-
公开(公告)号：CN100438100C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200510109947.7
申请日：2001-03-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 半导体装置具有有源区域和绝缘氧化膜，有源区域由生长在衬底11上的III族氮化物半导体组成，绝缘氧化膜由在有源区域周围的III族氮化物半导体氧化而成。在有源区域上形成栅电极、源电极和漏电极，栅电极与有源区域呈肖特基接触、延伸到绝缘氧化膜上，并在氧化绝缘膜上具有栅电极的引出部，源电极和漏电极是欧姆电极，设置在栅电极栅长方向的两侧并与栅电极有一定间隔。
-
公开(公告)号：CN1287465C
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN01109857.0
申请日：2001-03-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 半导体装置具有有源区域和绝缘氧化膜，有源区域由生长在衬底11上的Ⅲ族氮化物半导体组成，绝缘氧化膜由在有源区域周围的Ⅲ族氮化物半导体氧化而成。在有源区域上形成栅电极、源电极和漏电极，栅电极与有源区域呈肖特基接触、延伸到绝缘氧化膜上，并在氧化绝缘膜上具有栅电极的引出部，源电极和漏电极是欧姆电极，设置在栅电极栅长方向的两侧并与栅电极有一定间隔。
-
公开(公告)号：CN100440542C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200410044704.5
申请日：2004-05-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/812 , H01L21/338 , H01L33/00 , H01S5/30
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L21/02425 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L29/2003 , H01L29/4175 , H01L29/41766
Abstract: 一种半导体装置，由III-V族氮化物半导体构成并具有通孔结构，包括：在导电性基板(11)上形成的由高阻抗AlxGa1-xN构成的缓冲层(12)；在该缓冲层(12)上形成的具有沟道层的由非掺杂GaN和N型AlyGa1-yN构成的元件形成层(14)；在元件形成(14)上选择形成的源电极(16)、漏电极(17)和栅电极(15)。源电极(16)通过填充于在缓冲层(12)和元件形成层(14)上设置的贯通孔(12a)而与导电性基板(11)电连接。这样，通过在防止基板和半导体层之间产生漏泄电流的同时使通孔的形成变得容易而获得高频特性、高输出特性和大功率特性。
-
公开(公告)号：CN101359667A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200810146095.2
申请日：2001-03-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/118 , H01L29/778 , H01L21/784 , H01L21/335 , H01L21/338 , H01L33/00 , H01S5/10 , H01S5/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具有有源区域和绝缘氧化膜，有源区域由生长在衬底11上的III族氮化物半导体组成，绝缘氧化膜由在有源区域周围的III族氮化物半导体氧化而成。在有源区域上形成栅电极、源电极和漏电极，栅电极与有源区域呈肖特基接触、延伸到绝缘氧化膜上，并在氧化绝缘膜上具有栅电极的引出部，源电极和漏电极是欧姆电极，设置在栅电极栅长方向的两侧并与栅电极有一定间隔。
-
公开(公告)号：CN100377364C
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN02105253.0
申请日：2002-02-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体器件及其制备方法，在由碳化硅形成的衬底(11)上，依次形成缓和层(12)；由氮化镓形成且在其上部形成了2维电子气体层的沟道(13)；以及由n型氮化铝镓形成且将载流子供到沟道(13)的载流子供给层(14)。在由元件隔离膜(15)包围起来的元件形成区，有选择地形成由在载流子供给层(14)上生长的氮化镓形成的半导体层氧化而成的绝缘氧化层(16B)，再在绝缘氧化层(16B)上形成栅电极(17)。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1898538A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200580001407.5
申请日：2005-09-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 红外线传感器，包括：各自显示规定电容值的串联电容元件和参照电容元件，电容值根据射入元件中的红外线强度而变化的红外线检测电容元件，以及是串联电容元件的一个端子、参照电容元件的一个端子及红外线检测电容元件的一个端子相互连接起来的节点的输出节点。通过在串联电容元件的其他端子与参照电容元件的其他端子之间施加规定电压，来以输出节点的电位作为基准电位；通过在串联电容元件的其他端子与红外线检测电容元件的其他端子之间施加规定电压，来以所述输出节点的电位作为检测电位；作为基准电位与检测电位的电位差输出红外线强度。
-
公开(公告)号：CN1551373A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410044704.5
申请日：2004-05-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/812 , H01L21/338 , H01L33/00 , H01S5/30
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L21/02425 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L29/2003 , H01L29/4175 , H01L29/41766
Abstract: 一种半导体装置，由III－V族氮化物半导体构成并具有通孔结构，包括：在导电性基板(11)上形成的由高阻抗AlxGa1－xN构成的缓冲层(12)；在该缓冲层(12)上形成的具有沟道层的由非掺杂GaN和N型AlyGa1－yN构成的元件形成层(14)；在元件形成(14)上选择形成的源电极(16)、漏电极(17)和栅电极(15)。源电极(16)通过填充于在缓冲层(12)和元件形成层(14)上设置的贯通孔(12a)而与导电性基板(11)电连接。这样，通过在防止基板和半导体层之间产生漏泄电流的同时使通孔的形成变得容易而获得高频特性、高输出特性和大功率特性。
-
公开(公告)号：CN1372327A
公开(公告)日：2002-10-02
申请号：CN02105253.0
申请日：2002-02-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L21/28264 , H01L29/2003 , H01L29/7783
Abstract: 一种半导体器件及其制备方法,在由碳化硅形成的衬底11上,依次形成缓和层12;由氮化镓形成且在其上部形成了2维电子气体层的沟道层13;以及由n型氮化铝镓形成且将载流子供到沟道层13的载流子供给层14。在由元件隔离膜15包围起来的元件形成区,有选择地形成由在载流子供给层14上生长的氮化镓形成的半导体层氧化而成的绝缘氧化层16B,再在绝缘氧化层16B上形成栅电极17。
-
公开(公告)号：CN101902015A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN201010228923.4
申请日：2001-03-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/323
CPC classification number: H01L29/66863 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/66462 , H01L29/7783
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具有有源区域和绝缘氧化膜，有源区域由生长在衬底11上的Ⅲ族氮化物半导体组成，绝缘氧化膜由在有源区域周围的Ⅲ族氮化物半导体氧化而成。在有源区域上形成栅电极、源电极和漏电极，栅电极与有源区域呈肖特基接触、延伸到绝缘氧化膜上，并在氧化绝缘膜上具有栅电极的引出部，源电极和漏电极是欧姆电极，设置在栅电极栅长方向的两侧并与栅电极有一定间隔。
-
公开(公告)号：CN101359667B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200810146095.2
申请日：2001-03-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/118 , H01L29/778 , H01L21/784 , H01L21/335 , H01L21/338 , H01L33/00 , H01S5/10 , H01S5/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具有有源区域和绝缘氧化膜，有源区域由生长在衬底11上的III族氮化物半导体组成，绝缘氧化膜由在有源区域周围的III族氮化物半导体氧化而成。在有源区域上形成栅电极、源电极和漏电极，栅电极与有源区域呈肖特基接触、延伸到绝缘氧化膜上，并在氧化绝缘膜上具有栅电极的引出部，源电极和漏电极是欧姆电极，设置在栅电极栅长方向的两侧并与栅电极有一定间隔。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
14
records
(took 0.031 seconds)
