公开(公告)号：CN101373884B

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN200810130888.5

申请日：2008-08-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 鹿岛孝之 ,  伊藤启司 ,  牧田幸治

IPC: H01S5/22

CPC classification number: H01S5/4025 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/2201

Abstract: 在半导体基板上，使第1导电型的包覆层、活性层、第2导电型的第1包覆层及第2导电型的第2包覆层依次进行晶体生长，对上述第2导电型的第2包覆层进行加工，形成带状的多个脊形结构部，在与上述脊形结构部的长度方向正交的方向上裂开，形成激光条；将在脊形结构部的长度方向上隔开指定的间隔而排列脊形结构部后的列排列多个；该列和邻接的列，在脊形结构部的长度方向上错开，以使得脊形结构部的端部和邻接的脊形结构部的另一端部在脊形结构部的长度方向上互相重叠；使脊形结构部的端部和邻接的脊形结构部的端部相重叠的区域裂开。采用该方法，就可以提供一种能以简单的方法对每个芯片判别谐振器长度的偏差是否在允许范围内的半导体激光装置的制造方法以及其制造工序中的半导体激光条的检查方法。

公开(公告)号：CN101636820A

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200880008459.9

申请日：2008-02-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岛本敏孝 ,  吉川兼司 ,  牧田幸治

IPC: H01L21/28 ,  H01L33/00 ,  H01S5/042

CPC classification number: H01L29/452 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/0425 ,  H01L2924/00

Abstract: 具备：AuGeNi合金层(13)，设置于n型GaAs层上；叠层体，由上述AuGeNi合金层(13)上所设置的接合金属层(15、17)及上述接合金属层(15、17)上所设置的势垒金属层(16、18)构成；叠层体设置2个周期以上。采用该结构，可以在GaAs类的接触层，特别是n型电极中，限制半导体的Ga及在n型电极上形成欧姆接合所需要的AuGeNi合金层的Ni等的表面扩散，可以提供低电阻的欧姆电极结构体及具有该欧姆电极结构体的半导体元件。

公开(公告)号：CN100452582C

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200410057538.2

申请日：2004-08-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 牧田幸治 ,  足立秀人

IPC: H01S5/227

CPC classification number: H01S5/22 ,  H01S5/2205 ,  H01S5/2216 ,  H01S5/2222

Abstract: 本发明的半导体激光器包括：第一电导型包层，在谐振器延长方向上至少有一个脊型结构的第二电导型包层，位于两包层间的有源层和至少覆盖脊型结构一个侧面的电流阻挡层。电流阻挡层包括了氢化第一电介质膜。在这种由电介质生成电流阻挡层的结构中，光的限制效率被增强，激光器振荡阈值降低，且在高温和大功率振荡下的电流特性被改善。

公开(公告)号：CN101064412A

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200610163717.3

申请日：2006-11-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 鹿岛孝之 ,  牧田幸治

IPC: H01S5/40 ,  H01S5/32 ,  H01S5/22

CPC classification number: H01S5/22 ,  H01S5/16 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/4087

Abstract: 本发明提供一种能够实现高成品率的单片型多波长半导体激光装置及其制作方法。红外激光元件(110)和红色激光元件(120)形成在同一个衬底(101)上。各激光元件(110及120)分别包括由n型包层(103、113)、活性层(104、114)及p型第一包层(105、115)按照上述顺序叠层而成的双重异质结构，以及包含在p型第二包层(107、117)和其上面设置的p型接触层(109、209)的山脊状导波路(150、160)。在各山脊状导波路(150、160)的两侧侧壁及其周围形成了电流阻挡层(132)，并在电流阻挡层(132)上形成了漏电防止层(133)。

公开(公告)号：CN101006624A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200680000579.5

申请日：2006-01-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 细井浩行 ,  牧田幸治 ,  山中通成

IPC: H01S5/223

CPC classification number: H01S5/223

Abstract: 一种脊条形半导体激光装置，在半导体衬底(102)上具备第1导电型的包覆层(103)、有源层(104)、第2导电型的第1包覆层(105)、用来进行水平横向的光封闭的脊形条状的第2导电型的第2包覆层(108)、和除了上述脊上的至少一部分以外形成的电流阻挡层(107)，在与上述脊的条方向垂直的剖面形状中，上述脊的两侧面分别具有相对于半导体衬底表面大致垂直且从上述脊的上端向下方延伸的第1面(118)、和在脊麓部分由朝脊外侧向斜下方方向倾斜的大致直线状的麓部分倾斜面构成的第2面(119)；第1面与第2面直接连接，或者经由第3中间面连接；在第2面上，构成上述第2包覆层的半导体的(111)面露出。在本发明中，能够提供高纽结水平、低动作电流的高输出半导体激光装置。

公开(公告)号：CN1622408A

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：CN200410096214.X

申请日：2004-11-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 牧田幸治 ,  吉川兼司 ,  鹿岛孝之 ,  足立秀人

IPC: H01S5/22

CPC classification number: H01S5/22 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/222 ,  H01S5/32325

Abstract: 本发明的目的是提供一种具有阀值电流小且制作容易的结构，并且具有良好的温度特性和高速应答特性的半导体激光元件，具有n型GaAs基板(101)、n型GaAs基板(101)上形成的n型AlGaInP包覆层(102)、非掺杂量子井活性层(103)、p型AlGaInP第1包覆层(104)、p型GaInP腐蚀阻止层(105)、p型AlGaInP第2包覆层(106)、p型GaInP覆盖层(107)、p型GaAs接触层(108)和n型AlInP阻挡层(109)，具有脊背部和脊背部两侧的突起部，p型GaAs接触层(108)仅形成在脊背部的上面。