公开(公告)号：CN1523658A

公开(公告)日：2004-08-25

申请号：CN200410002980.5

申请日：2004-01-21

Applicant: 株式会社瑞萨科技 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 西冈康隆 ,  坂井淳二郎 ,  友久伸吾 ,  松本晋 ,  岩本文男 ,  山中通成

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76808 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49144 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/49165

Abstract: 提供一种抑制抗蚀剂图形的析像不良的发生，降低因析像不良引起的不良配线的发生的具有埋入多层配线结构的半导体装置。在形成达到蚀刻阻挡膜(4)的通孔(7)之后，在保持通孔(7)的开口状态不变的状态下，进行300～400℃的退火处理。退火方法可以采用热板方法，也可以采用热处理炉方法，为了对抑制制造完毕的下层配线(20)的影响，利用热板进行5分钟至10分钟的短时间加热。借此，将滞留在上部保护膜(6)与低介电常数层间绝缘膜(5)的界面上的副产物以及滞留在蚀刻阻挡膜(4)与低介电常数层间绝缘膜(5)的界面上的副产物放出，可以减少副产物的残留量。

公开(公告)号：CN1534737A

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：CN200410031781.7

申请日：2004-03-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山中通成

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32642 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76804

Abstract: 本发明涉及能进行与要形成的图案无关，能够控制尺寸偏移且获得所需腐蚀形状的干式蚀刻装置及方法。在反应室(101)内的下部电极(102)上，配置聚焦环(107)，使其包围被处理基板(150)。聚焦环(107)，由从预先准备的具有不同半径的多个环中选择的环(第1～第3环(107a～107c))组合而成。从而使聚焦环(107)具有与腐蚀对象物的图案开口率对应的表面积。

公开(公告)号：CN101006624A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200680000579.5

申请日：2006-01-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 细井浩行 ,  牧田幸治 ,  山中通成

IPC: H01S5/223

CPC classification number: H01S5/223

Abstract: 一种脊条形半导体激光装置，在半导体衬底(102)上具备第1导电型的包覆层(103)、有源层(104)、第2导电型的第1包覆层(105)、用来进行水平横向的光封闭的脊形条状的第2导电型的第2包覆层(108)、和除了上述脊上的至少一部分以外形成的电流阻挡层(107)，在与上述脊的条方向垂直的剖面形状中，上述脊的两侧面分别具有相对于半导体衬底表面大致垂直且从上述脊的上端向下方延伸的第1面(118)、和在脊麓部分由朝脊外侧向斜下方方向倾斜的大致直线状的麓部分倾斜面构成的第2面(119)；第1面与第2面直接连接，或者经由第3中间面连接；在第2面上，构成上述第2包覆层的半导体的(111)面露出。在本发明中，能够提供高纽结水平、低动作电流的高输出半导体激光装置。

公开(公告)号：CN1298045C

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200410002980.5

申请日：2004-01-21

Applicant: 株式会社瑞萨科技 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 西冈康隆 ,  坂井淳二郎 ,  友久伸吾 ,  松本晋 ,  岩本文男 ,  山中通成

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76808 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49144 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/49165

Abstract: 提供一种具有埋入的多层配线结构的半导体器件的制造方法，抑制抗蚀剂图形的析像不良的发生，降低因析像不良引起的不良配线的发生。在形成达到蚀刻阻挡膜(4)的通孔(7)之后，在保持通孔(7)的开口状态不变的状态下，进行300～400℃的退火处理。退火方法可以采用热板方法，也可以采用热处理炉方法，为了对抑制制造完毕的下层配线(20)的影响，利用热板进行5分钟至10分钟的短时间加热。借此，将滞留在上部保护膜(6)与低介电常数层间绝缘膜(5)的界面上的副产物以及滞留在蚀刻阻挡膜(4)与低介电常数层间绝缘膜(5)的界面上的副产物放出，可以减少副产物的残留量。