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公开(公告)号：CN1287465C
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN01109857.0
申请日：2001-03-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 半导体装置具有有源区域和绝缘氧化膜，有源区域由生长在衬底11上的Ⅲ族氮化物半导体组成，绝缘氧化膜由在有源区域周围的Ⅲ族氮化物半导体氧化而成。在有源区域上形成栅电极、源电极和漏电极，栅电极与有源区域呈肖特基接触、延伸到绝缘氧化膜上，并在氧化绝缘膜上具有栅电极的引出部，源电极和漏电极是欧姆电极，设置在栅电极栅长方向的两侧并与栅电极有一定间隔。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101902015A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN201010228923.4
申请日：2001-03-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/323
CPC classification number: H01L29/66863 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/66462 , H01L29/7783
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具有有源区域和绝缘氧化膜，有源区域由生长在衬底11上的Ⅲ族氮化物半导体组成，绝缘氧化膜由在有源区域周围的Ⅲ族氮化物半导体氧化而成。在有源区域上形成栅电极、源电极和漏电极，栅电极与有源区域呈肖特基接触、延伸到绝缘氧化膜上，并在氧化绝缘膜上具有栅电极的引出部，源电极和漏电极是欧姆电极，设置在栅电极栅长方向的两侧并与栅电极有一定间隔。
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公开(公告)号：CN101359667B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200810146095.2
申请日：2001-03-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/118 , H01L29/778 , H01L21/784 , H01L21/335 , H01L21/338 , H01L33/00 , H01S5/10 , H01S5/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具有有源区域和绝缘氧化膜，有源区域由生长在衬底11上的III族氮化物半导体组成，绝缘氧化膜由在有源区域周围的III族氮化物半导体氧化而成。在有源区域上形成栅电极、源电极和漏电极，栅电极与有源区域呈肖特基接触、延伸到绝缘氧化膜上，并在氧化绝缘膜上具有栅电极的引出部，源电极和漏电极是欧姆电极，设置在栅电极栅长方向的两侧并与栅电极有一定间隔。
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公开(公告)号：CN1767224A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200510109947.7
申请日：2001-03-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 半导体装置具有有源区域和绝缘氧化膜，有源区域由生长在衬底上的III族氮化物半导体组成，绝缘氧化膜由在有源区域周围的III族氮化物半导体氧化而成。在有源区域上形成栅电极、源电极和漏电极，栅电极与有源区域呈肖特基接触、延伸到绝缘氧化膜上，并在氧化绝缘膜上具有栅电极的引出部，源电极和漏电极是欧姆电极，设置在栅电极栅长方向的两侧并与栅电极有一定间隔。
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公开(公告)号：CN1240137C
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN02107047.4
申请日：2002-03-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/772 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/7783 , H01L29/2003
Abstract: 确实防止在利用了含有GaN的半导体的异质结构的FET中，漏极电流的减少而使FET的操作很稳定，并减小欧姆电极的接触电阻。在衬底101上，依次形成由GaN膜制成的缓冲层103及由AlGaN膜制成的电子供给层104。电子供给层104的上面被由n型InGaAlN膜制成的盖层105盖住。在盖层105中规定区域上的凹部及其上部，形成了和电子供给层104相连的栅电极106，同时在盖层105上栅电极106的两侧形成了源电极107及漏电极108。
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公开(公告)号：CN1131548C
公开(公告)日：2003-12-17
申请号：CN98101070.9
申请日：1998-04-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L21/283 , H01L21/324
CPC classification number: H01L29/6606 , H01L21/0485 , H01L21/0495 , H01L21/268 , H01L21/8258 , H01L29/66068 , Y10S438/931
Abstract: 在由碳化硅构成的衬底的上面沉积由镍等构成的第一金属膜及第二金属膜。在该状态中，第一金属膜和衬底的界面及第二金属膜和衬底的界面共为肖特基接触。接着，从衬底的上面一侧，将激光的前端部缩小仅对衬底的第一金属膜照射激光。因此，即使不加热衬底整体，通过激光的能量使第一金属膜和衬底构成的金属一半导体界面合金化，由于在第一金属膜和衬底的界面得到欧姆接触，其结果，得到由第一金属膜构成的欧姆电极。
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