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公开(公告)号：CN1941527A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610139956.5
申请日：2006-09-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/028 , B82Y20/00 , H01S5/0287 , H01S5/0425 , H01S5/16 , H01S5/2214 , H01S5/34333
Abstract: 叠层组合物包括：设置在基板上的第1导电型包覆层；设置在第1导电型包覆层上的有源层，和设置在有源层上的脊条形第2导电型包覆层。设置在叠层组合物端面的一对膜，其沿着叠层方向彼此相对。所述成对膜形成为具有彼此不同的光谱反射率。叠层组合物和所述成对膜形成了谐振器结构。当在谐振器长度方向上成对膜中具有较小光谱反射率的一个膜的一侧是前侧，且具有较大光谱反射率的另一个膜的一侧是后侧时，如此构造叠层组合物，即光学限制因数在前侧上比后侧上小。
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公开(公告)号：CN101373884A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200810130888.5
申请日：2008-08-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/22
CPC classification number: H01S5/4025 , H01S5/0201 , H01S5/2201
Abstract: 在半导体基板上，使第1导电型的包覆层、活性层、第2导电型的第1包覆层及第2导电型的第2包覆层依次进行晶体生长，对上述第2导电型的第2包覆层进行加工，形成带状的多个脊形结构部，在与上述脊形结构部的长度方向正交的方向上裂开，形成激光条；将在脊形结构部的长度方向上隔开指定的间隔而排列脊形结构部后的列排列多个；该列和邻接的列，在脊形结构部的长度方向上错开，以使得脊形结构部的端部和邻接的脊形结构部的另一端部在脊形结构部的长度方向上互相重叠；使脊形结构部的端部和邻接的脊形结构部的端部相重叠的区域裂开。采用该方法，就可以提供一种能以简单的方法对每个芯片判别谐振器长度的偏差是否在允许范围内的半导体激光装置的制造方法以及其制造工序中的半导体激光条的检查方法。
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公开(公告)号：CN101373884B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200810130888.5
申请日：2008-08-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/22
CPC classification number: H01S5/4025 , H01S5/0201 , H01S5/2201
Abstract: 在半导体基板上，使第1导电型的包覆层、活性层、第2导电型的第1包覆层及第2导电型的第2包覆层依次进行晶体生长，对上述第2导电型的第2包覆层进行加工，形成带状的多个脊形结构部，在与上述脊形结构部的长度方向正交的方向上裂开，形成激光条；将在脊形结构部的长度方向上隔开指定的间隔而排列脊形结构部后的列排列多个；该列和邻接的列，在脊形结构部的长度方向上错开，以使得脊形结构部的端部和邻接的脊形结构部的另一端部在脊形结构部的长度方向上互相重叠；使脊形结构部的端部和邻接的脊形结构部的端部相重叠的区域裂开。采用该方法，就可以提供一种能以简单的方法对每个芯片判别谐振器长度的偏差是否在允许范围内的半导体激光装置的制造方法以及其制造工序中的半导体激光条的检查方法。
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公开(公告)号：CN1574526A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410047569.X
申请日：2004-05-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/028 , H01S5/0655 , H01S5/1014 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/34333 , H01S2301/18 , H01S2304/04
Abstract: 本发明的半导体激光器装置，在基片(101)上至少含有第1导电型的包覆层(102)、活性层(104)和第2导电型的包覆层(107)，其中，具有用于注入载流子的条形结构(117)，射出激光的谐振器的前方端面的条形的宽度大于位于相反侧的后方端面的条形的宽度，而且，前方端面的反射率低于后方端面的反射率。由此，能够根据半导体激光器内部的谐振器方向的光强度分布，控制载流子向活性层(104)注入，能够谋求降低阈值电流，提高斜度效率及提高纽结水平，能够提供一种在高光输出工作时也能以基横模稳定振荡激光的半导体激光器装置。
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