公开(公告)号：CN100454575C

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200510004750.7

申请日：2005-01-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 宫田里江 ,  沟口修二

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 在沟栅极型MISFET中，通过用于形成第一高浓度P型源区(6)的第一注入，注入杂质，达到深处，通过用于形成第二高浓度P型源区(8)的第二注入，提高半导体区(14)的上表面附近的杂质浓度。据此，能可靠地使栅极(5)和第一高浓度P型源区(6)重叠，能避免栅源之间的偏移量。此外，在与源极电极模(12)电连接的硅化物模(10)、第二高浓度P型源区(8)之间能形成良好的欧姆接合，所以能使源极接触低电阻化。通过两个相乘的效果，能形成低电阻的半导体器件。在沟栅极型MISFET中，通过在源极和源区之间形成良好的欧姆接合，使源极接触低电阻化。

公开(公告)号：CN1649172A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN200510004750.7

申请日：2005-01-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 宫田里江 ,  沟口修二

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/086 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7827

Abstract: 在沟栅极型MISFET中，通过用于形成第一高浓度P型源区(6)的第一注入，注入杂质，达到深处，通过用于形成第二高浓度P型源区(8)的第二注入，提高半导体区(14)的上表面附近的杂质浓度。据此，能可靠地使栅极(5)和第一高浓度P型源区(6)重叠，能避免栅源之间的偏移量。此外，在与源极电极模(12)电连接的硅化物模(10)、第二高浓度P型源区(8)之间能形成良好的欧姆接合，所以能使源极接触低电阻化。通过两个相乘的效果，能形成低电阻的半导体器件。在沟栅极型MISFET中，通过在源极和源区之间形成良好的欧姆接合，使源极接触低电阻化。